Telekommunikaciya texnologiyalarí HÁm kásiplik tálim”

QARAQALPAQSTAN RESPUBLIKASI JOQARI HA’M ORTA ARNAWLI BILIMLENDIRIW MINISTIRLIGI
MUHAMMED AL-XORAZMIY ATINDAG’I TASHKENT INFORMACIYALIQ TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI

“TELEKOMMUNIKACIYA TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KÁSIPLIK TÁLIM” fakulteti
“Telekommunikaciya texnologiyalari» baǵdarı
2-kurs studenti
Shamuratov D
“Elektronika ha’m sxemalar”
páninen
O’Z BETINSHE JUMÍSÍ
TEMA: Yarim o’tkizgish IMS lar jaratiwda texnologiyaliq process ha’m operatsiyalar
Qabillag’an: Babajanova T
Tapsirg’an: Shamuratov D

Tema: Yarim o’tkizgish IMS lar jaratiwda texnologiyaliq protsess ha’m operatsiyalar

Joba:
1. Yarim o’tkizgishler haqqinda tu’sinik
2. Yarim o’tkizgish IMS lardi jaratiw texnologiyasi
3. O’tkizgishler, yarım o’tkizgishler, bo’lek o’jireler haqqinda

Yarım ótkizgishler o'tkiziwshen’ligi tárepinen metall ha’m dielektriklar arasindag’i elementler bolıp, óz fizikalıq qásiyetlerin túrli sırtqı tásirler (mısalı jaqtılandıriw, qizdırıw hám taǵı basqa ) nátiyjesinde keń intervalda ózgerttire alıw ózgeshelikine iye. Yarım ótkezgishlar elektronika ha’m mikroelektronikada juda keń qollanilip, zamanagóy elektr úskenelerdiń derlik hámmesi - kompyuterlerden tartıp tap uyalı baylanıs telefonlarına shekem barlıǵı yarım ótkezgishli texnologiyaǵa tiykarlanǵan. Eń keń qollanılatuǵın yarım ótkezgish element kremniy bo'lib, basqa elementlar da keń qollanıladı.

Yarım ótkizgishler — elektr tokın jaqsı ótkeriwshi elementler (ótkeriwshiler, tiykarınan, metallar) hám elektr tokın ámelde ótkermeytuǵın elementlar (dielektriklar) arasındaǵı aralıq jaǵdaynı iyeleytuǵın elementlar. Mendeleyev udayı tákirarlanatuǵın sistemasında II, III, Iv, v hám vI gruppalarda jaylasqan kópshilik elementler. olardıń bir qatar birikpeleri yarım ótkezgishler turine kiredi. Ya. de da metallardaǵı sıyaqlı elektr ótkezgishlik elektronlardıń háreketi sebepli júzege keledi. Biraq elektronlardıń háreketleniw sharayatları metallar hám Ya. de túrlishe boladı. Ya. tómendegi tiykarǵı ayrıqshalıqlarǵa iye: Ya. dıń elektr ótkezgishligi temperatura eliriwi menen artıp baradı (mas, temperatura 1 K ga artqanda Ya. dıń salıstırma ótkezgishligi 16—17 ret artadı ); Ya. dıń elektr ótkezgishliginde erkin elektronlardan tısqarı atom menen baylanısqan elektronlar da qatnasadı (birpara jaǵdaylarda baylanısqan elektronlar tiykarǵı rol oynaydı ); sap Ya.ga az muǵdarda qosılma kiritip, onıń ótkezgishligin keskin ózgertiw múmkin (mas, 0, 01% qosılma kiritilgende Ya. dıń ótkezgishligi 10000 ret artıp ketedi).
Tómen tralarda Ya. dıń salıstırma qarsılıgı kútá úlken boladı hám ámelde olar bólek ójire esaplanadı, lekin temperatura artpaqtası menen olarda zaryad tasıwshılardıń konsentraciyası keskin artadı. Mas, sap kremniyda 20° trada erkin elektronlar konsentraciyası ~1017 m~3 bo'lsa. 700° de 1024 m" 3 gacha, yaǵnıy million retten kóbirek artadı. Ya. de erkin elektronlar konsentraciyasınıń traga bunday keskin baǵlıqlıǵı ótkezgishlik elektronları ıssılıq háreketi tásirinde payda boliwdi kórsetedi. Yarım ótkezgish kristallda atomlar valent elektronları járdeminde óz-ara baylanısqan. Atomlarning ıssılıq terbelisleri waqtında ıssılıq energiyası valent elektronlar arasında tegis emes bólistiriledi. Ayırım elektronlar óz atomi menen baylanısıwdı úzip, kristallda erkin kóship júriw imkaniyatın beretuǵın jetkilikli muǵdardaǵı ıssılıq energiyasına iye bolıp qalıwı hám erkin elektronlarǵa aylanıwı múmkin.
