Tema: Kirisiw. Yarımótkizgishli material haqqında túsinik hám olardıń dúzilisi. Ótkeriw túrleri Energetik zonаlаr

Tema: Yarımótkizgishli tranzistorlar haqqında túsinik
Tranzistorlar haqqında ulıwma maǵlıwmat.
1948 y. D. Bardin hám v. Bratteyn noqatlı n-p ótiwler menen islep turıp, eki n-p ótiwli apparat quwatı boyınsha elektr terbelislerdi kúsheytiw qábiletine egaligini guwası boldı. Bul apparattı olar tranzistor dep atawdı (“Transfer” - ózgertiriwshi hám “resistor” - qarsılıq - ingliz sózlerinen alınǵan ). Búgingi kúnde bir yamasa bir neshe n-p ótiwli hám úsh yamasa odan kóp úshleri bolǵan elektr ózgertiriwshi yarım ótkeriwshili ásbap tranzistor dep ataladı.

Tranzistorlar konstruksiyası boyınsha noqatlı hám tegis bolıwı múmkin, biraq, eger noqatlı tranzistorlar aldın payda bolıwına qaramastan, olardıń nostabil islewi soǵan alıp kelindiki, búgingi kúnde tek tegis tranzistorlar islep shiǵarıladı. Tegis tranzistor yarım ótkeriwshiniń monokristalli bolıp, ol jaǵdayda eki aymaq bir tipdagi ótkezgishlikke iye, keri tipdagi ózgeriwshenlikke iye bolǵan aymaq menen bólingen. Bul ásbaplardı tiykarǵı waziypası elektr terbelislerdi kúsheytiw yamasa generatsiyalashdan ibarat. Ápiwayı p-n-p hám n-p-n ótkezgishlikke iye bolǵan bipolyar tranzistorlar tómendegi súwretlerde óz sawleleniwin tapqan.



Tema: Yarımótkizgishli tranzistorlardıń islew principin úyreniw
Tranzistorlar maksimal jumısshı chastotaǵa qaray tómendegilerge bólinedi.

• 
  Tómen chastotaǵa isleytuǵın tranzistorlar olardı chastota shegarası f =3- 30 mGs:
  
• 
  Joqarı chastotaǵa isleytuǵın tranzistorlar olardı chastota shegarası f =30 -300 mGs:
  
• 
  Oǵada joqarı chastotaǵa isleytuǵın tranzistorlar olardı chastota shegarası f =300 mGs:
  

Bulardan tısqarı qanday quwatda isley alıwına qaray kishi quwatlı tranzistorlar R=0, 3 Wt ge shekem ; ortasha quwatlı tranzistorlar R=0, 3-3, 0 Wt ge shekem ; hám úlken quwatlı tranzistorlar R=3, 0 Wt den joqarı quwatlarǵa bólinediler.

Yarım ótkeriwshili triod elektron ásbaplarınıń bir túri bolıp, tranzistor dep ataladı. Tuzulishi hám islew usılına qaray tranzistorlar bipolyar jáne onıpolyar tranzistorlarǵa ajratıladı.
Bipolyar tranzistorlardıń islewi p-n ótiw hádiysesine, unipolyar tranzistordıń islewi bolsa, bir túrdegi ótkezgishlikke iye bolǵan yarım ótkeriwshiniń ótkezgishligin elektr maydanı járdeminde basqarıwına tiykarlanǵan. Bipolyar tranzistor yarım ótkeriwshi monokristalda eki p-n ótiw salasın payda etiw tiykarında yasaladi. Onı ótkezgishligi alısıp keletuǵın 3 tarawǵa ajıratıw múmkin. Eger monokristallning kólemi menen shegaralanǵan bolsa, payda bolǵan tegis tranzistor p-n-p túrdegi tranzistor dep ataladı. Kerisinshe, gewek ótkezgishlik sfera arasında bolsa n-p-n túrdegi tranzistor payda boladı. Bul tranzistorlardıń sxemada belgileniwi hám potensial to'sig'ining kórinisi 21-suwretde kórsetilgen.