|
Tema: Svetodiodtıń tiykarǵı qásiyetleri hám parametrleri
Svetodiod (jaqtılıq diodi) arsenit - fosfid - galiy tiykarında yasaladi. Svetodiod arqalı tok ótkende ol ózinden jaqtılıq shıǵaradı. Svetodiodni shártlibelgilanishi hám jalǵanıwı tómende 1-suwretde keltirilgen.
Bir neshe milliamper júzimde svetodiod anıq yiltiraydi. Yiltirash tuwrı júzimka proporsional boladı. Sonıń ushın olardan yarım ótkezgishli ásbaplarda indikatsiya elementi retinde paydalniladi. Mabada bir gilofga svetodiod (jaqtılıq taratıwshı ) hám fotorezistor elementi (jaqtılıq qabıl etetuǵın ), túrde mısalı, fotorezistor jaylastırılsa, shınjırlardı tolıq golvanik ajratgan túrde kirisiw tokın shıǵıw tokına aylandırıw múmkin boladı.
1-súwret. Svetodiodni shártli belgileniwi a) b) hám jalǵanıwı sxeması v).
Bunday optoelektrik elementler optronlar dep ataladı. Optronlarda júzimdi uzatıw koeffitsenti 0, 1 den bir-neshe mıńǵasha birlikti quraydı. Optronlarni shártli belgileri 2-suwretde keltirilgen.
2-súwret. Optronlar. a) diodli, b) rezistorli, v) tranzistorlı, g) tiristorli.
Tema: Svetodiodtıń strukturalıq sxeması hám jumıs rejimlerin úyreniw
Optron ásbaplar dep, ol yamasa basqa kóriniste óz-ara baylanıstı asırıwshı nurlanıw dáregi hám qabıllaǵıshqa (jaqtılıqnurlagich hám fotoqabulqilgich) iye bolǵan yarım ótkezgishli ásbapǵa aytıladı. Hár qanday optronlarni islew Principi quidagilarga tiykarlanǵan. Nurlagichda elektr signal energiyası jaqtılıqqa, fotoqbulqilgichda bolsa, onı terissi jaqtılıq signalı elektr signalına ózgeredi. Ámelde tarqalǵan optronlar bolıp, qaysıki ol jaǵdayda nurlagichdan fotoqabulqilgichga tárep tuwrı optikalıq baylanısqa iye bolǵanları bolıp, bunda elementler arasındaǵı hámme kórinisindegi elektr baylanıslar bolmaydı. Optikalıq baylanıstı bar ekenligi kirisiw (nurlagich) hám shıǵıw (fotoqabulqilgich) arasındaǵı elektr izolyasiyani támiyinleydi. Sonday etip, bunday ásbap elektron shınjırlarda baylanıs elementi funksiyasın atqaradı, usınıń menen bir waqıtta kirisiw hám shıǵıw elektr (galvanik) sheshimi ámelge asırılǵan. Optoelektron ásbaplardı qollanılıwı jetkiliklishe túrli: apparat blokları baylanısı ushın, qaysıki olar arasında ádewir ulken potensiallar ayırmashılıǵı boladı ; ólshew apparatların kirisiw shınjırların shumdan qorǵaw ushın hám joqarı kernewli shınjırlardı sazlaw, optikalıq, kontaktsiz basqarıw, quwatlı tiristorlar, simistorlarni jumısqa túsiriw, elektromexanik releli apparatlardı basqarıwlar kiredi. “Uzın” optronlarni (optikalıq kanal retinde uzın jińishke optikalıq - talshıqlı ásbaplar ) jaratılıwı optron texnika ónimlerin qóllawdı ulıwma jańa jónelis - optikalıq talshıq boyınsha aralıqtan baylanıstı ashtı. Optoelektron ásbaplar dáste radiotexnik sxemalar modulyasiyasi, kúsheyiwdi avtomatikalıq basqarıw hám basqalarda qollanıladı. Bul jerde optikalıq kanalǵa tásir nátiyjesinde sxemanı optimal rejimge ótkeriw ushın, kontaktsiz rejimdi sazlaw hám soǵan uqsawlardan paydalanıladı.
