Yadroning bo’linish rеaktsiyalari

Mavzu: Tunnel va o„girilgan diodlar.
 
Reja: 
 
1.
 
Tunnel diodlar. 
2.
 
Aylantirilgan diodlar va varikaplar
 
 
Tunnel diodlar ko‗p miqdorda aralashmali yarim o‗tkazgichlardan 
tayyorlanadi (yaratilgan yarim o‗tkazgichlar). Yaratilgan yarim o‗tkazgichlar 
asosida bajarilgan 
n-p 
o‗tishni volt-amperli tavsifi manfiy qarshilikli hududga ega 
bo‗lib, bunda kuchlanish ko‗payganda oqib o‗tadigan tok kamayadi. Manfiy 
qarshilikka ega bo‗lgan element, elektr energiyani talab qilmaydi, uni zanjirga 
beradi, ya‘ni zanjirning faol elementi hisoblanadi. 
Volt-amperli tavsifining tushib ketuvchi qismi bo‗lgani uchun tunnel 
diodlarni generatorlar va keng diapazon chastotali shu jumladan SVCH (o‗ta 
yuqori chastotali), elektr tebranishlarni kuchaytirgichlari sifatida va yuqori tezlikli 
qayta ulashlar sifatida ishlatishga imkon yaratadi. 
Tunnel diodlar yaratilgan yarim o‗tkazgichlardan, asosan, germaniy, 
kremniy va galliy arseniddan tayyorlanadi. Potensial to‗siq orasidan 
tashuvchilarni 
tunnel o‗tishi uchun 
n-p 
o‗tish tor va keskin 
bo‗lgani sababli, 
tunnel diodlarning 
n-p 
o‗tishlari eritib quyish
 
usuli bilan tayyorlanadi. Bundan 
tashqari, yaratilgan qatlamlarni epitaksial qo‗shib borish usuli qo‗llaniladi, 
bu shuningdek keskin o‗tishlarni olishga yordam beradi. Sig‗imni kamaytirish 
uchun (demak, manfiy qarshilik bilan faol
 
element sifatida ishlashi mumkin 
bo‗lgan tunel diodni yuqori chegaraviy chastotasini oshirish uchun) 
p-n 
o‗tishlarni kichik maydonini olish usuli qo‗llaniladi. 
1-rasmda tunnel diodning volt-amperli tavsifi ko‗rsatilgan. Unig shakli 
aralashmalar konsentratsiyasiga, konsentratsiya miqdori bir xil bo‗lganda 
aralashmalar turiga va haroratiga bog‗liq, shu bilan birga haroratga bog‗liqligi 
turli materiallardan tayyorlangan tunel diodlar uchun har xil bo‗ladi. 
1-rasm 

---

Tunnel diodni volt-amperli tavsifini ifodalovchi asosiy parametri bo‗lib 
pastga tashuvchi qismini qiyaligini ko‗rsatadigan manfiy differensial qarshilik 
hisoblanadi: 
O‗tishni potensial to‗sig‗idan elektronlarni tunnel o‗tishi diffuziyasi sekin 
o‗tadigan jarayoni bilan bog‗liq bo‗lmagani sababli, bunda tunnel tokni uzatish 
tezligi yuqori (kuchli legirlangan germaniy uchun, taxminan 10-13с ) va 
tashuvchilarni kam
xarakatlanuvchilik hisobiga tunnel diodlarda inersiyalik 
bo‗lmaydi. Shuning uchun tunnel diodlarni chastotaviy xususiyatlari tokni 
uzatish tezligi bilan aniqlanmasdan, balki faqat kostruksiyaga bog‗liq bo‗lgan 
omillar bilan: 
n-p 
o‗tish sig‗imi S bilan, yarim o‗tkazgichni hajmiy qarshiligi va 
ulanadigan uchlari bog‗liq bo‗lgan yo‗qotish qarshiliklari va diodning induktivlik 
𝐿
𝑑
yig‗indisi bilan aniqlanadi. Tunnel diodni chastotaviy xususiyatlari maksimal 
chastotasi 
𝐹
𝑚𝑎𝑘 
bilan ta‘riflanadi.
𝐹
𝑚𝑎𝑘
dan yuqori chastotalarda tunel diodni manfiy qarshilik sifatida ishlatib 
bo‗lmaydi, ya‘ni bu chastotalarda elektr tebranishlarni kuchaytirish va 
generatsiyalash mumkin emas. Bundan tashqari, yuqori chastotalarda tunnel 
diodni sifati 
𝐼
𝑚𝑎𝑘
/
𝑐
nisbati bilan baholanadi va ba‘zan uni asllik omili deb atashadi. Tunnel 
diodni almashib ulagichli sxemalarda ishlaganida uning tez harakatlanuvchanligi 
qayta ulash vaqtini miqdori bilan belgilanadi va u diod xususiyatlari va shinaning 
parametrlariga bog‗liq. 
Aylantirilgan diodlar ham tunnelli diodlarga o‘xshash bo‘lib, volt- amper 
xarakteristikasida, dunglik va chuqurlik fazasidagi farq kichik bo‗ladi. 
2-rasm 
Diodda aralashma kritik kontsentratsiyada olinib, teskari yo‘nalishdagi 
o‘tkazuvchanlik to‘g‘ri yo‘nalishdagi o‘tkazuvchanlikdan katta bo‗ladi. Bunday 
diodlarning teskari yo‘nalishdagi volt –amper xarakteristikasi to‘g‘rilovchi 
diodlarnikiga o‘xshash bo‗ladi. 

---

Varikap – bu yarim o‗tkazgichli diod bo‘lib, sig‗im teskari yo‘nalishdagi 
kuchlanishga bog‘liq bo‗ladi. Teskari kuchlanish ortishi bilan p-n o‘tish 
sig‗imining kamayishi quyidagi ifoda. 
C
U 
= C
o
[

/

k
+U]1/n (2.5.1) 
asosida boradi. Bunda 

- 
kontakt potensiallar ayirmasi
 ; 
C
u 
–kuchlanish U qiymatga yetgandagi sig‗imi ;C
0
- diodga kuchlanish berilmagan 
holdagi sig‗imi ; n- 
varikapning turiga bog‘lik bo‘lgan koeffitsiyent (n = 2…3). 
Varikaplar galliy arseniddan tayyorlanib, unda asosiy bo‗lmagan zaryad 
tashuvchilar kontsentratsiyasi kam bo‗ladi. Teskari yo‘nalishdagi differentsial 
qarshiligi katta bo‗ladi.Varikaplar kontur chastotasini avtomatik tarzda sozlash 
ishlarida generator va geterodinlar chastotalarini o‗zgartirishda ishlatiladi. 
Signal chastotasini ko‗p aylantiruvchi varikaplar varaktor deb ataladi. 
Asosiy parametrlari : varikapning aslligi Q; sig‘imini o‗zgartirish koeffitsiyenti 
Kc, umumiy sig‗imi C
B
. 

---