В современных системах автоматизированного проектирования ши

2.2. Твёрдотельные объекты
Наиболее часто, говоря о квантовых точках, имеют в виду спонтанно 
сформировавшиеся в процессе роста массивы островков-включений одно-
го полупроводникового материала (с меньшей шириной запрещённой зо-
ны) в матрице другого (с большей шириной запрещённой зоны) – рис. 
2.11,a. Из-за различия ширины запрещённых зон электроны и дырки ока- 
Рис. 2.11,a.
Изображение квантовых точек InAs в матрице GaAs
(вид сверху), полученное с помощью просвечивающей 
электронной микроскопии 

---

46
зываются локализованы во всех трёх направлениях, как бы "заперты" в 
квантовой точке, следствием чего и является квазиатомный спектр
.
На первом рисунке представлен "вид сверху", однако для более де-
тального изучения структуры квантовых точек требуются изображения с 
большим разрешением и, конечно, исследователи имеют возможность по-
лучать такие изображения. В работе [1] с помощью сканирующей туннель-
ной микроскопии (СТМ) были получены изображения квантовых точек с 
атомным разрешением. Непосредственно после формирования массива 
квантовых точек в результате выращивания ультратонкого слоя InAs на 
поверхности GaAs (массив квантовых точек, естественно, не заращивался 
сверху слоем GaAs) образец был в условиях высокого вакуума перемещён 
в специальную аналитическую камеру. На рисунках 2.11,б и 2.11,в показа-
ны полученные с помощью СТМ трёхмерные изображения одиночной 
квантовой точки [41÷43].
Конечно, надо иметь в виду, что даже в случае тех же соединений 
InAs и GaAs размеры и форма квантовой точки зависят от ростовых усло-
вий. В случае других соединений квантовые точки могут формироваться и 
в форме плоских блинчиков, и в форме микросфер (в диэлектрической 
матрице). 
Квантовые точки, их иногда ещё называют искусственными атома-
ми, представляют собой специальным образом выращенные наноразмер-
ные островки-включения одного полупроводникового материала (с мень-
шей шириной запрещённой зоны) в матрице другого (с большей шириной 
запрещённой зоны). Из-за различия ширины запрещённых зон носители 
заряда оказываются локализованы в пределах островка, следствием чего 
является квазиатомный (представляющий собой набор отдельных уровней) 
энергетический спектр [42].
Отдельная квантовая точка представляет собой специальным обра-
зом полученный наноразмерный объект, обладающий дискретным энерге 

---