Ўзбекистон республикаси олий ва ўрта махсус таълим вазирлиги андижон машинасозлик институти

12.2. Канали қурилган МДЯ - транзисторлар

5.7 –расмда n – турдаги канали қурилган МДЯ транзистор тузилмаси (а) ва унинг шартли белгиси (б) келтирилган.

Агар U_ЗИ = 0 бўлганда U_СИ кучланиш ўрнатилса, у ҳолда канал орқали электронлар ҳисобига ток оқиб ўтади. Затворга истокка нисбатан манфий кучланиш берилса, каналда кўндаланг электр майдон юзага келади ва унинг таъсирида каналдан электронлар итариб чиқариладилар. Канал электронлар билан камбағаллашиб боради, унинг қаршилиги ортади ва сток токи камаяди. Затвордаги манфий кулчланиш қанча катта бўлса, бу ток шунча кичик бўлади. Транзисторнинг бундай режими кабағаллашиш режими деб аталади.
Агар затворга мусбат кучланиш таъсир эттирилса, ҳосил бўлган электр майдони таъсирида, исток ва сток, ҳамда кристаллдан каналга электронлар кела бошлайдилар, каналнинг ўтказувчанлиги ва шу билан бирга сток токи ортиб боради. Бу режим бойиш режими деб аталади.
Кўриб ўтилган жараёнлар 5.8 а – расмда келтирилган статик сток – затвор характеристикада: U_СИ=const бўлгандаги I_С= f (U_ЗИ) билан ифода-ланган.
0 бўлганда транзистор бойиш режимида, 0 бўлганда эса камбағаллашиш режимида ишлайди.

а) б)
5.7 – расм.

Бойиш режимида сток характеристикалари U_ЗИ = 0 да олинган бошланғич характеристикадан - юқорида, камбағаллашиш режимида эса – пастда жойлашади (5.8 б- расм).

а) б)
5.8 – расм.
S, Ri ва статик дифференциал параметрлар худди р–n –ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардаги (5.4), (5.5) ва (5.6) ифодалардан мос равишда аниқланади.
Характеристика тиклиги ва ички қаршилик барча турдаги майдоний транзисторлардаги каби қийматларга эга бўлади. Кириш қаршилиги ва электродлараро сиғимларга келсак, МДЯ – транзисторлар р-n ўтиш билан бошқариладиган майдоний транзисторлардагига нисбатан яхши кўрсаткичларга эга. R_ЗИ кириш қаршилиги бир неча даражага юқори бўлиб 10¹²-10¹⁵ Ом ни ташкил этади. Электродлараро сиғимлар қиймати С_ЗИ, С_СИ лар учун -10 пФ дан, С_ЗС учун -2 пФ дан ортмайди. Бу кўрсаткичлар транзистор инерциясини белгилайдилар.