Telekommunikatsiya injineringi

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT

TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI

RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUHAMMAD AL­–XORAZMIY NOMIDAGI

TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI

FARG’ONA FILIALI

“TELEKOMMUNIKATSIYA INJINERINGI” KAFEDRASI


LABORATORIYA ISHI
“ Elektronika va sxemalar 2“ fanidan

Bajardi: 611-19 guruh talabasi Rajabalyev Jahongir

Qabul qildi: G.Jo’rayeva

30-laboratoriya ishi

Mavzu: IMS optronlarni parametrlarini tadqiq etish

Ishning maqsadi: IMS optronlarni parametrlarini o‘rganish va tadqiq qilish.

Ishni bajarish tartibi

1. MATLAB muhitida IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxemani 30.1-rasmga asosan yig‘ing.

30.1-rasm. IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxema

1. 
   Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
   

Sxema bloklarining parametrlarini 2-rasmga asosan o‘rnating.

3. Sxemani ishga tushiring.

4. Hosil bo‘lgan ossillogrammaning tranzistorning ochilishiga mos qismini sichqonchaning chap tugmasini bosgan holda belgilab kattalashtiring (3-rasm) va uni yozib oling.



30.3-rasm. Tranzistor ochilayotgan vaqtdagi dinamik jarayonlar

5. Manual Switch blokining ustida sichqonchaning chap tugmasini bosib tranzistorning zatvoriga pulslanuvchi signal bering.

6. Sxemani ishga tushiring va ossillogrammaning tranzistorning uzilishiga mos keluvchi qismini kattalashtiring .

7. Sxemaga o‘zgartirishlar kiriting, ya’ni, aktiv qarshilik bilan shuntlangan aktiv-induktiv yuklamaga ishlovchi tranzistorni tekshiring.

Bajarilgan ish bo‘yicha hisobot
Hisobotda quyidagilar keltiriladi:

1. Ishning nomi va maqsadi;

2. Modellash sxemasi;

3. Modellash sxemasi bloklarining parametrlari;

4. Olingan natijalar ;

5. Aktiv va aktiv-induktiv yuklamaga ishlovchi IGBT tranzistor ulanib-uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlporning ossillogrammalari;

6. Bajarilgan ish bo‘yicha xulosalar.


Xulosa.

Men ushbu labaratoriyani bajarish davomida IMS optronlarni parametrlarini o‘rganish va tadqiq qilishni o’rgandim. Mathlab dasturida IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxemasini chizib ko’rdim. Tranzistor ochilayotgan vaqtdagi dinamik jarayonlarni tekshirib ko’rdim.

Olingan natijalar:

IGBT Transistorlar quvvatini sinovdan o'tkazish

Quvvatli tranzistorni tekshirish, yonib ketgan tranzistorni qayta ko'rib chiqish zarur bo'lganda, masalan, yoqib yuborilgan payvandlash mashinasini ta'mirlashda yoki uning "re" emasligiga ishonch hosil qilish uchun moslama uchun juftlikni tanlashda sodir bo'ladi. -marker ". Tekshirish multimetr yordamida amalga oshiriladi: biz har ikki yo'nalishda ham kollektor va emitent chiqishini chalamiz, shuning uchun qisqa tutashuv yo'qligiga ishonch hosil qilamiz. Eshik-emitentning kirish quvvati salbiy kuchlanish bilan zaryadlanadi. Qisqa muddatli va bir vaqtning o'zida "COM" probasi va "V / - / f" soketidan prob - emitent bilan panjur multimetrini teginish yordamida amalga oshiriladi.

Tekshirish uchun siz tranzistorning ishlashiga ishonch hosil qilishingiz kerak. Biz eshik-emitent kirishidagi quvvatni ijobiy kuchlanish bilan quvvatlaymiz. Buni "V / Ω / f" multimetrining zondiga - eshikka, "COM" zondiga - emitentga qisqa tegizish orqali amalga oshirish mumkin. Biz kollektor va emitent o'rtasidagi kuchlanishni tekshiramiz, u 1,5V dan oshmasligi kerak, past kuchlanishli transistorlar uchun past kuchlanish qiymati odatiy hisoblanadi. Agar multimetrenning kuchlanishi tranzistorni ochish va sinash uchun etarli bo'lmasa, kirish quvvati doimiy voltaj manbasidan 15 V gacha bo'lgan quvvat bilan zaryadlanishi mumkin.

30.1-rasm. IGBT tranzistor ulanib uzilayotgan vaqtda sodir bo‘ladigan dinamik jarayonlarni o‘rganish uchun sxemasi


30.3-rasm. Tranzistor ochilayotgan vaqtdagi dinamik jarayonlar