“Yupqa qatlamlar fizikasi va texnologiyaSI”

Kobolüt kremniy (CoSi₂)ni kremniy yuzasida epitaksial o’stirish.
Hozirgi paytda katta va o’ta katta integral sxemalar olishda metall bazali tranzistorlarning yangi turlarini yaratish alohida ahamiyatga ega. Ammo, kubik panjarali va parametri kremniynikiga yaqin bo’lgan metall plyonkalarini amalda hosil qilish mumkin emas. Shuning uchun ham xususiyatlari metallnikiga yaqin bo’lgan silitsidlarni (kremniyning biron bir metall bilan birikmasi) ishlatish maqsadga muvofiqdir. Bunday silitsidlar 2ta NiSi₂ va CoSi₂.
Ammo CoSi₂ panjara doimiysi kremniynikiga juda yaqin bo’lgani uchun metall bazali tranzistorlarda uni ishlatish ko’proq qulay bo’ladi. Shunday qilib, metall bazali tranzistorlarda Si - CoSi₂ - Si tizimi ishlatilishi mumkin. Si va CoSi₂ larning fizik parametrlari va kristallografik parametrlari quyidagicha:

Kristall plyonka	Panjara Turi	Panjara doimiysi, A^0		, mkOmsm
CoSi2 Si	Kubik Kubik	5,38 5,43		20-50 

CoSi₂ ni MEE va QFE usullari bilan olishni misol sifatida yuqoridagi paragraflarda ko’rib chiqqanmiz.

CoSi₂ plyonkasining fizik xususiyatlari plyonkaning qalinligiga kichik qalinliklarda bog’liq bo’ladi, chunki kichik qalinliklarda plyonkaning xususiyatlariga asosning ta’siri katta bo’ladi. Masalan, 24.1-rasmda solishtirma qarshilikning plyonka qalinligiga bog’liqligi keltirilgan. Demak, plyonka qalinligi 200-300 E bo’lganda unga asosning ta’siri deyarli sezilmaydi.

Plyonka mukammalligi (bir jinsliligi, silliqligi, kristall panjarada defektlarning kamligi...) o’stirish temperaturasiga juda bog’liq bo’ladi. 24.2-rasmda solishtirma qarshilikning temperaturaga bog’liqlik grafigi keltirilgan. Bu erda ilmiy tadqiqotlar ko’rsatdiki, solishtirma qarshilik minimum bo’lganida plyonka epitaksial va eng mukammal bo’lar ekan. 300-350 ⁰S gacha hosil qilingan plyonka amorf bo’ladi; 450-500 ⁰S larda polikristall bo’ladi; 500-600 ⁰S oralig’ida monokristall bo’ladi-yu, ammo orientatsiyasi bir xil bo’lmaydi (tekstura) va unda har xil defektlar ko’p bo’ladi; 600-700 ⁰S plyonka monokristall va defektlari eng kam holda bo’ladi; 700-750 ⁰S dan keyin asosdan kremniy atomlari plyonka tarkibiga kirib boradi va stexiometrik tartib buziladi, bu esa qarshilikning ortishiga olib keladi;




24.2-расм. МНЭ-усули билан ўстирилган CoSi₂/Si<100> плёнкаси солиштирма ќаршилигининг ќароратга боғлиšлиги

800-900 ⁰S va undan katta haroratlarda plyonkalar orolcha-orolcha bo’lib ajralib ketadi; keyingi qizdirishlar CoSi₂ ni ajralib ketishini va yuzadan uchib chiqishini vujudga keltiradi.