Yarimo'tkazgichli mikrosxemalarni ishlab chiqarish texnologiyasi

Yarimo'tkazgichli mikrosxemalarni ishlab chiqarish texnologiyasi.

Yarimo`tkazgichli mikrosxemalar.

Dielektrik, yarimo'tkazgich – metall.

Yarimo'tkazgichli mikrosxemalar.

• Yarimo'tkazgich texnologiyasining turiga qarab (lokalizatsiya va litografiya, vakuumli cho'kma va galvanik cho'kma, epitaksiya, diffuziya, doping va etching) sig'imga yoki faol qarshilikka yoki turli xil yarimo'tkazgich qurilmalariga ekvivalent bo'lgan turli o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan hududlar olinadi. Nopoklarning kontsentratsiyasini o'zgartirib, kristalda berilgan elektr zanjirini takrorlaydigan ko'p qatlamli strukturani olish mumkin.

Hozirgi vaqtda yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarishda guruh usullari qo'llaniladi integral mikrosxemalar, bir texnologik sikl uchun bir necha yuzlab mikrosxemalar blankalarini olish imkonini beradi. Eng keng tarqalgan mikrosxemalarning elementlari (kondensatorlar, rezistorlar, diodlar va tranzistorlar) bir xil tekislikda yoki substratning bir tomonida joylashganligidan iborat bo'lgan guruh planar usulini oldi.

• Hozirgi vaqtda yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarishda guruh usullari qo'llaniladi integral mikrosxemalar, bir texnologik sikl uchun bir necha yuzlab mikrosxemalar blankalarini olish imkonini beradi. Eng keng tarqalgan mikrosxemalarning elementlari (kondensatorlar, rezistorlar, diodlar va tranzistorlar) bir xil tekislikda yoki substratning bir tomonida joylashganligidan iborat bo'lgan guruh planar usulini oldi.

Yarim o`tkazgichli mikrosxemalar.

Dielektrik, yarimo'tkazgich – metall.

• Hozirgi vaqtda planar epitaksial texnologiya bilan Si02 kontakt maskalari yordamida eng ko'p ishlatiladigan selektiv mahalliy epitaksial o'sish. Epitaksial qatlamlarning belgilangan parametrlarini olish uchun qalinligi, qarshiligi, qatlam qalinligi bo'yicha ifloslik kontsentratsiyasining taqsimlanishi va nuqson zichligini nazorat qilish va sozlash amalga oshiriladi. Ushbu qatlam parametrlari p-c-o'tishlarning buzilish kuchlanishlari va teskari oqimlarini, tranzistorlarning to'yinganlik qarshiligini, ichki qarshilik va tuzilmalarning volt-farad xususiyatlari. Issiqlik diffuziyasi - kontsentratsiya gradienti bilan belgilanadigan moddaning zarrachalarining konsentratsiyasini pasaytirish yo'nalishi bo'yicha yo'nalishli harakati hodisasi.