В современных системах автоматизированного проектирования ши

47
Рис. 2.11,б.
Трёхмерное изображение квантовой точки. Видно, что 
она имеет пирамидальную форму с достаточно острой 
вершиной:
Стрелки и цифры в квадратных скобках обозначают 
различные кристаллографические направления; 
b –более детальное изображение одной из граней;
с –модель реконструированной поверхности грани;
чёрные и серые шарики – атомы мышьяка (As);
светлые шарики – атомы индия (In) 

---

48
Рис. 2.11,в.
Профили (по высоте) квантовой точки и 
соответствующие трехмерные СТМ-изображения,
вид с разных направлений
тическим спектром. Способы получения полупроводниковых квантовых 
точек весьма различны: они могут создаваться из планарных полупровод-
никовых гетероструктур с помощью литографии, могут получаться хими-
ческими методами. Наиболее широко распространенным способом полу-
чения квантовых точек является спонтанное формирование наноразмерных 
островков-включений одного полупроводникового материала (с меньшей 
шириной запрещённой зоны) в матрице другого (с большей шириной за-
прещённой зоны) [44÷47]. Из-за различия ширины запрещённых зон носи-
тели заряда оказываются, локализованы в пределах островка, следствием 
чего и является квазиатомный (представляющий собой набор отдельных 
уровней) энергетический спектр.
2.3. Схема образования двумерных электронов
в гетероструктуре
Прежде чем перейти к методам формирования полупроводниковых 
элементов нейрочипов, рассмотрим схему образования двумерных струк-

---

49
тур. Двумерные электроны образуются на плоской границе контакта двух 
полупроводников с разной шириной запрещённой зоны – так называемой 
гетероструктуре. Рассмотрим образование гетероперехода на примере двух 
полупроводников – GaAs и Ga
1-
x
Al
x
As (ширина запрещённой зоны 
E
g2 
уве-
личивается при увеличении 
x
).
 
На рис. 3.12,а представлены зонные диа-
граммы двух разделённых в пространстве полупроводников разного соста-
ва, причём энергия электрона в вакууме выбрана в качестве точки отсчёта. 
Таким образом, внутри полупроводника энергия электрона понижается, то 
есть для того, чтобы электрон удалить из полупроводника, необходимо 
затратить определённую энергию [41÷43, 49]. 
Когда два различных полупроводника соединяются, у границы их