Узбекистан академия наук республики узбекистан

Заключения. 
Определены оптимальные соотношения параметров солнечного 
элемента с нано размерными гетеро переходами обеспечивающие максимальной мощности 
коэффициент полезного действия.
Из полученных соотношений следует, что солнечный элемент с нано размерными 
гетеро переходами можно построить таким образом, что его эффективность будет иметь 
всегда требуемый высокий уровень.

---

379 
Показано, что такая управляемая ситуация возможна применительно к солнечному 
элементу с нано размерными р-п переходами, созданные в силу явления самоорганизации 
на подложке из технического кремния. Подобные солнечные элементы могут 
способствовать 
повышению 
эффективности 
гелиоэнергетики, 
формированию 
высокоэффективных, дешевых фотопреобразователей. 
Благодарности.
Авторы благодарны академику Р.А. Захидову и профессорам М.Н. 
Турсунову, К.А. Исмайлову за стимулирующее обсуждение полученных результатов. 
Работа выполнена в рамках двух проектов Программы фундаментальных 
исследований: ФА-Ф3-004 «Изучение фундаментальных новых физических моделей, 
механизмов, способов» и № БВ-Ф3-005 «Теоретические исследования параметров 
солнечного элемента и влияний нано технологической обработки его поверхности на 
повышение эффективности гелиоэнергетики». 
Список литературы. 
1. Т.А. Джалалов, Э.З.Имамов, Р.А.Муминов, Р.Х.Рахимов Computational
nanotechnology. Выпуск №1, С. 155-167 (2018) 
2. T.A.Jalalov, E.Z. Imаmov, R.A.Muminov, H.Sabirov, Sh.Sh.Atoev J.Computational 
nanotechnology №3, p.p.85-90, (2018) 
3. Э.З.Имамов, Р.А.Муминов, Т.А.Джалалов, Х.Н.Каримов Ilmiy xabarnoma-
Научный вестник.№1 С.25-27 (2019) 
4. Э.З.Имамов Р.А.Муминов Т.А.Джалалов Х.Н.Каримов Г.Эргашев Узбекский 
физический журнал. №3. С. 173 -179 (2019) 
5. Э.З.Имамов Р.А.Муминов Т.А.Джалалов Х.Н.Каримов Ж. «Физика 
полупроводников и микроэлектроника». №4 С.14-21 (2019) 
6. E.Z.Imamov, R.A.Muminov,R.Kh.Rakhimov Computational nanotechnology Т.7. № 2., 
p.p.58-63 (2020)
7. E.Z.Imamov R.A.Muminov R.Kh.Rakhimov Scientific-technical journal (STJ FerPI, 
2020, T.24, №5) pp 31-36 (2020)
 
8. H. Haken // Synergetics // Springer, Berlin-Heidelberg, 1997. 
9. V.A.,Shchukin N.N.Ledentsov P.S.Kop’ev D.Bimberg. Spontaneous ordering of arrays 
of coherent strained islands. Phys.Rev.Lett..V.75.№16.P.2968-2971. (1995) 
10. Н.Н.Леденцов В.М.Устинов С.В.Иванов и др. Упорядоченные массивы 
квантовых точек в полупроводниковых матрицах. УФН..Т.166.№4. С.423-428. (1996) 
11. Н.Н.Леденцов В.М.Устинов В.А.Щукин и др. Гетероструктуры с квантовыми 
точками: получение, свойства, лазеры . ФТП.1998.Т.32.№4. С.385-410. 
12. V.Stancu, E.Pentia, A.Goldenblum, M.Buda, G.Iordache, T.Botila. Romanian journal 
of information science and technology. Vol.10, №1, 53–66 (2007). 
13. А.А.Раскин, В.К.Прокофьева. Технология материалов микро, опто- и нано 
электроники, в двух томах БИНОМ, Лаборатория знаний, Москва (2010). 
14. В. Ф. Гременок, М. С. Тиванов, В. Б. Залеcский. Солнечные элементы на основе 
полупроводниковых материалов/ – Минск: Изд. Центр БГУ, 2007. –222 с. 
15. Колтун, М.М. Оптика и метрология солнечных элементов М.: Наука, 1984. – 280с. 
16. А.М.Васильев, А.П.Ландсман Полупроводниковые фотопреобразователи М.: 
Сов. радио, 1971. – 248 с. 
17. A. Фаренбрух, Р. Бьюб Солнечные элементы: теория и эксперимент М.: 
Энергоатомиздат, 1987. – 280 с. 
18. В.Н.Мартынов, Г.И. Кольцов. Полупроводниковая оптоэлектроника – М.: 
МИСИС, 1999. – 400 с. 
19. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис Полупроводниковая оптоэлектроника М.: Мир, 
1976. – 431 с. 
20. Цой Б. Патент в Евразийском патентном ведомстве (EP2405487 A1. 08.30. 2012) 
21. Цой Б. Патент во всемирной организации интеллектуальной собственности
(№WO 2011/040838 A2 07. 04.2011). 

---

380