Telekomuniktsiya tehnalogiyalri

Xulosa.
Men ushbu labaratoriyani bajarish davomida IMS optronlarni parametrlarini o‘rganish va tadqiq qilishni o’rgandim. Mathlab dasturida IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxemasini chizib ko’rdim. Tranzistor ochilayotgan vaqtdagi dinamik jarayonlarni tekshirib ko’rdim. Olingan natijalar:
IGBT Transistorlar quvvatini sinovdan o'tkazish
Quvvatli tranzistorni tekshirish, yonib ketgan tranzistorni qayta ko'rib chiqish zarur bo'lganda, masalan, yoqib yuborilgan payvandlash mashinasini ta'mirlashda yoki uning "re" emasligiga ishonch hosil qilish uchun moslama uchun juftlikni tanlashda sodir bo'ladi. -marker ". Tekshirish multimetr yordamida amalga oshiriladi: biz har ikki yo'nalishda ham kollektor va emitent chiqishini chalamiz, shuning uchun qisqa tutashuv yo'qligiga ishonch hosil qilamiz. Eshik-emitentning kirish quvvati salbiy kuchlanish bilan zaryadlanadi. Qisqa muddatli va bir vaqtning o'zida "COM" probasi va "V / - / f" soketidan prob - emitent bilan panjur multimetrini teginish yordamida amalga oshiriladi.

Tekshirish uchun siz tranzistorning ishlashiga ishonch hosil qilishingiz kerak. Biz eshik-emitent kirishidagi quvvatni ijobiy kuchlanish bilan quvvatlaymiz. Buni "V / Ω / f" multimetrining zondiga - eshikka, "COM" zondiga - emitentga qisqa tegizish orqali amalga oshirish mumkin. Biz kollektor va emitent o'rtasidagi kuchlanishni tekshiramiz, u 1,5V dan oshmasligi kerak, past kuchlanishli transistorlar uchun past kuchlanish qiymati odatiy hisoblanadi. Agar multimetrenning kuchlanishi tranzistorni ochish va sinash uchun etarli bo'lmasa, kirish quvvati doimiy voltaj manbasidan 15 V gacha bo'lgan quvvat bilan zaryadlanishi mumkin.
30.1-rasm. IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxemasi

30.3-rasm. Tranzistor ochilayotgan vaqtdagi dinamik jarayonlar