Yarım ótkizgish- zamanagóy texnologiya hám elektronika dúnyasın oyda sawlelendire almaytuǵın material. Yarım ótkezgishlar ma'lum sharayatlarda metallar hám nometalllarning qásiyetlerin kórsetiw. Arnawlı elektr qarsılıgı kózqarasınan, yarım ótkezgishler jaqsı ótkeriwshiler hám dielektrlar ortasında aralıq poziciyanı iyeleydi. Yarım ótkezgish o'tkazgichlardan ayriqsha ótkezgishliktiń kristall tor daǵı nopoklik elementleri (nopoklik elementleri) bar ekenligine jáne bul elementlerdiń kontsentratsiyasına, sonıń menen birge temperatura hám hár túrlı nurlanıw túrlerine kúshli baylanıslılıǵı menen parıq etedi.
Yarım ótkezgishtiń tiykarǵı ózgesheligi- temperatura asıwı menen elektr ótkezgishliginiń asıwı.
Yarım ótkezgishler - bir neshe elektron voltli (ev) qayıs aralıǵindaǵı elementlar. Mısalı, almazdı keń boslıqlı yarım ótkezgishler, indiy arsenidi bolsa tar aralıqlı yarım ótkezgishler dep klassifikaciyalaw múmkin. Tarmaqlı boslıq - bul ótkezgishlik bandining tómengi bólegi hám valentlik bandining joqarı bólegi arasındaǵı energiya boslig'ining keńligi, bunda elektron ushın ruxsat etilgen jaǵdaylar joq.
Tarmaqlı diapazondıń ma`nisi LED hám yarım ótkezgishli lazerlarda jaqtılıq payda bolıwı ushın zárúrli áhmiyetke iye hám shıǵıs fotonlarning energiyasın anıqlaydı. Yarım ótkezgishler kóplegen ximiyalıq elementlerdi óz ishine aladı : Si kremniy, Ge germaniy, Mishyak, Se selen, Te tellur hám basqalar, sonıń menen birge eritpeler hám ximiyalıq birikpelerdiń barlıq túrleri, mısalı : kremniy yodid, galyum arsenidi, sınap tellurit hám basqalar ). Ulıwma alǵanda, átirapımızdaǵı dúnyanıń derlik barlıq organikalıq bolmaǵan elementları yarım ótkezgishler bolıp tabıladı. Yarım ótkezgish tábiyaatda eń keń tarqalǵan - bul silikon bolıp, ol shamalıq maǵlıwmatlarǵa kóre, er qabıǵınıń derlik 30% ini quraydı. Nopok element atomining elektronnan waz keshiwine yamasa onı ustap turıwına qaray, nopoklik atomlari donor yamasa akseptor dep ataladı. Nopok element atomining donor hám akseptorlik qásiyetleri, sonıń menen birge, ol kristall tordıń qaysı atomini almastırganiga, qaysı kristallografik tegislik ornatılǵanına baylanıslı.
Joqarıda aytıp ótkenimizdek, yarım ótkezgishlerdiń ótkezgishlik qásiyetleri temperaturaǵa kúshli baylanıslı hám temperatura tolıq nolǵa (-273 ° C) jetkende, yarım ótkezgishler dielektrik qásiyetlerine iye boladı.
Ótkezgishlik túrine kóre yarım ótkezgishler n tipli hám p tipli bólinedi.
N tipidagi yarım ótkezgish nopoklik ózgeshelikine iye hám metallar sıyaqlı elektr tokın ótkeredi. Yarım ótkezgishlerge n tipli yarım ótkezgishlerdi alıw ushın qosılatuǵın nopoklik elementleri donor elementler dep ataladı. " N-tip" termini " keri" sózinen kelip shıqqan bolıp, erkin elektron tasıwshı keri zaryadtı ańlatadı.
