Ўзбекистон республикаси ахборот технологиялари ва коммуникацияларини

Тензорезисторы из n-GaSb. Коэффициент тензочувствительности при 
300
0
К для образцов с 
0

=0,004 ом

см составляет – 124 (при растяжении) и – 
153 (при сжатии), а также (-113)

(-116) для образцов с
0

=0,004

0,0012 ом

см (при сжатии). 

---

136 
Таким 
образцом, 
по 
коэффициенту 
тензочувствительности 
тензорезисторы из n-GaSb не уступает кремниевым тензорезисторам. Что же 
касается зависимости S от Т в n-GaSb, проявляющаяся в наличии температуры 
Т ниже и выше которой значение 

коэффициент пьезосопротивления 
монотонно уменьшается, позволяет предположить, что из n-GaSb удается 
изготовить тензорезисторы с небольшим температурным коэффициентом 
тензочувствительности (ТКЧ) в области температур, примыкающей к Т
max
. 
Другим примером использования отмеченной особенности зависимости 

от Т является предлагаемый нами путь решения задачи активной 
термокомпенсации S кремниевых тензорезисторов: рост 
S
кремниевого 
тензорезистора, происходящий по мере понижения температуры, 
компенсировать уменьшением 
S
 тензорезисторов из n-GaSb. Очевидно, что 
такая компенсация может иметь место только при Т

Т
m
. 
Итак, отмеченные предположительные особенности тензорезисторов из 
антимонида галлия убеждают в том, что такие тензорезисторы представляют 
определенный интерес с точки зрения полупроводниковой тензометрии и 
говорят о целесообразности подробного изучения их основных 
тензометрических характеристик. 
К числу характеристик относятся:  
1. зависимость относительного изменения сопротивления наклеенных и 
не наклеенных тензорезисторов от деформации; 
2. зависимость сопротивления тензорезистора от температуры; 
3. зависимость коэффициента тензочувствительности от температуры; 
4. вольтамперная характеристика тензорезистора; 
5. влияние клеевого шва на коэффициент тензочувствительности; 
6. максимально допустимая деформация в наклеенном и не наклеенном 
состояниях; 
7. стабильность харатеристик во времени. 
Целью данной работы и является разработка технологии изготовления 
тензорезисторов из антимонида галлия, изучение основных тензометрических 
характеристик 
таких 
тензорезисторов, 
выяснение 
пригодности 
тензорезисторов из GaSb для осуществления активной термокомпенсации 
коэффициента тензочувствительности кремниевых тензорезисторов. 
Литературы: 
1. 
Ю.В.Илисавский. Полупроводниковых тензометры. Вып.6.Л.1963. 

---

137