Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish Ishdan maqsad



Download 148,22 Kb.
Sana30.12.2021
Hajmi148,22 Kb.
#94021
Bog'liq
10-lab


714-gurux Bajardi: Qodirov Nodirbek

10-laboratoriya ishi


Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy baza ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.

Variant №15

Bipolyar transistor BC847С

BC847С


1-qism. Kirish xarakteristikalar oilasini o‘lchash:


  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

1-jadval

Ukb=0

IEb(mA)

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-12

-14

UEb

0

-3,937

-7,818

-11,689

-15,553

-19,413

-23,27

-27,126

-30,9

-34,8

-38,7

-44,8

-54,1

Ukb=2V

IEb(mA)

0

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

-12

-14

UEb

0

-3,9

-7,818

-11,689

-15,553

-19,413

-23,27

-27,126

-30,9

-34,8

-38,7

-44,8

-54,1

2-qism. Chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash:



  1. rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning chiqish xarakteristikasi oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

2-jadval

IE=-4mA

Ik,(mA)

0

1

2

2,5

3

4

-

-

-

-

-

-

-

UKB,V

5,5

-3,9

-0,71

-7,8

-11,6

-15,5






















IE=-8mA

Ik,(mA

0

1

2

2,5

3

4

5

6

7













UKB,V

0,011

-3,9

-7,7

-9,7

-11,6

-15,5

-19

-23

-27













IE=12mAA

Ik,(mA

0

1

2

2,5

3

4

5

6

7

8

9

10

11,9

UKB,V

0

-3,9

-7,7

-9,7

-11,6

-15,4

-19

-23

-27

-31

-35

-38

-42,5



Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IE=f(UEB) bunda UKB=0 va 2 V.



Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKB) bunda IE=-4;-8 va -12mA

4. h parametrlarni hisoblash:

1. h11B parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:

Bu yerda









2. h12B parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash



;







3. h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:









4. h21B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:

h22B












Xulosa

Men bu laboratoriya ishini qilish jarayoida Biopolyar tranzistorning volt-amper xarektristakasini tadqiq qilishni o’rgandim.Birinchi qismda tok kuchini o;zgartirib Ueb ning qiymatlari hisoblandi.Natijalar asosida bog’lanish grafigi Excel dasturi yordamida chizildi.Bundan tashqari h parametrning qiymatlari hisoblab topildi.
Download 148,22 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish