Yarim o’tkazgichli asboblar

Yorug„lik diodlari
Bunday diodlar n-p o‗tishli yorug‗likni nurlantiruvchi yarim o‗tkazgichli asboblar turkimiga kiradi va elеktr enеrgiyasini bеvosita kogirеnt bo‗lmagan yorug‗lik nurlanishiga o‗zgartirish uchun mo‗ljallangan. zarrachalarning turli xil utishlari ma‘lum utkazuvchanli zonasida aksеptorlarga yoki donor zonasida valеnt zonalariga utish chuqur joylashgan. Yorug‗lik diodlarining nurlanish spеktiri taqiqlangan zona kеngligiga aralashma turi va konsеntrasiyasiga bog‗liq hamda va infraqizil nurlanishi sog‗asida yotishi mumkin. Shuningdеk, yorug‗lik diodi sariq yorug‗lik nurlatishi ham mumkin.
Tranzistor
Ikkita elektron-kavak o‗tishli, uch qatlamli yarim o‗tkazgich asbob tranzistor deb ataladi. Tranzistor turli elektr tebranishlarni generasiyalash yoki kuchaytirish uchun xizmat qiladi. Oddiy p- n yoki n-p-n o‗tishli bipolyar tranzistor 8.14 va 8.15-rasmlarda ko‗rsatilgan. p-n-p tipdagi elektron- kavak o‗tishli tranzistor (8.14-rasm, a) ikki tomoniga uch valentli element (masahlan, indiy In)
qo‗shilgan yarim o‗tkazgichdan, masalan, germaniy plastinka (Ge) dan iborat. Bu tranzistorning sxematik tasviri 8.14-rasm, b da ko‗rsatilgan.
8.14-rasm 8.15-rasm

n-p-n tipdagi elektron-kavak o‗tishli tranzistor ikki tomoniga besh valentli element, masalan, fosfor P qo‗shilgan yarim o‗tkazgichdan, masalan, germaniy (Ge) plastinkadan iborat. Tranzisgorning tuzilishi 8.15- rasm, a da, uning sxematik tasviri esa 8.15-rasm, b da ko‗rsatilgan.

Elektrodlar bo‗lmish E (emitter), B (baza) va K (kollektor) lar orasidagi toklar ikki xil ishorali zaryad tashuvchilar -erkin elektronlar va kavaklar yordamida hosil bo‗lgani uchun bunday tranzistor bipolyar, ya‘ni ikki qutbli tranzistor deyiladi.
8.16-rasm.


Ayrim elektrodlarda toklarning hosil bo‗lishi ularning bir-biriga ta‘siri va tok, kuchlanish hamda quvvatni kuchaytirish effektining vujudga kelishini p-n-p tipdagi tranzistor misolida ko‗rib chiqamiz (8.16 va 8.17-rasmlar). ―Tinch‖ holatda elektrodlarga tashqi kuchlanish ulanmaydi, bunda p-n va n-p qatlamlar chegarasida elektronlar va kavaklar qisman rekombinasiyalanadi. Natijada

―ochilib‖ qolgan musbat va manfiy ionlar hosil bo‗lib, ular potensiallar ayirmasi potensial to‗siq hosil qiladi (8.16- rasm, b).
bo‗lgan

U_e va U_k o‗zgarmas kuchlanishlarni tranzistorning elektrodlariga 8.16-rasm, a da ko‗rsatilgandek ulaymiz. Sxemaning chan tomonini to‗g‗ri kuchlanishga ulangan diodga, o‗ng tomonini esa teskari kuchlanishga ulangan diodga o‗xshatamiz. Lekin zaryad tashuvchilar (elektron va kavaklar) p-n-p qatlamlar orasidan bemalol o‗ta olishi murakkab fizik jarayonlar hosil bo‗lishiga olib keladi. Emitterning valent zonasidagi elektronlari U_e kuchlanish ta‘sirida tashqi zanjirga o‗tadi,

natijada hosil bo‗lgan kavaklar baza sohasiga o‗tadi. Bu zaryadlarning natijaviy harakati esa emitter toki I_e ni hosil qiladi. Kavaklar bazada qisman germaniyning erkin elektronlari bilan rekombinasiyalanadi, asosiy qismi esa p-n-p o‗tishning elektr maydoni ta‘sirida kollektorga o‗tib, unda I_k tokini hosil qiladi. Emitterdan chiqib bazadan o‗tayotgan kavaklar kollektorga yaxshiroq yig‗ilishi uchun kollektor o‗tishining yuzasi emitter o‗tishining yuzasidan kattaroq qilinadi (8.14- rasm, a, 8.15-rasm, a).
Emitter kavaklari bilan rekombinasiyalangan elektronlar o‗rniga bazaga tashqi zanjirdan yangi elektronlar oqib keladi va baza toki I_b hosil bo‗ladi:
I_b =I_e - I_k
Tranzistorning boshqarilish xususiyagi shundaki, uncha katta bo‗lmagan U_e kuchlanish ta‘sirida hosil bo‗lgan emitter toki I_e o‗ziga deyarli teng bo‗lgan tok I_k ni hosil qiladi. Bu tok esa teskari ulangan va U₃ kuchlanishdan ancha katta bo‗lgan U_k kuchlanishni o‗zgartiradi (U_k>U_e). Bipolyar tranzistorning ishlashi emitterdan baza orqali kollektorga zaryad tashuvchilar oqimining o‗tkazilishidan iborat. Ikkinchi tomon, tranzistorning strukturasini ikkita p-n o‗tishga: emitter-baza va kollektor-bazaga ajratsak, birinchi o‗tishga elektr bilan ta‘sir etib, ikkinchi o‗tishning qarshiligini o‗zgartirishimiz mumkin. Shunga asosan, asbobning nomi ham ikkita inglizcha so‗z (transfer- o‗zgartirmoq, resistor-qarshilik) dan kelib chiqadi.

8.17-rasm. Tranzistorlarning tuzilishi.

1- kristall, 2 – kristall tutqich, 3 - chiqishlar, 4 -qalpoq, 5 – п-р-o‗tish, 6 - izolyator, 7 - flanes.