Tranzistorlar. Mavzu rejasi

Bipolyar IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) tranzistorlar.
MOP – boshqarishga ega bo‘lgan bipolyar tranzistorlar. O‘tgan asrning 80-yillarida yaratilgan MOSFET tranzistorlar ideal kalitning xarakteristikalariga yaqin xarakteristikaga ega bo‘lganligi sababli, ular kalit elementi sifatida keng qo‘llaniladi. Lekin ularning qo‘llanilish sohasini cheklovchi parametrlardan biri bo‘lib stok kuchlanishi hisoblanadi. Yetarli darajada yaxshi, yuqori kuchlanishli MOP – tranzistorlarni yaratishga bo‘lgan urinishlar hozirgacha samara bermadi. Buning sababi ochiq MOP tranzistorning qarshiligi kuchlanishining kvadratiga proporsional ravishda ortib borishidadir. Yuqori kuchlanishli MOP tranzistor kristallarining egallagan maydoni bipolyar tranzistornikiga nisbatan katta bo‘lishi uning narxi ham katta bo‘lishiga olib keladi.
Ayrim firmalar ushbu yo‘nalishdagi ishlarni davom ettirmoqda. IXYS firmasi BIMOSFET texnologiyasi bo‘yicha 1600 V kuchlanishgacha bo‘lgan tranzistorlarni ishlab chiqarmoqda. Lekin bunday tranzistorlarning to‘yinish kuchlanishi 7V atrofda bo‘lishi sababli ulardagi quvvat isroflari yo‘l qo‘yib bo‘lmaydigan darajada katta.
Hozir dunyodagi yarimo‘tkazgichli priborlarni ishlab chiqaruvchi yetakchi firmalarning deyarli barchasi IGBT tranzistorlarni ishlab chiqarmoqda(8.6-rasm).

8.6-rasm. IGBT tranzistor
IGBT tranzistor yuqori kuchlanishli N-kanalli maydonli tranzistor orqali indutsiyalangan nisbatan kichik kuchlanish yordamida boshqariluvchi p-n-p tranzistordir. IGBT tranzistorlarning kirish toklarini amalda yo‘q deb hisoblash mumkin. Ular MOSFET tranzistorlardan qolishmaydigan juda yaxshi dinamik xarakteristikalarga ega.
IGBT tranzistorning almashtirish sxemasi. Umuman olganda IGBT tranzistor takomillashtirilgan MOSFET tranzistordir. MOSFET ning asosini N+N- taglik (asos) tashkil qiladi (8.6- rasm). IGBT tranzistor esa orqa tomonida maxsus hosil qilingan pn-o‘tish bo‘lgan gomogen taglik asosida ishlab chiqariladi. IGBT tranzistorning almashtirish sxemasi n-kanalli MOSFET transistor va p-n-p-tranzistordan iborat (8.3-rasm).
Birinchi avlod IGBT tranzistorlarda p-n-p va n-p-n tashkil etuvchilarning o‘zaro ulanishi hisobiga «parazit» tiristorlar effekti mavjud bo‘lgan. Bunday effekt yuklama tokining to‘silishiga olib kelishi mumkin. IGBT tranzistorlarning ikkinchi avlodida n-p-n tranzistorning kuchaytirish koefftsienti va baza­emitter qarshiligi «parazit» tiristorlar ochilmaydigan darajagacha kamaytirilgan. «Parazit» tiristorlar effektini n+ qatlamni kiritish yo‘li bilan ham bartaraf qilish mumkin, bunda kollektor-emitter o‘tishining maksimal kuchlanishi ham ortadi. Qo‘shimcha qatlamlarning kiritilishi kommutatsiya jarayonlarining tezligiga ijobiy ta’sir qiladi.

