Universum

 

ABSTRACT 

 The influence of the type of metallization and the technology of creating a contact system on the current-voltage 

characteristics of Schottky diodes made on the basis of epitaxial layers of gallium nitride is studied. The forward voltage 

drop on the diode reaches 2.5 V at a forward current density of 50 A / 

𝑐𝑚

2

, the leakage current density does not exceed 

10-2 A/

𝑐𝑚

2

 at a reverse voltage of 200 V. 

АННОТАЦИЯ 

Исследовано влияние вида металлизации и технологии создания контактной системы на вольт-амперные ха-

рактеристики диодов Шоттки, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев нитрида галлия. Прямое падение 

напряжения на диоде достигает 2,5 В при плотности прямого тока 50 А/см

2

, плотность тока утечки не превышает 

10–2 А/

см

2

 при обратном напряжении 200 В.