Telekomuniktsiya tehnalogiyalri

Xulosa.
Men ushbu labaratoriyani bajarish davomida Optronlar ishlashini va parametrlarini o‘lchash uslublari bilan tanishib chiqdim. Multisim dasturida sxemasini chizdim. Optronlar – funksional elektronikaning zamonaviy yo‘nalishlaridan biri – optoelektronikaning asosiy struktura elementi hisoblanadi. Eng sodda diodli optron (29.1. a – rasm) uchta elementdan tashkil topgan: fotonurlatgich 1, nur o‘tkazgich 2 va foto qabul qilgich 3 bo‘lib, yorug‘lik nuri tushmaydigan germetik korpusga joylashtirilgan.

Multisimda yig’ilgan holati va E2=5V bo’lganda olingan natija.

30-laboratoriya ishi Mavzu: IMS optronlarni parametrlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: IMS optronlarni parametrlarini o‘rganish va tadqiq qilish.
Ishni bajarish tartibi
1. MATLAB muhitida IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxemani 30.1-rasmga asosan yig‘ing.

30.1-rasm. IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxema
1. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
Sxema bloklarining parametrlarini 2-rasmga asosan o‘rnating.

3. 
   Sxemani ishga tushiring.
   
4. 
   Hosil bo‘lgan ossillogrammaning tranzistorning ochilishiga mos qismini sichqonchaning chap tugmasini bosgan holda belgilab kattalashtiring (3-rasm) va uni yozib oling.
   

30.3-rasm. Tranzistor ochilayotgan vaqtdagi dinamik jarayonlar

3. 
   Manual Switch blokining ustida sichqonchaning chap tugmasini bosib tranzistorning zatvoriga pulslanuvchi signal bering.
   
4. 
   Sxemani ishga tushiring va ossillogrammaning tranzistorning uzilishiga mos keluvchi qismini kattalashtiring .
   
5. 
   Sxemaga o‘zgartirishlar kiriting, ya’ni, aktiv qarshilik bilan shuntlangan aktiv-induktiv yuklamaga ishlovchi tranzistorni tekshiring. Bajarilgan ish bo‘yicha hisobot
   

Hisobotda quyidagilar keltiriladi:

1. 
   Ishning nomi va maqsadi;
   
2. 
   Modellash sxemasi;
   
3. 
   Modellash sxemasi bloklarining parametrlari;
   
4. 
   Olingan natijalar ;
   
5. 
   Aktiv va aktiv-induktiv yuklamaga ishlovchi IGBT tranzistor ulanibuzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlporning
   

ossillogrammalari; 6. Bajarilgan ish bo‘yicha xulosalar.