ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ АХБОРОТ ВА КОММУНИКАЦИОН ТЕХНОЛОГИЯЛАРИНИ РИВОЖЛАНТИРИШ ВАЗИРЛИГИ
МУХАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ
ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
Электроника ва радиотехника кафедраси
“Электроника ва схемалар 2” фанидан
1- мустақил иш
Мавзу: «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛИ КУЧАЙТИРГИЧ КАСКАДИНИ ҲИСОБЛАШ»
Бажарди: 413 -19 гурух талабаси
Эшматов Тошмат
Тошкент 2021
Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш.
Вариантлар ва дастлабки маълумотлар:
Вариантлар
|
Транзистор тури
|
База
сокин
токи Iбп, мкА
|
Манба кучланиши Ек, В
|
Коллектор қаршилиги Rк, Ом
|
Кучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fН, Гц
|
ххххх
|
2N2369A
|
50
|
5
|
620
|
100
|
1. 2N2369A транзисторининг параметрларини ҳисоблаш
1.1 УЭ схемаси асосида 2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.
УЭ схемасига асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 Вва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм
1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш
Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.
2N2369A транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи
1-жадвал
UКЭ=0В
|
UКЭ=10В
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
IБ, мкА
|
UБЭ, мВ
|
25
|
475
|
25
|
686
|
50
|
495
|
50
|
716
|
75
|
507
|
75
|
733
|
100
|
516
|
100
|
745
|
125
|
523
|
125
|
754
|
150
|
529
|
150
|
761
|
175
|
534
|
175
|
767
|
200
|
538
|
200
|
773
|
250
|
545
|
250
|
781
|
300
|
551
|
300
|
789
|
350
|
557
|
350
|
795
|
400
|
562
|
400
|
800
|
Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм).
(2- расм). 2N2369A транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги
УЭ схемасига асосан 2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)
Ib = const
3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш
База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.
2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ)
2-жадвал
UКЭ
|
IБ=25 мкА бўлганда
IК
|
IБ=50мкА бўлганда
IК
|
IБ=75 мкА бўлганда
IК
|
IБ=100мкА бўлганда
IК
|
IБ=125 мкА бўлганда
IК
|
IБ=150мкА бўлганда
IК
|
0
|
-0,2609
|
-0,052726
|
-0,07986
|
-0,106091
|
-0,132894
|
-0,159651
|
0,5
|
2,307
|
5,440
|
8,310
|
10,91
|
13,296
|
15,496
|
1,0
|
2,313
|
5,456
|
8,335
|
10,943
|
13,337
|
15,545
|
2,0
|
2,327
|
5,489
|
8,385
|
11,009
|
13,418
|
15,639
|
3,0
|
2,341
|
5,522
|
8,436
|
11,084
|
13,499
|
15,733
|
4,0
|
2,362
|
5,554
|
8,487
|
11,152
|
13,58
|
15,827
|
5,0
|
2,379
|
5,588
|
8,540
|
11,218
|
13,662
|
15,922
|
6,0
|
2,394
|
5,618
|
8,588
|
11,284
|
13,743
|
16,017
|
7,0
|
2,407
|
5,654
|
8,637
|
11,35
|
13,824
|
16,112
|
8,0
|
2,421
|
5,687
|
8,693
|
11,418
|
13,906
|
16,207
|
9,0
|
2,434
|
5,720
|
8,741
|
11,484
|
13,985
|
16,3
|
10
|
2,450
|
5,752
|
8,789
|
11,552
|
14,067
|
16,396
|
15
|
2,517
|
5,919
|
9,043
|
11,884
|
14,472
|
16,868
|
20
|
2,590
|
6,086
|
9,307
|
12,218
|
14,882
|
17,344
|
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм).
4-расм.2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги
1.2 2N2369A транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.
2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.
“А” нуқтанинг координаталри: Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ.
“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:
5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш
2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи
Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз.2N2369A транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В
ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:
ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ
6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш
h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
2N2369A транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 8,06 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз.
7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш
“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.
Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:
ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА
Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:
ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА
h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:
2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:
8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш
ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В
Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:
ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА
У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:
1.3.2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:
1.4. 2N2369A транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:
2. УЭ уланишга эга кучайтиргич каскадини элементларини параметрларни хисоблаш.
9-расм.УЭ уланишга эга кучайтиргич каскади схемаси
2.1.Каскаднинг қаршиликларини хисоблаш.
Сокинлик режимида ток бўлувчини аниқлаш
Сокинлик режимини берувчи қаршиликлар йиғиндисин аниқлаш
Rэ қаршилигдаги кучланишни аниқлаш
Қаршилик элементларини қийматини аниқлаш (Е24 қаршилик номиналлари қатори бўйича).
Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда қуйидагиларни оламиз:
Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда:
2.2.Каскаднинг сиғимли элементларини хисоблаш
Ўзгарувчи ток бўйича Rэ қаршилик шунтловчи конденсатор сиғимини аниқлаш.
Е24 қийматлари қаторига мос равишда Сэ = 24 мкФ ни оламиз.
Ажратувчи конденсаторлар сиғимини аниқлаш
Е24 қийматлари қаторига мос равишда Ср1 = Ср2 = 9 мкФ деб оламиз.
2.3. Аниқланган элемент параметрларини қўллаб, умумий эмиттер схемаси бўйича бажарилган 2N2369A биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини схемасини чизамиз.
R1 қаршилигини 2·R1=13,6 кОм га тенг номинал қаршилиги билан алмаштирамиз, Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда 2·R1=13 кОм деб оламиз.
R1 ўзгарувчи резистор қаршилигини ўзгартириб, сокинлик режимига эришамиз ( , Uбэп) ва Uкир = 0 ўрнатамиз (кириш сигнали мавжуд бўлмаган шарти).
10-расм. Сокинлик режимида умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторли кучайтиргич каскади схемаси
Сокинлик режимда ва Uбэп= 713 мВ. Берилган қийматига яқин қийматларига эга бўламиз.
R1=3,445 кОм ўрнатилган қиймат.
3. Кучайтиргич каскадини параметрларини аниқлаш.
УЭ схемаси асосида йиғилган 2N2369A биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини кириш қаршилигини ўлчаймиз. Бунинг учун киришга 5 мВ, fўр=10 кГц сигнал берамиз ва Uкирва Uчиқ кучланишларини қийматларини оламиз (4-схема). Бунда вольтметрларни ўзгарувчи кучланишларни ўлчаш режими (АС) га ўтказиб оламиз.
11-расм. Салт юриш режимида умумий эмиттер бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторли кучайтиргич каскади семаси
Кучайтиргич каскадини кириш кучланиши:Uкир=2,599 мВ
Кучайтиргич каскадини чиқиш кучланиши:Uчиқ=164 мВ
Do'stlaringiz bilan baham: |