‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

3.16-rasm. Gann diodi tuzilmasi (a), unda elektr maydon
kuchlanganligi (b) va konsentratsiyaning (d) taqsimlanishi.
GD asosidagi generatoming sodda sxemasi 3.17-rasmda keltirilgan.
Rezonator Cf sig'imli, LE induktivlikli va /?£qarshilikli ekvivalent kontur
bilan almashtirilgan. Generator Ri; ning kichik qiymatlarida o‘z-o‘zini
a)
b)
•V
xwww.ziyouz.com
kutubxonasi
uyg'otadi va uchib o'tish rejimi amalga oshadi. Ushbu rejimda
yuklamadagi quvvat domen hosil qiladi, diodning qolgan qismi passivdir.
Shuning uchun diodning FIK bir necha foizdan oshmaydi.
о
vjt)
—о
3.17-rasm. Gann diodi asosidagi sodda generator sxemasi.
GD asosidagi generatorning ko'rib chiqilgan rejimi bir necha GGs
chamasidagi chastotalar uchun o'rinli bo'lib, tranzistorlar asosidagi
anchagina yuqori FIK ga ega bo'lgan generatorlar bilan raqobatlasha
olmaydi. 10 GGs dan yuqori chastotalarda GDlari hajmiy zaryad
to'planishini chegaralash (XZTCH) rejimida ishlatiladi. Diod RE
qarshiligi katta rezonatorga joylashtiriladi. Bunda statsionar domen
hosil bo'lm aydi va u diod anodiga yetguncha so'nib ketadi.
Generatsiyalanayotgan tebranishlar chastotasi rezonator chastotasi bilan
aniqlanadi. XZTCH rejimida 160 GGs ni tashkil etuvchi ishchi
chastotalarga erishiladi. GD asosidagi santimetrli diapazonda qayta
generatsiyalovchi kuchaytirgichlarning kuchaytirish koeffitsienti 6—
10 dB, chiqish quwati 1 Vt gacha va FIK 5 % gacha bo'ladi. Ularning
shovqin koeffitsienti maydonli tranzistorlar asosidagi kuchaytirgich
larning shovqin koeffitsientidan yuqori. Shuning uchun ular oraliq
kuchaytirgich kaskadlarda ishlatiladi.
3.7. Fotodiodlar
Bitta p-n o'tishga ega bo'lgan fotoelektr asbob fotodiod deb ataladi.
Fotodiod sxemaga tashqi elektr manba bilan (fotodiod rejimi) va
tashqi elektr manbasiz (fotovoltaik rejim) ulanishi mumkin. Tashqi
elektr manba shunday ulanadiki, bunda p-n o'tish teskari yo'nalishda
siljigan bo'lsin. Fotodiodga yorug'lik tushmaganda dioddan berilgan
kuchlanishga bog'liq bo'lmagan I0 ekstraksiya toki deb ataluvchi,www.ziyouz.com
kutubxonasi
juda kichik qiymatga ega “qorong'ulik” toki oqib o‘tadi. Diodning
n — baza sohasi taqiqlangan zona kengligidan katta h v energiyaga
ega bo‘lgan fotonlar bilan yoritilganda elektron-kovak juftliklar
generatsiyalanadi. Agar hosil bo‘lgan juftliklar bilan p-n o ‘tish orasidagi
masofa zaryad tashuvchilarning diffuziya uzunligidan kichik bo‘lsa,
g eneratsiy alan g an kovaklar p-n o ‘tish m aydoni yordam ida
ekstraksiyalanadi va teskari tok qiymati uning “qorong‘ulik’'dagi
qiymatiga nisbatan ortadi. Yorug‘lik oqimi F intensivligi ortishi bilan
diodning IF teskari toki qiymati ortib boradi. Y orugiik oqimining
turli qiym atlari uchun fotodiod VAXi 3.18-rasm da keltirilgan.
Yoritilganlikning keng chegarasida fototok bilan yorug‘lik oqimi
orasidagi bog‘lanish amalda chiziqli bo'ladi.
Proporsionallik koeffitsienti^, = dIF 18F bir necha mA/lm ni
tashkil etadi va fotodiodning sezgirligi deb ataladi. Fotodiodlar turli
o'lchash qurilmalarida hamda optik tol-ili aloqa liniyalarida yorug’lik
oqimini qabul qiluvchilar sifatida ishlatiladi.
Fotodiodning fotodiod rejimidan tashqari fotovoltaik rejimi keng
ishlatiladi. Ushbu rejimda fotodiod tashqi elektr manba ulanmagan
holda ishlatiladi va yorug'lik (quyosh) energiyasini bevosita elektr
energiyaga o'zgartirish uchun qo'llaniladi.