Законы сохранения в механике статика и гидродинамика механические колебания и волны основы термодинамики

прямым 
р­n
переходом.
При прямом 
р-n
переходе сопротивление полупроводника будет в несколько раз меньше, 
чем при обратном 
р-n
переходе. В полупроводнике из-за
р-n
перехода 
ток проходит только в одном направлении. Этим свойством пользуются в 
полупроводниковых приборах.
Полупроводниковый диод
Чтобы создать 
р-n
переход в полупроводниках, не достаточно 
механического соединения двух полупроводников, которые обладают 
р
- и 
n-
проводимостью, потому что в этом случае расстояние между ними будет 
большим. Толщина 
р
- и 
n
-переходов должна быть равной межатомным 
расстояниям, поэтому в поверхность германиевого монокристалла 
вводят (вплавляют) индий. Благодаря явлению диффузии, атомы индия 
внедряются в монокристаллы германия. В результате на поверхности 
кристалла германия образуется область с проводимостью 
р
-типа.
Область монокристалла германия, куда не вошли атомы индия, как 
и раньше обладает проводимостью 
n
-типа. В промежуточной области 
образуется 
р-n
переход (рис. 9.11
а
).

---

163
Полупроводниковый прибор, имею-
щий один 
р-n
переход, называется 
полупроводниковым диодом.
Для того чтобы уменьшить влия-
ние света, воздуха и внешних элек-
трических и магнитных полей на 
полупроводниковый диод, кристалл гер-
мания помещают в герметично закрытую 
металлическую оболочку.
Условное обозначение полупроводникового диода приводится на 
рис. 9.11
б
.
Понятие о транзисторе.
Полупроводниковая система, имеющая два 
р-n
перехода, называется 
транзистор.
С помощью транзистора создаются, управляются и 
усиливаются электрические колебания. Для изготовления транзистора 
германиевый кристал помещают в корпус, снабженный выводами. 
С двух сторон в поверхность кристалла, обладающего электронной 
проводимостью, вводят индий. Толщина германиевого кристалла берется 
очень маленькой (несколько микрометров). Этот слой называется основой 
или 
базой
транзистора (рис. 9.12
а
).
Рис. 9.13.
Эмиттер
p n p
Коллектор
База
B
1
J
k
B
2
R
Рис. 9.12.
Эмиттер
Коллектор
p
База
a
)
б
)
B
K
Е
p
n
Крайние зоны с двух сторон кристалла, 
обладающие дырочной про водимостью, 
называются