Zaryad uzatıw procesiniń teoriyası tómendegishe xarakterlenedi:
Tetravalentli Si kremniyga pentavalent, mishyak sıyaqlı, nopok element qosıladı. Óz-ara tásir ótkeriw processinde hár bir mishyak atomi silikon atomlari menen kovalent baylanısqa kiredi. Biraq besinshi erkin mishyak atomi qaladı, ol to'yingan valentlik baylanısıwlarında jayı joq hám ol elektrondı atomdan ajıratıw ushın kemrek energiya kerek bolǵan uzaq elektron orbitasiga baradı. Elektron uzilib, zaryadqa iye bolǵan erkin elektronǵa aylanadı. Sonday etip, zaryadtı uzatıw tesik emes, elektron arqalı ámelge asıriladı, yaǵnıy yarım ótkezgishtiń bul túri metallar sıyaqlı elektr tokın ótkeredi.
Sonıń menen birge, surma Sb eń zárúrli yarım ótkezgishlerden biri - germaniy Ge qásiyetlerin jaqsılaydı.
P tipindegi yarım ótkizgish
P-tipli yarım ótkezgish, nopoklik tiykarından tısqarı, p-tipli ótkezgishlik menen xarakterlenedi. Bul halda qosılǵan qospalar akseptor qospalar dep ataladı.
" P-turi" " oń" sózinen kelip shıqqan bolıp, tiykarǵı tasıwshılardıń oń zaryadın ańlatadı.
Mısalı, az muǵdardaǵı úsh valli indiyli atomlar yarım ótkeriwshili tetravalentli Si kremniyga qosıladı. Biziń jaǵdayda, indiy nopok element boladı, onıń atomlari ush qońsılas kremniy atomlari menen kovalent baylanısıw ornatadı. Biraq kremniy bir erkin baylanısıw bolıp qaladı, indiy atomida valentlik elektronı joq, sol sebepli ol valentlik elektronın qońsılas kremniy atomlari arasındaǵı kovalent baylanısıwdan ustap aladı hám keri zaryadlanǵan ionǵa aylanıp, sonday tuynuk payda etedi. tesik ótiw.
Tap sol tárzde, ndium tesik ótkezgishligin Ge ga germaniyga beredi. Yarım ótkezgish elementleri hám materiallarınıń qásiyetlerin úyreniw, ótkeriwshi hám yarım ótkezgish ortasındaǵı baylanıs qásiyetlerin úyreniw, yarım ótkezgishli materiallar óndiriste tájiriybe ótkeriw, O. v. Losev 1920 -jıllarda zamanagóy LEDning prototipini jarattı.
Sırtqı elektr maydan bolmaǵanda bul erkin elektronlar tártipsiz háreket etedi. Elektr maydan tásirinde bolsa maydanǵa qarsı jóneliste tártiplengen háreketke kelip, Ya. de tok payda etedi. Erkin elektronlar júzege alıp kelgen ótkezgishlik elektron yamasa ptip ótkezgishlik dep ataladı.
Baylanısqan elektrondıń óz atomini " tastap ketiwi" atomning elektr neytrallıǵın buzadı. ol jaǵdayda " ketib qalǵan" elektron zaryadına muǵdaran teń oń zaryad — tesik payda boladı. Sırtqı elektr maydan bolmaǵanda elektronlar da, tesikler de tártipsiz háreketlenedi, sırtqı maydan bolǵanda bolsa elektronlar maydanǵa qarsı, tesikler maydan boylap kóshedi. Tesiklerdiń kóshiwi menen baylanıslı ótkezgishlik tesikli yamasa rtmp ótkezgishlik dep ataladı. Erkin elektronlar sanı menen tesikler sanı bir-birine teńligi túsinikli. Aniklanishicha, olardıń háreketleniw tezligi de birdey eken. Sonday eken, Ya. dagi tok áyne waqıtta da elektron, da tesikli ótkezgishlikdan payda boladı. Bunday elektronteshikli ótkezgishlik Ya. dıń jeke ótkezgishligi dep ataladı. Jeke ótkezgishlik sap Ya. de gúzetiledi. Biraq tábiyaatda sap Ya.joq. Birpara qosılmalar Ya. ni erkin elektronlar menen boyitsa, basqa birpara qosılmalar tesikler menen boyitadi. Ya. de júzege keletuǵın bunday ótkezgishlik qosılmali ótkezgishlik dep ataladı. Eger tiykarǵı Ya. atomi ornına elementler udayı tákirarlanatuǵın sistemasında odan keyingi gruppada turǵan element atomi kiritilse, bul qosılma atomning bir valent elektronı atomlararo baylanısıwda qatnasıw etpeydi hám erkin elektronlar qatarına qosıladı, sonlıqtan, itip ótkezgishlik artadı. hám, kerisinshe, odan aldınǵı orında turǵan element atomi kiritilse, atomlararo tolıq baylanısıwda 1 elektron jetiwmeydi, tesik payda boladı. Bunda rtip ótkezgishlik artadı. Qosımsha birinshi halda donor (elektron beretuǵın ) qosılma, ekinshi halda bolsa akseptor (elektron alıwshı ) qosılma dep ataladı.
