‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

1°kir, rnA
1,6
2,3 0,15
2 1
i'KIR, mA
0,04 0,07 0,01 0,05
0,05
If'cm o, V
0,4
0,35
0,3
0,5
0,5
U 'cw o, V
2,4 2,4
2,4
2,7
2,7
K tarm
10 10 10 10 10
K rirl
8 8 2
4 2
tkech.o'rh
20
10
70
5
20
P/ST, m V t
22 44 5 19 3,7
f c H E G , M Gts
10 30 3 50
10
TTM elementlari potensial elem entlar qatoriga kiradi: ular asosida
kompyuter sxemalarini tuzishda ular o ‘zaro galvanik bog‘lanadilar,
ya’ni kondensator va transformatorlarsiz. Mantiqiy 1 va mantiqiy 0
asim ptotik qiym atlari U^-2,4 V; 0,4 V, UQU= UJ — U° = 2 V
kuchlanishlar bilan ifodalanadi. Yuqorida ko‘rib o ‘tilgan seriyalar
funksional va texnik to ‘liqlikka ega, ya’ni turli arifmetik va mantiqiy
amallami, xotirada saqlash, yordamchi va maxsus funksiyalami bajaradi.
Asosiy TTM turi bo'lib mantiqiy ko‘paytirish inkori bilan ya’ni,
HAM-EMAS amalini bajaradigan ShefTer elementi hisoblanadi. ShefTer
elementining shartli belgilanishi 12.5-rasmda ko‘rsatilgan. Bu yerda
XI, X2 — kirishlar, Y — chiqish. M inimal kirishlar soni nolga teng.
Ikki kirishli ShefTer elementining ishlashi haqiqiylikjadvalida keltirilgan
(12.2-jadval).
XI
о -----
A 2
О-----www.ziyouz.com
kutubxonasi
12.2-jadval
Ikki kirishli Sheffer elementining haqiqiylik jadvali
X/
X?
у = X /' X i
0 0
0
0 1
0
1
0
0
1 1
1
12.3. Emitterlari bog‘Iangan mantiq elementlar
Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM ) elem entning yaratilishiga
raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bo‘lgan. EBM
elem entda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bo'ladi
va bazada qo‘shim cha noasosiy zaryad tashuvchilar to ‘planayotganda
BT to'yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga
o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, TTM element
tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kam aytirish
maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi
tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.
EBM shunday sxematexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning
to ‘yinm agan rejim i yuklam a va parazit sig‘im larning tez qayta
zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini
beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti m inim um ga keladi.
Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar
yuqori tezkorlikka ega.
EBM elem ent asosini tok qayta ulagichi tashkil etadi (12.6-rasm).
U DK kabi ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan b o ‘lib, ularning
har biri tranzistor va rezistordan iborat. U m um iy em itter zanjirida
BTG Ig ishlaydi.
DKdan farqli ravishda kirishlardan biri (VT2) tayanch deb ataluvchi
doimiy kuchlanish manbayi U0 ga ulangan. Tok /^qiymati tranzistorning
aktiv ish rejimiga mos keladi va EBM negiz elem entlarida l0 = 0,5+2
mA. B TG m avjudligi tufayli baza p o te n sia lla rin in g ixtiyoriy
qiymatlarida em itter o ‘tishlarda avtomatik ravishdawww.ziyouz.com
kutubxonasi
shart o‘rnatiladi.
12.6-rasm. Tok qayta ulagichi.
Aktiv rejimda em itter tokining baza — em itter kuchlanishiga
bogMiqligi kirishdagi VT1 tranzistor uchun quyidagi ifoda bilan
approksimatsiyalanadi
ZE, = I m / " ~ - U- Vr’ , (12,3)
VT2 tranzistor uchun esa