Rezistorlar. Bipolyar tranzistorlı IMSlarda rezistor payda etiw ushın bipolyar tranzistor strukturasınıń qandayda bir tarawı : emitter, kollektor yamasa baza qollanıladı. Emitter tarawları tiykarında kishi qarsılıqqa iye bolǵan rezistorlar payda etinadi. Baza qatlamı tiykarında orınlanǵan rezistorlarda ádewir ulken qarsılıqlar alınadı.
Integral mikrosxema (IMS) kóp sanlı tranzistor, diod, kondensator, rezistor hám olardı bir- birine baylanıstıratuǵın ótkeriwshilerdi birden-bir konstruktsiyaga birlestiriwdi (konstruktiv integraciya ); sxemada quramalı informaciya ózgertiwler atqarılıwın (sxemotexnik integraciya ); birden-bir texnologiyalıq ciklda, bir waqtıniń ózinde sxemanıń elektroradio elementleri (ERE) payda etinishini, jalǵanıwlar ámelge asırılıwın va bir waqıtta gruppa usılı menen kóp sanlı birdey integral mikrosxemalar payda etiw (texnologiyalıq integraciya ) ni sáwlelendiredi. IMS, birden-bir texnologiyalıq ciklda, birden-bir tiykarda tayarlanǵan hám informaciya ózgertiwde málim funktsiyanı orınlawshı óz-ara elektr tárepten jalǵanǵan ERElar kompleksi bolıp tabıladı.
IMS elektron ásbaplar qatarına kiredi. Onıń elektron ásbap retindegi tiykarǵı ózgesheligi sonda, ol ǵárezsiz túrde, mısalı, informaciyanı eslep qalıwı yamasa signaldı kúsheytiwi múmkin. Diskret elementler tiykarında sol funktsiyalardı orınlaw ushın tranzistorlar, rezistorlar hám basqa elementlerden ibarat sxemanı qolda jıynaw zárúr. Elektron ásbaptıń úskene quramında islew isenimliligi aldınam bar kepserlengen jalǵanıwlar sanı menen anıqlanadı. IMSlarda elementler bir- biri menen metallash jolı menen jalǵanadı, yaǵnıy kepserlanmaydi da, japsar da etińmeydi. Bunıń nátiyjesinde jıynaw, montaj qılıw jumıslarınıń sapasın asırıw máselesi yechildi, úlken muǵdardaǵı ERElarga iye radioelektron apparatlar óndiriste isenimlilik támiyinlendi.
Házirgi kúnlerde tayarlaw usılı hám bunda payda bolatuǵın strukturasına kóre IMSlarni bir- birinen principial parıqlanıwshı úsh túrge ajratıladı : yarım ótkezgish, perdeli hám gibrid. IMSlarning hár túri, mikrosxema quramına kiretuǵın elementler hám komponentler sanın ańlatiwshı, integraciya dárejesi hám konstruktsiyasi menen parıq etedi.
Element dep, konstruktsiyasi boyınsha kristall yamasa tiykardan ajralmaydigan, ERE funktsiyasın orınlawshı IMSning bólegine aytıladı.
IMS komponenti dep, diskret element funktsiyasın orınlawshı, lekin montajdan aldın ǵárezsiz ónim bolǵan IMSning bólegine aytıladı.
IMSlar ushın eki tiykarǵı belgi ámeldegi:konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi sonda, IMSning barlıq elementleri tiykarǵı tiykar ishinde yamasa sırtında jaylasadı, elektr tárepten birlestirilgen hám birden-bir qabıqǵa jaylastırılǵan bolıp, birden-bir esaplanadı. IMS elementleriniń hámmesi yamasa bir bólegi hám elementleraro baylanısıwlar birden-bir texnologiyalıq siklda atqarıladı. Usınıń sebepinen integral mirosxemalar joqarı isenimlilikke hám kishi ózine túser bahasına iye.
2. Ten’ salmaqsiz jaǵdayda p-n ótiw tokları. Elektron hám gewektiń ortasha ıssılıq energiyası yarım ótkezgish temperaturası menen belgilenedi hám kT ga teń, k — Bolsman turaqlısı, T - absolut temperatura. Yarım ótkezgishdegi hár bir bólek energiyası ortasha energiyadan parıq etedi. Aynimagann -yarım ótkezgishde energiyası Wt den kishi boimagan elektronlar konsentraciyası Bolsman bólistiriwine qaray tómendegi ańlatpa menen anıqlanadı :
Odan joqarı energiyalı bóleksheler sanı eksponensial túrde keskin azayıwı kórinip turıptı. Bul jerde nn — tiykarǵı zaryad tasıwshılaming konsentraciyası. Soǵan uqsas ańlatpa geweklerdi energiyaler boyınsha bólistiriliwin belgileydi. p - hám n - yarım ótkezgishler kontaktga keltirilgende energiyası joqarı bolǵan zaryad tasıwshılar Wt≥Uk/q p-n ótiw arqalı qońsılas tarawlarǵa diffuziyalanish esabına p-n ótiwdiń elektr maydanına keri baǵıtda jıljıydilar. Nátiyjede diffuziya tokı IDIF payda boladı. Tiykarǵı zaryad tashuchilaming p-n ótiw arqalı diffuziyalanishi menen bir waqıtta noasosiy zaryad tasıwshılaming p-n ótiw maydanı baǵdarında jılısıwı baslanadı. Bul maydan noasosiy zaryad tasıwshılarǵa tezlatuvchi tásir kórsetip, ıǵıw tokın payda etedi.p-n ótiwge elektr kernew berilmegende termodinamik teń salmaqlılıq júzege keledi, yaǵnıy diffuziya hám ıǵıw tokları absolut bahaları teń boladı. Diffuziya hám ıǵıw tokları keri táreplerge jónelgen boigani sebepli p-n ótiw arqalı tok oqmaydi, yaǵnıy makroskopik zaryad tasıw ámelge aspaydı. p-n o 'tishning to'g 'ri jalǵanıwı. Eger p-n ótiwge sırtqı kernew U0 berilsa, teń salmaqlılıq buz'ladı hám odan tok oqib oǵada baslaydı. Kernew dáreginiń oń polisi p - tarawǵa, keri polisi bolsa n - tarawǵa jalg’ansa, p-n ótiw duris jalǵanǵan yamasa duris jıljıtilgan dep ataladi.
Do'stlaringiz bilan baham: |