UТМ – таъминот манбаси кучланиши (28В);
UКЭТ – биполяр транзисторнинг тўйиниш кучланиши (ҳар хил типдаги тарнзисторлар учун ҳар хил бўлади, кўпгина ҳолларда 0.2 В дан 0.8В гача), ўрганилаётган холатда 0.7В қилиб оламиз;
RК- коллектор қаршилиги (150 Ом)
Шунга асосан:
IК = (28-0.7)/150 = 0.182A = 182мА
Амалиётда элементларнинг ишончлилигини эътиборга олган ҳолда қийматлари захира билан олинади, шунинг учун 1.5 коэффициентда оламиз.
Амалиётда элементларнинг ишончлилигини эътиборга олган ҳолда қийматлари захира билан олинади, шунинг учун 1.5 коэффициентда оламиз.
Рухсат этилган коллектор токи 1.5*0.182=0.273А дан кам бўлмаган ва коллектор-эмиттер кучланишининг максимал қиймати 1.5*28=42В дан кам бўлмаган транзистор танланади.
Берилган парметрлар бўйича 2N1711 транзистори (Ikмакс=0.2А Uкэ=42В) мос келади.
Тузилиши: n-p-n
Коллектор-эмиттер кучланиши: 50 В дан катта бўлмаган.
Коллектор-база кучланиши: 75В дан катта бўлмаган.
Эмиттер-база кучланиши: 7V
Коллектор токи: 0.5А дан катта бўлмаган
Коллектор қуввати тарқалиши: 0.8Вт дан катта бўлмаган
Транзисторнинг ток бўйича кучайтириш коэффициенти (hfe): 100 дан 300 гача.
Ток бўйича узатиш коэффициентини чегаравий частотаси: 100 МГц
Корпус: TO-39
Калитнинг эквивалент схемасини параметрларини аниқлаймиз:
RБ = h11э
УЭ схемаси мос равишда 2N1711 транзисторнинг кириш ва чиқиш статистик характеристикалари оиласини қуриш.
УЭ схемасига мос равишда 2N1711 транзисторнинг кириш характеристикасини Uкэ = 0 В ва Uкэ = 28 В бўлганида Iб = f(Uбэ) ни олиш.
2- расм. Транзисторнинг статик кириш характеристикаси оиласини олиш схемаси
IБ ва UБЭ ларнинг олинган қийматларини 1-жадвалга киритамиз ва бу қийматлар асосида 2N1711 транзисторнинг статик кириш характеристикаси оиласини қурамиз.
УЭ уланиш схемасига мос равишда 2N1711транзисторнинг статик кириш характеристикаси оиласи, яъни Uкэ = 0 В и Uкэ = 28 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлиги
UКЭ=0В
|
UКЭ=28В
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
25
|
663
|
25
|
768
|
50
|
681
|
50
|
790
|
75
|
691
|
75
|
803
|
100
|
699
|
100
|
813
|
125
|
705
|
125
|
821
|
150
|
710
|
150
|
828
|
175
|
715
|
175
|
834
|
200
|
719
|
200
|
839
|
250
|
726
|
250
|
848
|
300
|
731
|
300
|
857
|
350
|
737
|
350
|
864
|
400
|
741
|
400
|
870
|
450
|
746
|
450
|
876
|
500
|
750
|
500
|
882
|
Берилган қийматларга мос равишда транзисторнинг кириш характеристикаси Iб = f(Uбэ) ни графигини чизамиз (3- расм).
3- расм. 2N1711 транзисторнинг кириш характеристикаси Iб = f(Uбэ) ни графиги
УЭ уланиш схемасига мос равишда транзисторнинг чиқиш характеристикаси оиласи, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлигини олиш.
4-расм. Транзисторнинг статик чиқиш характеристикаси оиласини олиш
Характериограф ёрдамида чиқиш характеристикасини 5 дан кам бўлмаган шахобчалари олиниши керак. Бунинг учун «параметры моделирования» дарчасида I_b параметри учун «приращение» =5 ўрнатилади.
