Bog'liq ‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X.
tushuntiring. 9. Nurlanuvchi diodlar ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikalarini tushuntiring. 11.0 ‘YCH yarimo ‘tkazgich asboblaming asosiy turlarini aytib bering. 12. Tunnel diodi VAXining та ’lum sohalarida tok hosil bo ‘lish mexanizmini tushuntirib bering. 13. 0 ‘girilgan diod deganda nimani tushunasiz? Uning nomini qanday tushuntirish mumkin ? 14. KUD manfiy differensial qarshilikka ega asboblardan nima bilan farq qiladi? 15. Gann diodi uchun ishlatiladigan yarimo ‘tkazgich material qanday xususiyatlarga ega bo‘lishi kerak?www.ziyouz.com
kutubxonasi
IV B O B . B IP O L Y A R T R A N Z IS T O R L A R
4.1. Umumiy ma’lumotlar Bipolyar tranzistor (ВТ) deb o‘zaro ta’sirlashuvchi ikkita p-n o‘tishdan tashkil topgan va signallarni tok, kuchlanish yoki quwat
bo'yicha kuchaytiruvchi uch elektrodli yarimo'tkazgich asbobga aytiladi.
BTda tok hosil bo'lishida ikki xil (bipolyar) zaryad tashuvchilar —
elektronlar va kovaklar ishtirok etadi.
ВТ p— va n— o‘tkazuvchanlik turi takrorlanuvchi uchta (emitter,
baza va kollektor) yarimo'tkazgich sohaga ega (4.1, a yoki b-rasmlar).
a)
b)
E e o ' B ко' К n n T в к p f 1 n 4.1-rasm. p-n-p (a) va n-p-n (b) turli ВТ lar tuzilmasi va ularning
sxemada shartli belgilanishi.
Yarimo'tkazgich sohalarni belgilashda asosiy zaryad tashuvchilar
konsentratsiyasi yuqori bo'lgan soha p+yok\n+ belgisi qo'yilishi bilan
boshqa sohalardan farqlanishi qabul qilingan.
Tranzistorning sohalari ichida eng yuqori konsentratsiyaga ega bo'lgan
chekka soha (n+ — soha) n+-p-n yoki (p+— soha) p+-n-p turli
tranzistorlarda emitter (E) deb ataladi. Emitteming vazifasi tranzistorning
baza (B) sohasi deb ataluvchi o'rta (p - yoki n— turli) sohasiga zaryad
tashuvchilami injeksiyalashdan iborat. Tranzistor tuzilmasining boshqawww.ziyouz.com
kutubxonasi
chekkasida joylashgan n — soha (n+-p-n) yoki p — soha (p+-n-p) kollektor (К) deb ataladi. Uning vazifasi baza sohasidagi noasosiy zaryad
tashuvchilarni ekstraksiyalashdan iborat. Emitter bilan baza orasidagi
p — n o‘tish emitter o'tish (EO'), kollektor bilan baza orasidagi p — n o‘tish esa kollektor o'tish (KO‘) deb ataladi.
Baza sohasi emitter va kollektor o‘tishlarning o‘zaro ta’sirlashuvini
ta’minlashi kerakligi sababli, BTning baza sohasi kengligi La bazadagi
noasosiy zaryad tashuvchilar diffuziya uzunligidan kichik (p+-n-p BT
uchun LB« L n , n+-p-n BT uchun LB« L r) bo‘lmog‘i shart. Aks
holda emitterdan bazaga injeksiyalangan asosiy zaryad tashuvchilar
KO‘gacha yetib bormaydilar va BT samaradorligi pasayadi. Odatda,
baza sohasi kengligi LB~ 0,01-H mkm ni tashkil etadi.
Tuzilish xususiyatlariga va tayyorlash texnologiyasiga ko‘ra BTlar
eritib tayyorlangan, planar va planar-epitaksial tranzistorlarga
ajratiladi. Qotishmali tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar
taqsimlanishi bir jinsli (tekis) bo‘lganligi sababli, unda elektr maydon
hosil bo'lmaydi. Shuning uchun EZNlar bazadan kollektorga diffuziya
hisobiga ko‘chadilar.
Planar va planar-epitaksial tranzistorlarning baza sohasida kiritmalar
konsentratsiyasi taqsimoti bir jinsli emas (notekis) bo‘lib, u kollektorga
siljigan sari kamayib boradi. Bunday BTlar dreyfli tranzistorlar deb
ataladi. Kiritmalar konsentratsiyasi gradiyenti ichki elektr maydon
hosil bo‘lishiga olib keladi va EZNlar bazadan kollektorga dreyf va
diffuziya jarayonlari hisobiga ko‘chadilar. Demak, dreyfli BTlaming
tezkorligi yuqori bo'ladi.
BTlar asosan chastotalarning keng diapazonida (0-M0 GGs) va
quvvat bo‘yicha (0,01^-100 Vt) elektr signallami o'zgartuvchi, generator
va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi.
BTlar chastota bo‘yicha: past chastotali — 3 MGs gacha; o‘rta
chastotali 0,3-^30 MGs; yuqori chastotali 30-^300 MGs; o‘ta yuqori
chastotali — 300 MGs dan yuqori guruhlarga boiinadi.
Quvvat bo'yicha — kam quwatli — 0,3 Vt gacha; o‘rta quwatli —
0,3 -r- 1,5 Vt; katta quwatli - 1,5 Vt dan yuqori guruhlarga ajratiladi.
Nanosekund diapazonida katta quwatli impulslarni hosil qilishga
mo‘ljallangan ko'chkili tranzistorlar BTlaming yana bir turini tashkil etadi.
Tuzilishi bo‘yicha BTlar ko'p emitterli (KET), ko'p kollektorli (KKT) va tarkibiy (Darlington va Shiklai) tranzistorlari boMadi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
ВТ kirishiga berilgan signal quwat bo'yicha kuchaytiriladi. Buning
uchun uni o'zgartirilad ig an signal zanjiriga Uc (kirish yoki
boshqaruvchi) hamda kuchaytirilgan RVu (chiqish yoki boshqariluvchi)
signal zanjiriga ulanadi.
BTning beshta asosiy ish rejimi mavjud.
Agar tashqi kuchlanish manbalari (UEB, UKB) yordamida EO' to'g'ri
yo'nalishda, КО' esa teskari yo'nalishda siljitilsa, u holda ВТ aktiv (normal) rejimda ishlaydi. Bu rejim analog sxemotexnikada keng qo'llaniladi.
Agar EO' teskari yo'nalishda, КО' esa to'g'ri yo'nalishda siljitilgan
bo'lsa, ВТ invers (teskari) rejimda ishlaydi.
Agar emitter va kollektor o'tishlar to'g'ri siljitilgan bo'lsa, ВТ
to'yinish, teskari siljitilgan bo'lsa — berk rejimda ishlaydi. Bu rejimlar
raqamli sxemotexnikada keng qo'llaniladi. EO' to'g'ri siljitilganda
KO'da EYK hosil bo'lsa, ВТ injeksiya — voltaik rejimda ishlaydi.
BTning yana bir rejimi bo'lib, u teskari siljitilgan KO'ga yuqori
kuchlanishlar yoki temperatura ta’sir etganda yuzaga keladi. Bu rejim
teshilish rejimi deb ataladi. Ko'chkili tranzistorlar elektr teshilish
hisobiga ishlaydi.
