Ўзбекистон республикаси ахборот технологиялари ва коммуникацияларини

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕНЗОДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ 
ПОЛИКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ 
К. Акбаров 
Ферганский филиал Ташкентского университета информационных 
технологий имени Мухаммада ал-Хорезми 
Из литература известно (1), что из всех изученных к настоящему времени 
полупроводников наибольшим тензоэффектом обладают соединения InSb, 
GaSb, CdS и др. С целью использования в качестве чувствительных элементов 
тензодатчиков нами были исследованы поликристаллические образцы 
антимонида галлия. Результаты эксперимента показали, что наибольшей 
тензочувствитульностью 
(50

70) 
и 
лучшими 
температурными 
характеристиками обладают образцы антимонида галлия с электронной и 
дырочной проводимостью. 
Тензорезисторы из p-GaSb. Коэффициент тензочувствительности при 
300
0
К, определенный экспериментально составляет 63

67 для удельным 
сопротивлением 
0

=0,05

0,06 
ом

см, тензочувствительности S от 
температуры напоминает аналогичную зависимость для кремниевых 
тензорезисторов. Таким образом тензорезисторы из p-GaSb ни по 
температурной зависимости S, ни тем более по величине коэффициента 
тензочувствительности не имеют преимуществ перед кремниевыми 
тензорезисторами. Одинако, тензорезисторы из Si присущ такой 
существенный недостаток, как зависимость S от относительной деформации 

. Что же касается зависимости S от 

тензорезисторов из p-GaSb, то о ней 
нет достаточных литературных данных, позволяющих провести сравнение по 
этому свойству с кремниевыми тензорезисторами. Поэтому целесообразно 
выполнить измерение зависимости S от 

, и если p-GaSb будут иметь 
преимущества перед кремниевыми, то перейти к более полному изучению их 
тензометрических характеристик.