Optronlarda talay keń universal kórinistegi nurlagichlardan biri yario'tkazgichli ijeksion jaqtılıqnurlovchi diod - jarıqdiod esaplanadı. Onı abzallıqları quyudadilarga baylanıslı :elektr energiyasın optikalıqqa aylandırıwda FIK ni joqarılıǵı ; nurlanıw spektrini (kvazimonoxromatikligi) qısqalıǵı ; túrli jaqtılıq diodlar menen keń spectral diapazonda jabılıwı ; nurlanıwdı yonalishligi;yuqori operativligi; támiyinleytuǵın kernew hám toklar bahaların kishiligi; trnzistorlar hám integral sxemalar menen sáykesligi; tuwrı júzimdi ózgertiw menen nurlanıw quwatın modullawdı ápiwayılıǵı ; impuls hám úzliksiz pejimda islew múmkinligi; talay keń kirisiw toklar diapazonında vat-amper xarakteristikasın sızıqlılıǵı ; joqarı bekkem hám chi damliligi;kichik ólshemliligi;mikroelektron ónimler menen texnologiyalıq sáykesligi. Jaqtılıq diodlari elektronlar hám gewekler rekombinasiyasi esabına elektr energiyasın jaqtılıq energiyasına aylantıradı. Ápiwayı diodlarda elektronlar hám gewekler rekombinasiyasi ıssılıq ajırasıwı menen júz beredi, yaǵniy jaqtılıq nurlanıwsız. Bunday rekombinasiya fononli dep ataladı. Jaqtılıq diodlarda 39 rekombinasiya jaqtılıq nurlanıw júz berip, qaysıki fotonli dep ataladı. Ádetde bunday nurlanıw rezonansli hám qısqa polosa chastotada jatadı. Nurlanıwdı tolqın uzınlıǵın ózgertiw ushın tayorlangan jaqtılıqdiodininmaterialini ózgertiw kerek, yamasa málim jaǵdaylarda (ikkirangli jaqtılıqdiodlar) jaqtılıq diod arqalı tuwrı tok ózgertiriledi. 3 - a. b súwretlerde jaqtılıqdiod apparatıma sxematik belgisi, 3 - v suwretde bolsa onı nurlanıw spectral xarakteristikaları berilgen. Kózge kórinetuǵın spektrda nurlaydigan jaqtılıqdiodlarini tayarlaw ushın fosfid galliy yamasa qattı eritpe GaAsP den paydalanıladı. IQ - diapason jaqın ushın diodlar kóbinese kremniy, arsenid galiy yamasa qattı eritpe GaAlAs lardan paydalanıladı.
3-su'wret. Jaqtılıq diod strukturaları (a, b ) hám spectral xarakteristikalar (v).
Jaqtılıq diodda injeksion lyuminsensiya mexanizmi ush tiykarǵı processlerden ibarat: yarımo'tlazgichlarda nurlanıw (hám nurlanıwsız) rekombinasiyasi, jaqtılıqdiod bazasına artıqsha tiykarǵı bolmaǵan zaryadlardı injeksiyasi hám genarasiya salasında nurlanıwdı shıǵıwı. Yarım ótkezgishde zaryad tasıwshılar rekombinasiyasi, eń áhmiyetlisi, onı zona diagramması, tabiy krishmalar hám nuqsomlarni bar ekenligi, teń salmaqlılıq jaǵday daǵı buzulishlar dárejesi menen anıqlanadı. Optron nurlagichlarning tiykarǵı materiallarına tuwrı zonalı yarımo'tlazgichlar ( GaAs jáne onıń úshlıq brikmalari GaAlAs hám GaAsP) kiredi, yaǵniy bularda ruxsat etilgen zona -zona tuwrı optic atıwlar boladı. Zaryad tasıwshıllarning hár bir rekombinasiyasida bul sxema boyınsha kvant nurlanıw menen júz beredi, tolqın uzınlıǵı qaysıki energiyanı saqlanıw nızamı boyınsha quidagi munasábet menen anıqlanadı.
Bul jerde- ΔE- qadaǵan etilgen zona keńligi yamasa sahdan nurlandan energiya. Biraq, nulanish rekombinasiyasi menen konkurensiyada nurlanıwsız reekombinasiya mexanizlari ámeldegi no'lib, nátiyjede artıqsha energiya nurlanıw kórinisinde emes, ıssılıqa aylanadı. Túrli rekombinasiy a mexanizmlerdi salıstırmalı roli ishki shıǵıw nurlanıw һich túsinigin kirgiziw menen ańlatpalanadı, bul nurlanıw rekombinasiya extimolligini tolıq (nurlanıw hám nurlanıwsız ) rekombinasiya extimoligiga qatnasıbilan ( basqasha aytqanda generasiyalangan kvantlar sanın usınıń menen injeksiyalabgan tiykarǵı bolmaǵan zaryad tasıwshılar sanına ) anıqlanadı..Bul baha paydanalinadigan jaqtılıqdiod ushın materialdı áhmiyetli xarakteristikası esaplanadı.
Do'stlaringiz bilan baham: |
