‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

to‘yinish toki IKT0.y, kuchlanish esa — to'yinish kuchlanishi UKET0.y yoki
qoldiq kuchlanish и т: тог = UQOl = EM - I K m.yRh- deb ataladi. M a’lumki,
I К TO')' ~ f i t H TO Y »
bu yerda: /? = h2]L ~ baza tokining integral uzatish koeffitsienti.
Taxminan IL,,.n.v
« EKt / Rv deb olish mumkin. U holda
A A U I M S
I b, 0.y * E m / / 3Rk.
Baza toki / fi 7.0Tqiymatidan ortishi mumkin. Baza tokining bunday
ortishini to‘yinish koeffitsienti deb atash qabul qilingan.
e
— T / I
TO'Y x И ' x И ТОГ '
5 ro,yning ortishi UCHIQ ni kamayishiga olib keladi, ya’ni ВТ chiqish
zanjirida sochilayotgan quw at kamayadi. Ammo 5 ^ . ning keragidan
ortiq ortishi ВТ kirish zanjirida sochilayotgan quw atning sezilarliwww.ziyouz.com
kutubxonasi
а)
b)
11.9-rasm. Tranzistorning statik xarakteristikalarida kalit ishchi
nuqtalarining joylashishi.
ortishiga olib keladi. Hisoblar ST0.Y = 1,5...2,0 qiym atlar optimal
bo'lishini ko‘rsatdi.
K o‘rib o ‘tilgan sodda kalit sxemasida ВТ ish rejimi bilan bog'liq
b o ‘lgan k atta inersiyalikka ega. T ra n zisto r t o ‘y in ish rejim iga
o ‘tayotganda bazada ko‘p sonli noasosiy zaryad tashuvchilarning
to ‘planishi uchun vaqt talab qilinadi. Tranzistor to'yinish rejimidan
berk rejimga o ‘tayotganda esa bu zaryad tashuvchilarning to'planishi
va, ayniqsa, ularning bazadan chiqarib yuborilishi tabiatan juda sekin
kechadigan jarayon.
Berilgan / B7-0Tqiymatida noasosiy zaryad tashuvchilarni bazadan
chiqarib yuborish vaqtini kamaytirish maqsadida nochiziqli TAli kalit
q o ‘llaniladi. U nda tran zisto r aktiv rejim bilan to ‘yinish rejim i
chegarasida ishlaydi (1 1.10-rasm).
BTning to‘g‘ri siljigan KO‘ni shuntlovchi Shottki diodi yordamida
nochiziqli TA amalga oshiriladi. Tranzistor berk bo‘lganda, kollektoming
potensiali bazaga nisbatan musbat bo‘ladi, demak diod teskari ulangan
bo'ladi va kalit ishiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Kalit ulanganda kollektor
potensiali bazaga nisbatan kamayadi, diod ochiladi va undan kirish tokining
bir qismi oqib o‘tadi, ya’ni tranzistorning baza toki Irto.yqiymatiga
tengligicha qoladi. Tranzistor aktiv rejim bilan to'yinish rejimi chegarasida
ishlaydi. Bazada zaryad tashuvchilar to‘planishi sodir bo lmaydi, natijadawww.ziyouz.com
kutubxonasi
11.10-rasm. Shottki diodi bilan shuntlangan BTli kalit sxemasi.
kalit ulanishidagi noasosiy zaryad tashuvchilami bazadan chiqarib yuborish
vaqti nolga teng bo‘ladi. Mos ravishda, kalit uzilishida ortiqcha
zaryadlami chiqarib yuborish bosqichi mavjud bo‘lmaydi.
Lekin, bu holat, ochiq dioddagi kuchlanish pasayishi ochiq KO‘dagi
kuchlanish pasayishidan kichik bo'lgandagina haqiqiydir. Shuning uchun
TA hosil qilish uchun Shottki diodi qo‘llaniladi. Shottki diodining
ochiq holatdagi kuchlanish pasayishi UDSH = 0,3 V ga teng bo‘lib,
ochiq kremniyli o ‘tishdagi kuchlanish pasayishi UKB = 0,7 V dan
kichikdir.
Bundan tashqari, to‘g‘ri kuchlanish UKB = 0,3 V ga teng bo‘lganda
tranzistor berk hisoblanganligi uchun, rezistor RB ga bo‘lgan talab
ham yo‘qoladi.
TA zanjirida yagona texnologik bosqichda hosil qilingan kremniyli
tranzistor va Shottki diodi kombinatsiyasi asosida yaratilgan Shottki