UКЭ кучланишини 0 дан 20 В гача ўзгартирамиз. Бунда “Приращение= 50 мВ”.
Характериограф-IV ёрдамида 2- жадвал тўлдирамиз.
Бунда I_b қиймати ўрнига характериографдан олинган қиймат қуйилади.
УЭ уланиш схемасига мос равишда транзисторнинг чиқиш характеристикаси оиласи, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлиги жадвали
UКЭ, В
|
IБ=0 мкА бўлганида IК
|
IБ=90 мкА бўлганида IК
|
IБ=180 мкА бўлганида
IК
|
IБ=270 мкА бўлганида IК
|
IБ=360 мкА бўлганида IК
|
IБ=450 мкА бўлганида IК
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0,125
|
0
|
6,4
|
11,75
|
15,47
|
20,42
|
23,67
|
0,25
|
0
|
10,11
|
17,86
|
23,67
|
29,01
|
32,37
|
0,5
|
0,00003
|
10,6
|
18,23
|
24,28
|
30,54
|
34,17
|
1,0
|
0,00005
|
11,5
|
19,95
|
26,52
|
33,61
|
37,83
|
2,0
|
0,00009
|
13,43
|
23,59
|
31,69
|
38,76
|
45,14
|
3,0
|
0,0003
|
15,73
|
26,94
|
36,66
|
44,9
|
52,41
|
4,0
|
0,0004
|
16,99
|
30,58
|
41,63
|
52,05
|
59,76
|
5,0
|
0,0004
|
18,82
|
33,63
|
46,71
|
57,19
|
67,17
|
6,0
|
0,0005
|
20,52
|
37,37
|
51,48
|
63,34
|
74,48
|
7,0
|
0,0006
|
22,52
|
40,72
|
55,46
|
65,49
|
81,89
|
8,0
|
0,0007
|
24,16
|
43,36
|
60,92
|
75,64
|
89
|
9,0
|
0,0008
|
25,71
|
47,61
|
65,69
|
82,78
|
96,51
|
10
|
0,0009
|
27,11
|
50,95
|
70,78
|
87,93
|
103,62
|
15
|
0,0020
|
36,86
|
69,27
|
94,92
|
117,66
|
140,17
|
20
|
0,004,4
|
45,80
|
86,59
|
120,13
|
149,21
|
176,65
|
Жадвал асосида транзисторнинг чиқиш характеристикаси Iк = f(Uкэ) ни қурамиз (5-расм)
5-расм. 2N1711транзисторнинг чиқиш характеристикаси Iк = f(Uкэ) ни графиги
БТ нинг чиқиш характеристикаси оиласи графигида тенгликка мос равишда координата ўқида ётувчи иккита нуқта орқали юклама чизиқи чизигини ўтказамиз: кучланиш ўқи бўйича Ik=0, нуқталари ва ток ўқи бўйича Ik=UТМ /Rкэ=182мА, Ukэ=0.
Юклама чизиғи билан характеристиканинг кесишмаларидан Iб ва калитнинг чиқиш кучланишлари Uчиқi=Uкэi (i=1,…,N) қийматлари олинади, бу ерда N – нуқталар сони.
6-расм. UКЭi қийматини аниқлаш
UКЭi, В
|
UКЭ0
|
UКЭ1
|
UКЭ2
|
UКЭ3
|
UКЭ4
|
UКЭ5
|
Uчиқi=UКЭi, В
|
25,6
|
8
|
5,6
|
4,6
|
3,9
|
3,5
|
RБ ни аниқлаймиз
RБ = h11э
Бунинг учун 5-расмдаги IБ2=180 мкА бўлганида 2 нуқта (юклама чизиғининг ўртаси) ишлатилади.
h11э параметрини кириш характеристикасидан аниқлаймиз:
Ib2
7-расм. h11э параметрини аниқлаш
6-расмдан Iб1=130 мкА, Iб3=230 мкА, Uбэ1=820 мВ, Uбэ3=860мВ қийматларни оламиз. У холда h11э қуйидагича аниқланилади:
RБ = h11э=400 Ом
БТ нинг Uкэ≠0 даги кириш вольт-ампер характеристикаси Iб=f(UБЭ) чиқиш кучланиши Uчиқi га мос келувчи UБЭi қийматини аниқлашга имкон беради.
