‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Те
(tellur
iminbai)
I—(7Г)—1
(jiztlirgich spirali
n asos tutgichi
I ,,А,и. _ з InP asos
\ x
dustudagi atomlar
harakati vo'nalislti
me.xauik
zatvorlar
/ > ч
P
( fosfor
m anbai)
(guilty ( imUy (mirgtnmisli
manbui) >
manbai)
13.4-rasm. InP asosda InP, GalnAs, GalnAsP birikmalar o‘stirish
uchun molekular — nurli epitaksiya qurilmasi tuzilishi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
R asm da InP va G aln A sP b irik m a larin i va G a ln A s P /In P
geteroo‘tishlarni hosil qilish uchun zarurasosiy elem entlar keltirilgan.
Birikmalarni hosil qilish jarayoni o ‘ta yuqori vakuum 10-6-H 0 -8 Pa
sharoitida amalga oshiriladi. Bunda asos tem peraturasi (40CH-800)0C
ni tashkil etadi. Hosil qilinayotgan epitaksial qatlam tarkibi qizdirgichlar
te m p e ra tu ra sin i o ‘zg artirib b o sh q a rila d i. Q a tla m la r o ‘stirish
jarayonining inersiyasiz boshqarilishi qizdirgich bilan asos orasida
joylashgan to ‘sqichlar yordamida amalga oshiriladi.
M N Eda jarayon past tem peraturalarda amalga oshiriladi. Bu
asosdan kiritmalar diffuziyalanishini va avtolegirlashni kamaytiradi,
sifatli yupqa epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi. Legirlash
(metallaoorganik birikmalardan epitaksiya qilishdan farqli ravishda)
jarayoni inersiyasiz amalga oshgani m unosabati bilan m urakkab
taqsimlanishiga ega legirlashni amalga oshirish mumkin. M N Eda
epitaksial qatlamning o ‘sish tezligi taxm inan 1 m onoqatlam /s yoki
lm k m /so atn i tashkil etadi. Bu esa o ‘z navbatida qalinligi atom
qatlam ni tashkil etuvchi kristall qatlamlarni ishonchli ravishda olish
imkonini yaratadi. M NEda epitaksial qatlam param etrlarini bevosita
o ‘stirish jarayonida o ‘lchash mumkin. Buning uchun M N E qurilmasi
tarkibida qaytgan elektronlar difraksiyasini tahlil qiluvchi qurilma,
mass — spektrometr, sochilgan ionlar oje — spektrlarini tekshirish
imkonini beruvchi oje — spektrom etr mavjud.