‘zbek ist0n respublikasi oliy va ‘rta maxsus ta’lim vazirligi X. K. Aripov, A. M. Abdullayev

D ielektrik bilan izolatsiyalash usuli (EPIC — texnologiya). Bu
texnologiya p —n o ‘tish bilan izolatsiyalanib tayyorlangan IM Slarga
nisbatan yaxshiroq xarakteristikalarga ega m ikrosxem alar yaratish
im konini beradi. X ususan, izolatsiyalash darajasi taxm inan 6 tartibga
ortadi, teshilish kuchlanishi kattalashadi, parazit sig‘im lar taxm inan 2
tartibga kam ayadi, radiatsiyaga chidam lilik ortadi, IM S tezkorligi
oshadi. U shbu texnologiya asosida kichik q u w atli va yuqori tezlikda
ishlaydigan raqamli IM Slar yaratish maqsadga muvofiq, chunki bunday
texnologik jaray o n narxi p lanar-epitaksial texnologiyaga nisbatan
yuqori.
kondensator diod tranzistor rezistorwww.ziyouz.com
kutubxonasi
Sodda IM S yaratish ketm a-ketligi 7.5-rasm da ko'rsatilgan.
0 ‘tk azu v ch an lig i n — turli asosga su rm a yoki m arg u m u sh 1-^2
m km ga d iffu ziy a q ilish y o 'li b ilan p la stin a n in g b u tu n yuzasi
b o 'y lab n+— o ‘tkazu v ch an lik k a ega y ash irin q atlam hosil q ilin ad i.
A sosni n + — q atlam to m o n d a n te rm ik o k sid la b , u n in g b u tu n
y u za sid a o k sid q a tlam hosil q ilin a d i. B irin c h i fo to lito g ra fiy a
y o rd a m id a u sh b u q a tla m d a iz o la ts iy a lo v c h i s o h a la r u c h u n
“ d a r c h a ” lar o c h ila d i (7.5, a -ra sm ), oksid b ilan h im o y alan g an
so h alar y em irilg an i u ch u n 8 -И 5 m km b o ‘lgan “c h u q u rc h a ” lar
h o sil q ilin a d i (7 .5 , b -ra s m ). S o ‘ng “ c h u q u r c h a ” la r y u z a la ri
oksidlanadi (7.5, d-rasm). Bundan keyin oksidlangan
“ c h u q u rc h a ” lar to m o n d a n asos sirtiga 0 ,2 —0,25 m m qalinlikdagi
p o lik ristall kremniy o ‘stiriladi. P olikristall k rem n iy k eyinchalik
b o ‘lg‘usi IM S asosi b o ‘lib xizm at q ilad i (7.5, e -rasm ).
Shundan so‘ng asosning qarshi tom oni oksid qatlam gacha shlifovka
qilinadi yoki yem iriladi (7.5, f-rasm ). Shunday qilib, bir-biridan SiO,
qatlam bilan izolatsiyalangan, n+ — o ‘tkazuvchanlikli yashirin qatlam ga
ega n — sohalar (cho‘ntakchalar) hosil qilinadi. Bu sohalarda oksidlash,
fotolitografiya va diffuziya usullari bilan m ikrosxem a elem entlari
yaratiladi. Baza sohalarini hosil qilishdan boshlab keyingi jarayonlar
planar-epitaksial texnologiya jarayonlariga o ‘xshash davom etadi.
ВТ asosidagi raqam li IM Slarning b a ’zi m antiq elem entlarida ko‘p
em itterli va ko‘p kollektorli tranzistorlar qoMlanadi.
K o‘p em itterli tranzistor (K ET)ning shartli belgilanishi va tuzilmasi
7.6-rasm da ko‘rsatilgan.
K ET bazalari va kollektorlari ulangan tranzistorlar m ajm ui bo‘lib,
undagi em itterlar soni 5-^-8 ta b o'lishi m um kin. K o ‘p kollektorli
tranzistorlar (K K T) — invers rejim da ishlayotgan K ETdir. Bunda
um um iy em itter b o ‘lib K ETning kollektori, kollektorlari b o ‘lib esa
em itterlarning « +— sohalari xizm at qiladi.www.ziyouz.com
kutubxonasi
а)