8.7-rasm. IGBT tranzistorning almashtirish sxemasi.
MOSFET da «parazit» diodlar mavjud, IGBT da esa ular yo‘q. Shu sababli IGBTga diodlarni ketma-ket-parallel ulash mumkin. IGBT ning almashtirish sxemasi va simvoli 8.7-rasmda ko‘rsatilgan.
Normal rejimda kollektorga emitterga nisbatan musbat kuchlanish beriladi. Agar zatvor va emitter orasidagi kuchlanish nolga teng bo‘lsa yuqoridagi yopuvchi qatlam berk holatda bo‘ladi va tranzistordan tok oqmaydi. Zatvorga yetarli kuchlanish berilsa n+ sohadan n- sohaga MOSFET-tok oqa boshlaydi. Ushbu tok p-n-ptranzistorni ochiq holatga o‘tkazuvchi baza toki bo‘lib ham xizmat qiladi. Bunda asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar n-sohaga o‘tadi. IGBTning ushbu xususiyati tranzistordagi kuchlanishni o‘xshash parametrga ega bo‘lgan MOSFET tranzistordagiga nisbatan taxminan 10 marta kam bo‘lishiga olib keladi.
IGBT turdagi zatvori izolyatsiyalangan bipolyar tranzistorlar kirishidagi zatvori izolyatsiyalangan unipolyar (maydonli) transistor va chiqishidagi bipolyar n-p-n-tranzistorlarning birikmasidan iborat.
Zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistorlarda parazit bipolyar tranzistor hosil bo‘ladi (8.8, a – rasm). Avvallari undan foydalanilmagan.
Sxemada VT zatvori izolyatsiyalangan maydonli tranzistor, VT1-parazit bipolyar tranzistor, R1 - maydonli tranzistor kanalidagi ketma-ket qarshilik, R2 - VT1 bipolyar tranzistorning baza-emitter o‘tishini shuntlovchi qarshilik. R2 qarshilik mavjudligi sababli VT1 bipolyar tranzistor berk bo‘ladi va maydonli VT tranzistorning ishlashiga amalda ta’sir ko‘rsatmaydi. IGBT-tranzistorning tarkibi yana bitta p-n-o‘tish bilan to‘ldirilgan, natijada almashtirish sxemasida (8.8,b-rasm) yana bitta VT2 p-n-p-tranzistor paydo bo‘ladi.

8.8.a.b-rasm. IGBT –tranzistorning sxematik tasviri

8.9,a.b-rasm. IGBT-tranzistorning grafk tasviri va volt-amper xarakteristikalari.
VT1 va VT2 tranzistorlardan iborat bo‘lgan tarkib chuqur ichki musbat teskari bog‘lanishga ega, chunki VT2 tranzistorning kollektor toki VT1 tranzistorning baza tokiga ta’sir qiladi. IGBT tranzistorning volt-amper xarakteristikalari 8.9,b-rasmda keltirilgan. Ushbu xarakteristikalar bipolyar tranzistorning xarakteristikalariga o‘xshash. IGBT tranzistorning shartli sxematik tasviri 8.9, a-rasmda keltirilgan. Ushbu belgilash IGBT tranzistorning gibrid ekanligini ko‘rsatadi, ya’ni izolyatsiyalangan zatvor maydonli tranzistordagiga o‘xshash, kollektor hamda emitter elektrodlari bipolyar tranzistordagidek tasvirlanadi. IGBT – tranzistorlarning ulab uzilishi vaqtidagi dinamik jarayonlar GTO-tiristorlardagiga o‘xshash. IGBT tranzistorlardagi isroflar. IGBT tranzistorlarda isroflar tokka proporsional ravishda ortadi, maydonli tranzistorlardagi kabi tokning kvadratiga proporsional emas. IGBT tranzistorlarning maksimal kuchlanishi faqat texnologik proboy bilan chegaralanadi. Shu bilan bir qatorda ishchi rejimlarda ularning to‘yinish kuchlanishi 2-3 V dan yuqori emas. IGBT tranzistorlarning asosiy kamchiligi ulardagi dinamik isroflardir. Shuning uchun 10 kHz dan yuqori chastotalarda ruxsat etiladigan kollektor tokining pasayishini hisobga olish zarur.
Zatvori izolyatsiyalangan bipolyar tranzistor (IGBT) – yuqori kuchlanishli (yuqori voltli) kalitlarning eng yangi vakilidir. U o‘zida biqutbli va maydonli tranzistorlarning afzalliklarini mujassamlantirgan, ya’ni, ochiq holatda undagi isroflar darajasi past va uning holatini elektr maydoni yordamida boshqarish mumkin. IGBT yordamida katta toklarni quvvati juda kichik boshqarish signali yordamida kommutatsiya qilish mumkin.