Toshkent axborot tenalogiyalari uneverstiti

Asosiy adabiyotlar 
1. Troelsen Endryu, Jeppiks Fillip | Язык программирования C# 7 и 
платформы .NET и .NET Core. Вилcямсю. 2018 
2. Troelsen Endryu, Jeppiks Fillip. Pro C# 8 with .NET Core. Foundational 
Principles and practgices in programming. Apress, 2020 
3. Albaxari Ben, Albaxari Jozef. C# 7.0 .справочникю Полное описание языка. 
С англ.- СПБ: “ Алфа книга”, 2018, 1024 c. 


Qo`shimcha adabiyotlar 
1. Язык программирования С #. –изд. ДМК пресс, 2013, 190  Kristian Neygel, Bill Iven, Jey Glinn, Karli Uotson, Morgan Skinner. C# 4.0 и 
платформа .NET 4.0 для профессионалов. – Изд. Вильямс, 2011, 1440 с. 
3. Christian Nagel , PROFESSIONAL C# 7 and .NET Core 2.0 Wrox, 2018. 
4. Madraximov Sh.F, Ikramov A.M., C++ tilida programmalasj bo`yicha 
masalalar to`plami. O`quv qo`llanma // Toshkent, O`zbekiston Milliy 
Universiteti, “Universitet” nashriyoti,2017, 160 bet. 
5.Aminov I.B., Suyarov A.M. Dasturlash tillari asosida matematik masalalarni 
Xulosa;
Ushbu ish qosh qutbli tranzistorlarni tayyorlash texnologiyasiga bag‟ishlangan bo‟lib, o‟rganish natijasida quyidagilarni xulosa qilaman: 1. Tranzistorlar tayyorlaydigan yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari o‟rganildi.Tranzistorlar kremniy, germaniy va arseniz galliydan tayyorlanishi aniqlandi. 2. Yarimo‟tkazgichli asboblar tayyorlash uchun monokristallardan foydalanishi e‟tiborga olinib, materiallar olish texnologiyasi o‟rganildi.
3. Yarimo‟tkazgichli materiallarni turlari va elektr xususiyatlari o‟rganildi va tranzistorlar uchun qaysi material, hamda kremniyli n-p-nstrukturali tranzistor yaxshi effect berish mumkinligi ko‟rsatildi. 4. Elektron-kovak o‟tish olish texnologiyasini batafsil yoritildi. 5. Tranzistorlarni qotishmali, diffuzion, epitaksial va planar texnologiyasiga asosan olinishi ko‟rsatildi. Planar epiltaksial texnologiya sifatli tranzistorlar yaratishga olib kelish mumkinligi ko‟rsatildi.