Bog'liq ‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X.
N elementlar orasidagi masofaga, yozuvchi impuls davomiyligiga bogiiq
bo‘ladi va N = 200 ga yetishi mumkin. Har bir elektrod kengligi 10-H2
mkm ni, ular orasidagi masofa esa 2h-4 mkm ni tashkil etishi mumkin.
13.17-rasm. ZAA turkumidagi uch fazali siljituvchi
registrtizimida zaryad ko'chishi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
M DY — tuzilm adagi fizik jarayonlar 11.6-paragrafda ko ‘rib
chiqilgan edi. Barcha elektrodlarga bo‘sag‘aviy kuchlanish Ug berilganda
dielektrik bilan yarim o‘tkazgich orasida kambag‘allashgan soha hosil
bo‘ladi, bu soha potensial chuqur deb ataladi. Alohida elektroddagi
kuchlanish qiym ati axborotni saqlash kuchlanishi USAQ > U() gacha
o ‘zgartirilganda, ushbu elektrod ostidagi kam bag‘allashgan soha
yarimo'tkazgichning boshqa yuzalariga qaraganda “chuqurroq” bo‘ladi.
Potensial chuqurda elektronlarni (paketini) to ‘plash mumkin. Demak,
M DY - tuzilm a m a’lum vaqtgacha potensial chuqurdagi zaryadga
mos axborotni eslab qoluvchi element sifatida xizmat qilishi mumkin.
Elektron paket dinamik bir jinslikmaslikni tashkil etadi. Elektron paketni
saqlash jarayonida m a’lum elektrod (zatvor) ostida termogeneratsiya
hisobiga qo‘shim cha elektronlar hosil bo‘lishi mumkin. Agar zaryad
o‘zgarishining ruxsat etilgan qiymati 1 % ni tashkil etsa, axborotni
saqlash vaqti esa bir necha sekunddan oshmaydi. Shuning uchun
ZAA dinamik turdagi asbobdir. Birlamchi to ‘plangan va m a’lum aniq
potensial chuqur bilan bog'liq zaryadlar, yarim o‘tkazgich sirti bo‘ylab
potensial chuqur siljitilgan holda ko‘chirilishi mumkin. Buning uchun
zatvorlardagi kuchlanishlar aniq ketma-ketlikda o'zgartirilishi mumkin.
Zaryadni m a’lum yo‘nalishda ko‘chirish uchun har bir elektrod
uch fazali boshqarish tizimining Fp F„ F? takt shinalaridan biriga
ulanadi. Dem ak, ZAAning bir elementi uchta M DY — tuzilmali
yacheykadan iborat bo‘ladi. Agar ZAA qo‘shni elektrodlariga berilgan
kuchlanishlar qiymat jihatdan bir-biridan farq qilsa, qo‘shni potensial
chuqurlar orasida elektr m aydon hosil b o ‘ladi. U shbu m aydon
yo‘nalishi shundayki, elektronlar kattaroq potensialga ega sohaga dreyf
harakat qiladi, y a’ni “ sayozroq” potensial ch u q u rd an nisbatan
“chuqurroq”qa ko‘chadi.
Agar zaryad birinchi elektrod ostida to ‘plangan b o ‘lsa-yu, uni
ikkinchi elektrod ostiga siljitish zarur bo‘lsa, unga kattaroq kuchlanish
beriladi, bunda zaryad yuqoriroq kuchlanishli elektrod ostiga ko‘chadi.
Keyingi taktda yuqoriroq kuchlanish navbatdagi elektrodga beriladi
va zaryad unga ko‘chadi. Zaryad ko‘chirishning uch taktli tizimida
1,4,7,10 va shunga o ‘xshash elektrodlar Ft shinaga, 2,5,8,11 elektrodlar
F2 shinaga, 3,6,9,12 va shunga o‘xshash elektrodlar esa 7 , shinaga
ulanadi.
Z ary ad larn in g elek tro d lararo sirkulatsiyasi b a rc h a ZA A larwww.ziyouz.com
kutubxonasi
qo‘llanishlarning asosi hisoblanadi. Zaryadlarni ko'chirish imkoniyati
ZAAlar asosida siljituvchi registrlar va xotira qurilm alar yaratish
imkonini beradi. Registr deb ikkilik kod asosida berilgan ko‘p razryadli
axborotni yozish, saqlash yoki siljitish uchun qo‘llaniladigan qurilmaga
aytiladi.
Signalning zaryad paketlarini bir necha usullar bilan, masalan,
p - n o'tishdan zaryad tashuvchilarni m etall elektrodlar ostiga
injeksiyalash, MDY — turdagi tuzilmada yuza bo‘ylab ko‘chkisimon
teshilish yoki metall elektrodlar orasidagi aniq joylar orqali yorugMik
kiritib elektron-kovak juftliklarni generatsiyalash bilan hosil qilish
mumkin.
Nom uvozanat zaryad hosil qilish va uni p — n+ o ‘tishlardan
foydalangan holda ZAAdan chiqarish usuli 13.17-rasmda ko'rsatilgan.
Elektronlar paketini birinchi zatvor ostiga kiritish uchun n+— p o ‘tishga to ‘g‘ri siljitish beriladi. Paket zaryadi qiymati kirish signali
amplitudasi ortishi bilan p — n o‘tish VAXiga muvofiq eksponensial
qonun bilan ortadi va uning uzluksizligiga bog‘liq bo‘ladi. Signal
kiritishning ushbu usuli afzalligi — bir necha nanosekundni tashkil
etuvchi tezkor ishlashidan iborat. Chiqishdagi n+— p o ‘tishga teskari
siljitish berilgani uchun 11 zatvordan 12 zatvorga o ‘tuvchi elektronlar
elektr maydon ta’siriga uchraydi va chiqish zanjirida tok impulsi hosil
qiladi.
ZAAning ikkita: axborot zaryadini saqlash va uzatish rejimlari
mavjud. Ushbu turdagi ZAAlar uchun axborotni saqlashning maksimal
vaqti 100 msek-ИО sek ni tashkil etadi. Takomillashgan (yashirin kanalli
va ikki fazali boshqaruvga ega ZAAlarda hamda kremniy oksidiga
purkalgan kremniy nitridi Si3N4 li dielektrik qatlamli M NOYa —
tuzilmalarda) yozib olingan axborotni saqlash vaqti bir necha o ‘n
ming soatlarni tashkil etadi. ZAAlarda yaratilgan xotira qurilmalar
raqamli texnikada qo‘llaniladi va katta (8ч-16 Kbit) sig‘imga ega.
