«умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характеристикаларини аниқлаш»

Boshqa konfiguratsiyalarga nisbatan afzalliklari
Ushbu sxema an'anaviy BJT oqim oynasining asosiy oqimining mos kelmasligini deyarli yo'q qilish afzalligiga ega bo'lib, shu bilan chiqish oqimi I C3 mos yozuvlar yoki kirish oqimi I R1 ga deyarli teng bo'lishini ta'minlaydi . Bundan tashqari, Q 3 bazasiga Q 1 orqali salbiy qayta aloqa tufayli juda yuqori chiqish empedansiga ega .

Keyingi takomillashtirish (to'liq Wilson Mirror)
11.10-rasmdagi oddiy Wilson oqim oynasiga to'rtinchi tranzistorni qo'shsak, bizda o'zgartirilgan yoki takomillashtirilgan Wilson oynasi mavjud. Chiqish oqimining aniqligiga yaxshilangan kirish 1 V BE da Q 1 va Q 2 kollektor kuchlanishlarini tenglashtirish orqali amalga oshiriladi . Bu oynada qolgan muvozanatsiz ta'sirlar sifatida Q 1 va Q 2 ning har birining chekli ß va kuchlanish farqlarini qoldiradi .

11.10-rasm takomillashtirilgan Wilson Current Mirror

1. BC549BP транзисторининг параметрларини тахлил қилиш

Вариант

Вариантлар	Транзистор тури	База сокин токи Iбс, мкА	Манба кучланиши Ек, В	Коллектор қаршилиги Rк, Ом
11	BC549BP	75	5	1700

1.1 УЭ схемаси асосида BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.

УЭ схемасига асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари яъни U_кэ = 0 В ва U_кэ = 10 В бўлганида I_б = f(U_бэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм





1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш
(har bir holat uchun ko’rib chiqamiz)
Аниқланган I_Б ва U_БЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда U_кэ = 0 В ва U_кэ = 10 В бўлганда I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи
1-жадвал

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	605	25	696
50	626	50	720
75	638	75	735
100	647	100	747
125	654	125	757
150	659	150	766
175	664	175	774
200	668	200	781
250	675	250	793
300	680	300	804
350	684	350	814
400	688	400	823

Берилган қийматлар асосида I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм).

(2- расм). BC549BP транзисторининг I_б = f(U_бэ) кириш характеристикалари оиласи графиги

УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни I_б = const бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.

Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)

Ib = const



3 - расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш
(har bir holatlar uchun shu kabi ko“rib chiqamiz)
База токининг I_б = 25 мкА; I_б = 50 мкА; I_б = 75 мкА; I_б = 100 мкА; I_б = 125 мкА; I_б = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи I_к ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш U_кэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_б = const бўлганда I_к = f(U_кэ) графиги тузилади.

BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи

I_к = f(U_кэ)
2-жадвал

UКЭ	IБ=25 мкА бўлганда IК	IБ=50мкА бўлганда IК	IБ=75 мкА бўлганда IК	IБ=100мкА бўлганда IК	IБ=125 мкА бўлганда IК	IБ=150мкА бўлганда IК
0	0,29841	0,75027	0,12467	0,175934	0,227462	0,278503
0,5	7,327	14,453	21,103	27,335	33,209	38,776
1,0	7,375	14,549	21,244	27,517	33,43	39,035
2,0	7,473	14,741	21,525	27,881	33,872	39,552
3,0	7,57	14,933	21,805	28,245	34,315	40,069
4,0	7,667	15,125	22,086	28,609	34,757	40,585
5,0	7,764	15,317	22,367	28,973	35,2	41,102
6,0	7,861	15,509	22,648	29,337	35,642	41,619
7,0	7,958	15,701	22,928	29,7	36,085	42,136
8,0	8,056	15,894	23,209	30,064	36,527	42,653
9,0	8,153	16,086	23,49	30,428	36,969	43,17
10	8,25	16,278	23,771	30,792	37,412	43,686

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) графигини тузамиз (4-расм).

4-расм. BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
I_к = f(U_кэ) графиги

1.2 BC549BP транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.

BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи I_б = f(U_бэ) дан, h_11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи U_кэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи I_бс=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.

“А” нуқтанинг координаталри: I_бс=50 мкА, U_бэ.сок=720 мВ.

“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔI_б ва оралиқ кучланиш ΔU_бэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан I_б1=25 мкА, I_б2=75 мкА, U_бэ1=696 мВ, U_бэ2=735мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h_11эқуйидагича аниқланилади:




5- расм.h_11э параметрини график усулда аниқлаш
BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи
I_б = f(U_бэ) дан, h_12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун U_кэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз.2N2369A транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1=10В – 0В=10В

ΔU_кэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:

ΔU_бэ= U_бэп4 – U_бэ3=720мВ – 626мВ=94мВ

6-расм.h_12э параметрни график усулда аниқлаш

h_12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

BC549BP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи I_к = f(U_кэ) (I_б = const) дан h_21э параметрини аниқлаймиз. I_бс = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламанинг чизиқли кесишмаси (Е_к = 5В, R_к = 1700 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.

I_к токи ўқи бўйича Е_к/ R_к = 2.94 мА қийматини ажратиб оламиз.
U_кэ кучланиши ўқи бўйича Е_к = 5В қийматини ажратиб оламиз.



7-расм.h_21э параметрини гарфик усулда аниқлаш

“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: I_кп =0.3 мА, U_кэ=0.2В. I_б1 = 25 мкА ва I_б3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.

Берилган I_бпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔI_б база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
ΔI_б = I_б3 – I_б1=75 мкА – 25 мкА=50мкА

Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔI_б база токи орттирмасига мос келади:

ΔI_к = I_к2 – I_к1=2.8 мА – 2.75 мА = 0.05мА

h_21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи I_б = 50 мкА бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқликдан h_22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун I_бп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:



8-расм. h_22э параметрини график усулда аниқлаш

ΔU_кэ= U_кэ2 – U_кэ1= 0.237В – 0.037В =0.2 В

Бу U_кэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:

ΔI_к=I_к4 – I_к3=2.8мА – 2.75мА = 0,05 мА

У ҳолда h_22э параметри қуйидагига тенг:

1.3. BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:

1.4. BC549BP транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:

Xulosa :

Men bu mustaqil ishni bajarish davomida Uilson tok ko’zgusi va Umumiy emitter sxemasi bo“yicha yig“ilgan bipolyar tranzistorni kirish ba chiqish xarakteristikalarini aniqlashni o“rganib oldim . Menga bu mustaqil ishni bajarish uchun deyarli 1 kun kuni bo“yi vaqtim ketdi endi buyog“i qo“ldan kelgancha bo“ldi turli xil xato kamchiliklar bo“lgan bo“lsa oldindan uzur so“rayman . Ozroq qilgan qo“l mehnatimni yaxshi baholashingizdan umidvorman.

FOYDALANILGAN ADABIYOTLAR VA SAYTLAR:

https://en.wikipedia.org/wiki/Wilson_current_mirror

https://circuitdigest.com/tutorial/current-mirror-circuit-wilson-and-widlar-current-mirroring-techniques

https://en.wikibooks.org/wiki/Analogue_Electronics/Current_Mirrors/Wilson

https://www.analogictips.com/how-do-you-use-a-current-mirror-faq/