2
Iб3
8-расм. Uбэi ни қийматини аниқлаш
У холда мос келувчи кириш кучланиши қуйидаги ифода ёрдамида аниқланилади:
.
Кириш кучланиши қийматларини хисоблаш натижалари
UБЭi, В
|
UБЭ0
|
UБЭ1
|
UБЭ2
|
UБЭ3
|
UБЭ4
|
UБЭ5
|
0,768
|
0,790
|
0,803
|
0,813
|
0,821
|
0,828
|
Uвхi, В
|
Uвх0
|
Uвх1
|
Uвх2
|
Uвх3
|
Uвх4
|
Uвх5
|
1,192
|
1,240
|
1,278
|
1,313
|
1,346
|
1,378
|
Олинган Uчиқi ва Uкирi қийматларининг жуфтликлари калитнинг узатиш характеристикасини қуришга имкон беради.
Чиқиш кучланишининг юқори сатҳи (6-расмда “0” нуқта) БТ нинг кесиш режимига мос келади:
.
Пастки чиқиш сатҳи (6-расмда “5” нуқта) БТ нинг тўйиниш режимига мос келади: .
Узатиш характеристикасини қурамиз:
Узатиш характеристикаси
5- жадвал
Uвхi, В
|
1,192
|
1,240
|
1,278
|
1,313
|
1,346
|
1,378
|
Uвыхi, В
|
25,6
|
12,3
|
8,05
|
7,28
|
6,1
|
0,3
|
9- расм.Транзистор асосида йиғилган калитнинг узатиш характеристикаси
Калитнинг узатиш характеристикасида учта соҳа мавжуд: кириш кучланишининг кичик сатҳига мос келувчи кесиш соҳаси, БТ ни кесиш режимидан тўйиниш режимига ўтишига ёки аксинча холатига мос келувчи фаол соҳаси (актив соҳа); кириш кучланишининг катта сатҳига мос келувчи тўйиниш соҳаси.
Калитнинг узатиш характеристикасини янада аниқроқ хисоблашда ток бўйича статик узатиш коэффициентини база токи қиймати га боғлиқлиги эътиборга олиниши керак.
Хулоса
Мен БТ да йиғилган электрон калит схемасини асосий характеристикалари, параметрлари ва схемани ишлаш тартибини 2N1711 асосида йиғилган калит схемаси учун мухандислик хисоблашларни бажариш бўйича ўз билимларимни мустаҳкамладим.
Мустақил ишини бажариш давомида Multisim дастуридан фойдаландим, ҳамда 2N1711 асосидаги транзистори калитни параметрларини хисобладим ва УЭ схемаси мос равишда 2N1711 транзисторнинг кириш ва чиқиш статистик характеристикалари оиласини қурдим. Характериограф ёрдамида чиқиш характеристикасини шахобчаларда олинишни ва тузилган графикдан транзисторнинг h – параметри ҳисобланди (h11э=400 Ом). Аниқланган элемент параметрларини қўллаб, транзисторнинг чиқиш характеристикаси Iк = f(Uкэ) ни графиги схемасини чиздим ва UКЭi қийматини аниқлаш. Олинган Uчиқi ва Uкирi қийматларининг жуфтликлари калитнинг узатиш характеристикасини қуришга имконини берди.
Do'stlaringiz bilan baham: |