Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi. Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Ikki elektron-teshik o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan, uch qatlamli yarim o’tkazgich asbob tranzistor deb ataladi. Bu asboblarni asosiy vazifasi elektr tebranishlarni kuchaytirish yoki generatsiyalashdan iborat. Oddiy P-N-P va N-P-N o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan bipolyar tranzistorlar qo’yidagi rasmlarda o’z aksini topgan (1-2-rasm).
Tranzistorlar maksimal ishchi chastotaga qarab qo’yidagilarga bo’linadi.
Past chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =3-30 mgs :
YUqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =30-300 mgs :
O’ta yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =300 mgs :
Bo’lardan tashqari qanday quvvatda ishlay olishiga qarab kichik quvvatli tranzistorlar R=0,3 Vt gacha; o’rtacha quvvatli tranzistorlar R=0,3-3,0 Vt gacha; va katta quvvatli tranzistorlar R=3,0 Vt dan yuqori quvvatlarga bo’linadilar.
Bipolyar tranzistorlar uchta chegaraviy muhitni o’z ichiga oladi va P-N o’tish bilan ajratilgandir. O’rta chegaradagi elektr o’tkazuvchanlik ikki chekkadagi elektr o’tkazuvchanligiga qarama-qarshi holatda bo’ladi. Agar tranzistor P-N-P strukturaga ega bo’lsa, n-soha baza bo’lib xizmat qiladi, N-P-N strukturaga ega bo’lsa R-soha tranzistorning bazasi bo’ladi. 3 va 4 rasmga qarang.
Trazistordagi baza P-N-P va N-P-N qatlamlaridan o’tayotgan toklarni boshqarib turadi. Tranzistorlarning asosiy ko’rsatgichlaridan biri tok kuchaytirish koeffitsiyenti bo’lib, qo’yidagicha ifodalanadi:
bu yerda - tranzistorlarning tok kuchaytirish koeffitsiyenti;
- kollektor toklarini o’zgarishi;
- emitter toklarini o’zgarishi;
- kollektordagi kuchlanish;
Tranzistorlarning tok kuchaytirish koeffitsiyenti ga tengdir. Tranzistorning kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsiyenti muhim kattalik bo’lib qo’yidagicha aniqlanadi.
Tranzistorlar elektr zanjiriga qo’yidagi uslubda ulanadi:
1) Yaxlit baza bo’yicha ulash a-rasm;
2) Yaxlit kollektor bo’yicha ulash v-rasm;
3) Yaxlit emitter bo’yicha ulash s-rasm;
Tranzistorlarni s-rasmda ko’rsatilgandek umumiy emitter usulda ulashda quvvatni kuchaytirish koeffitsiyenti katta qiymat oladi; Amaliy elektronikada umumiy emitter chizmasi bo’yicha tranzistorlarni ulash keng tarqalgandir. Murakkab elektron qurilmalar hammasi shu chizma asosida yig’ilgandir.
