Савол бўйича мустақил иш топшириқлар:
1. Ярим ўтказгичли диоднинг тузилиши ва ишлаш принципи.
2. р - n –ўтишни ҳосил қилиш усуллари.
3. Яримўтказгичли диодларнинг хиллари.
9.5. Бешинчи асосий савол: Транзисторлар ва уларнинг хоссалари.
Дарснинг мақсади: Транзисторлар , уларнинг турлари, хоссалари ва ишлаш тамойиллари ҳақида маълумотлар берилади.
Идентив ўқув мақсадлари:
1. Транзисторнинг тузилиши тўғрисида маълумот олади.
2. Транзисторларнинг уланиш схемаларини ўрганади.
3. Транзисторларнинг турлари ва уларнинг хоссаларини ўрганади.
Транзистор учта соҳадан иборат яримўтказгичли асбоб. Унинг тузилиши 6- расмда келтирилган. Ўрта қисми база деб аталиб, аралашма концентрацияси четки қисмларига нисбатан кам ва юпқа бўлади. База қалинлиги LБ, электрон ёки ковакнинг рекомбинациялашгунга қадар югуриб ўтган масофаси LД га нисбатан кичик. LБ < LД бўлса, юпқа база деб юритилади. LД шунингдек, диффузия силжиш узунлиги деб ҳам аталади. Четки қисмларидан бири эмиттер, иккинчиси коллектор деб аталади.
Эмиттер деган ном электронлар базага пуркалади, инъекция, яъни инжекцияланади деган маънони англатади. Мана шу хусусияти билан электрон лампадаги катоддан термоэлектрон эмиссия ҳодисаси туфайли электронлар ҳосил бўлиши орасидаги фарқ тушунтирилади. Транзистор ва вакуумли триод ишлаш принципи жихитидан ҳам фарқ қилади. Триодда тўрга кучланиш берилмаса ҳам, анод токи ҳосил бўлади. Транзисторда эса база токи бўлмаса, колектор токи ҳам бўлмайди. 6- расмда кўрсатилган транзистор дискрет транзистор деб аталади. Бу транзисторда р-п ўтишлар яримўтказгичли пластинанинг қарама- қарши томонларида жойлашган. Ўтишлари бир томонга жойлашган транзисторлар ҳам мавжуд. Бундай транзисторлар интеграл транзисторлар деб аталади. Эмиттер соҳасида аралашма миқдори кўпроқ бўлади. Колектор заряд ташувчиларни экстракциялаш (суғуриб олиш) вазифасини бажаради.
Транзисторнинг базаси п ёки р ўтказувчанликка эга бўлиши мумкин. Шунга кўра четки қисмлари р ёки п ўтказувчанликка эга бўлади. Демак, транзистор р-п-р ёки п-р-п структурали бўлади. Тарнзисторда иккита р-п ўтиш мавжуд. Буни ҳисобга олган ҳолда транзисторни кетма- кет уланган иккита боғланган диод сифатида қараш мумкин (6-расм б). Унинг четки учларига (эвиттер- коллекторга ) кучланиш уланганда р-п ўтишларнинг бири тўғри ўтиш бўлса, иккинчисида тескари бўлганлигидан хар иккала йўналишда ҳам системадан ток ўтмайди.
Кириш диодига тўғри, чиқиш диодига эса тўғри кучланишга нисбатан бир неча марта катта бўлган тескари кучланиш берилади. Бунда тўғри кучланиш жуда кичик бўлса ҳам эмиттердан базага киритилаётган заряд ташувчиларнинг сони анча кўп бўлади. Баъзан киритилган заряд ташувчиларнинг кўпгина қисми диффузия натижасида коллекторга ўтади, қолган қисми эса базадаги заряд ташувчилар билан қўшилиб ўз зарядларини йўқотади. Коллекторга ўтиб олган заряд ташувчилар унинг ўтказувчанлигини ва кучли электр майдони таъсирида колектор занжиридаги токнинг қийматини анча оширади. Шунга кўра коллектордаги ток эмиттер токига пропорционал равишда ўзгариб, қиймат жиҳатдан унга тахминан тенг бўлади. Транзисторларнинг асосий кўрсаткичларидан бири ток кучайтириш коэффициенти бўлиб, қуйидагича ифодаланади: 6- расм.
бу ерда -транзисторларнинг ток кучайтириш коэффициенти,
- коллектор токларининг ўзгариши,
- эмиттор токларининг ўзгариши
- коллектордаги кучланиш
Транзисторларнинг ток кучайтириш коэффициенти га тенг бўлиши мумкин. Транзисторнинг кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти - муҳим катталик бўлиб қуйидагича аниқланади:
Транзисторлар уч ҳил уланади: умумий база (УБ) бўйича улаш, умумий коллектор (УК) бўйича улаш, умумий эмиттер (УЭ) бўйича улаш.Транзисторларни УЭ бўйича уланганда қувват бўйича энг катта кучайтириш коэффициенти олинади. Шу сабабли амалда умумий эмиттер схемалар қўлланилади. Ҳозирги вақтда транзисторлар турли асбобларда кўп ишлатилади. Дастлаб электрон лампаларда ишлайдиган турли мураккаб аппаратлар эндиликда эса транзисторларда ишламоқда.
Do'stlaringiz bilan baham: |