‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

Yuklama qobiliyati yoki K TARM koeffitsienti VT3 tranzistorning
maksimal kollektor tokidan kelib chiqqan holda aniqlanadi. Bu vaqtda
К = /
/ T°
TARM Km
ax kir
deb yozish mumkin. Bu yerda I°kjr — IMS m a’lum otnom asidan
olinadigan param etr. IKmax = E J R 4 = 30 mA b o ‘lgani sababli,
I°kir = 1,35 mA bo‘lganda КТАШ = 22.
Xulosa qilib shuni aytish m um kin-ki, 12.3-rasmda kirish zanjirida
punktir bilan tasvirlangan diodlar aks-sadoga qarshi diodlar deb ataladi
va muvoflqlashmagan Iiniya oxirlaridan qaytgan manfiy signallar
(xalaqitlar) amplitudasini cheklash uchun qo‘llaniladi. Bu signallar
ikkita p-n o ‘tish (diodning p-n o ‘tishi va KET em itter o ‘tishi) oralig‘ida
bo‘linib, MEni yolg‘on qayta ulanishdan saqlaydi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
H o z irg i v a q td a TTM negiz e le m e n tla rin in g k o ‘p so n li
modifikatsiyalari yaratilgan. Har bir modifikatsiya param etrlari yoki
qo‘shim cha imkoniyatlari bilan ajralib turadi.
M asalan, chiqish kaskadida tok b o ‘yicha katta kuchaytirish
koeffitsientiga ega bo‘lgan tarkibiy tranzistorlar q o ‘llanishi yuklama
qobiliyatini oshiradi (12.4, a-rasm ). Sxem aning ishlash prinsipi
o ‘zgarmaydi. Tarkibiy tranzistor (VT4 va VT2 tranzistorlar) VT3
invertorning dinam ik yuklamasini hosil qiladi. M asalaning bunday
yechilishi barcha rezistorlar nominallarini ikki barobar kichraytirishga
va bu bilan tezkorlik va yuklama qobiliyatini oshirishga im kon beradi.
A va В nuqtalar oralig‘ida ikkita ketma-ket ulangan tranzistorlarning
p-n o ‘tishlarining mavjudligi esa VD diod bo‘lishini talab qilmaydi.
Shottki diodi va tranzistorlarini qo‘llash yordam ida (12.4, b-rasm)
TTM elem entining tezkorligi oshirilgan (TTM SH ). U lar tranzistor
bazasida ortiqcha zaryadlarni chiqarib yuborish vaqtini sezilarli
kamaytirish yoki um um an yo‘qotishga imkon beradilar. Natijada impuls
kamayib borish vaqtidagi kechikish kamayadi. Lekin tezkorlik ortishi
bilan TTM SH statik parametrlari yomonlashadi. Xususan, bo‘sag‘aviy
kuchlanish qiymati kamayadi va U°CHIQ ortadi, bu esa o ‘z navbatida
oddiy sxemalarga nisbatan xalaqitbardoshlikni pasaytiradi. TTM SH
KISlarning negiz elem enti hisoblanadi.
Ikki yo‘nalishli axborot shinalari yoki m agistral qurilm alar
yaratishda, bir necha sxema chiqishlarini birlashtirish talab qilinadi.
Agar elem entlar ulanayotganda, ulardan birining chiqishida past U°CHIQ
sath, ikkinchisida esa yuqori U'CHIQ sath bo‘lsa, u holda ketm a-ket
u lan g an VT2 va VT3 tra n z is to rla rd a n b irid a n siz ilish toki
/ fts ( EM - IT) /R 4 oqib o ‘tadi. Bu tok statik rejimdagi m anba tokidan
ancha katta. Bu vaqtda iste’mol qilinayotgan quw at keskin ortadi va
sxema ishdan chiqishi mumkin, chunki VT2, VT3 tranzistorlar va VD
diod uzoq m uddat katta tok oqib o'tishiga m o‘ljallanmagan. Bu holat
yuzaga kelmasligi uchun chiqishi uchta holatga ega bo‘lgan: ikki ho
lat — bu oddiy UCHIQ = Unva UCHIQ= U' sathlar, uchinchisi esa—
elem ent yuklam adan butkul uziladigan “cheksiz k a tta ” chiqish
qarshiligi holatini ta ’minlaydi, ya’ni tok iste’mol qilm aydigan va
uzatmaydigan TTM elem entlar yaratilgan.www.ziyouz.com
kutubxonasi
а)
b)
d) e)