Solay etip, Ya. dıń elektr ótkezgishligi jeke hám qospalı ótkezgishlikler jıyındısınan ibarat boladı. Joqarı tralarda jeke ótkezgishlik, tómen tralarda bolsa qosılmali ótkezgishlik tiykarǵı rol oynaydı.
Yarım ótkeriwshilerdiń dúzilisi
Mısal ushın yarım ótkeriwshiniń tipik wákili bolǵan germaniyni qaraylıq. Onıń tártip nomeri 32 hám tórtew elektron qabıǵı ámeldegi: 1-qabıqta 2; 2-qabıqta 8 ta, 3-qabıqta 18, 4- qabıqta bolsa 4 elektron jaylasqan. Ush ishki qabıqtaǵı elektronlar turaqlı bolıp, ximiyalıq reaksiya -larda qatnasıw etpeydi. Aqırǵı tórtinshi qabıqtaǵı elektronlar bolsa atom yadrosı menen júdá kúshsiz baylanısqan. Naǵız ózi elektronlar elementtiń basqa atomlarining neshesi menen ximiyalıq baylanısıwǵa kirey alıw qábiletin kórsetip, usı elementtiń valentligini anıqlaydı. Sol sebepli de aqırǵı qabıqtaǵı elektronlarǵa sırtqı yamasa valentli elektronlar dep ataladı. Sırtqı qabıǵında tórtew elektronı ámeldegi bolǵan germaniyning valentligi tórtga teń. Usı atomga basqa atomlar jaqınlasqanında valent elektronlar basqa atomning valent elektronları menen ańsat tásirlesedi hám ximiyalıq baylanısıw payda etedi. Atom qabıǵına málim energiya berilgende atomnig ionlashuvi júz beriwi múmkin. Áyne sońǵı qabıqtaǵı elektrondı azat etiw ushın eń kem energiya talap etiledi. Germaniy, kremniy hám yarım ótkeriwshilerdiń basqa bir qansha wákilleri kristall elementlar esaplanadı. Olardıń atomlari málim nizamlıqlarǵa muwapıq jaylasqan boladı.
Ótkeriwshiler, yarım ótkeriwshiler, bólek ójireler
Elektrondı valent zonadan ótkeriw zonasına ótkeriw ushın sırtdan malum energiya beriw kerek. Elektron turaqlı jaǵdaydan (toldırılǵan jaǵdaydan ). erkin jaǵdayǵa (ótkeriw zonasına ) ótiwde jeńiw kerek bolǵan qadaǵan etilgen zonanirtg keńligi qattı denelerdi metallar, yarım ótkeriwshi-lar hám bólek ójirelerge ajıratıwdıń tiykarǵı kriteryalarınan biri bolıp tabıladı. Buǵan keltirilgen sxemalardan ańsatǵana isenim payda etiw múmkin. Zonalardıń elektronlar menen toldırilganligi hám qadaǵan etilgen zonanıń keńligine qaray tórtew hoi bolıwı múmkin. Eń joqarı zona elektronlar menen bólekan toldırılǵan, yaǵnıy ol jaǵdayda bos úst bar. Bul halda elektron júdá kem energiya alǵanda da sol zonanıń joqarılaw energetikalıq júzesine ótiwi, yaǵnıy erkin bolıp, tok ótkeriwde qatnasıwı múmkin. Sonday eken, qattı jismda bólekan toldırılǵan zona ámeldegi bolsa, bul dene elektr tokın ótkeredi. Naǵız ózi ózgeshelik metallarga xos bolıp tabıladı. Eger valent zona hám ótkeriw (erkin) zonası menen bólekan ústpe-úst tusse de, qattı dene elektr tokın ótkeriwshi boladı. Bul Mendeleyev elementler udayı tákirarlanatuǵın sisteması daǵı II gruppa elementleri Be, Mg, Ca, Zn.... larga tán ózgeshelik bolıp tabıladı. Energetikalıq ústi tek valent zona hám ótkeriw zonasınan ibarat qattı deneler, qadaǵan etilgen zonasınıń keńligine qaray dielektriklar hám yarım ótkeriwshilerge ajratıladı. Eger kristalldıń qadaǵan etilgen zonasınıń keńligi bir neshe elektron -volt bolsa, ıssılıq háreketi elektrondı valent zonadan ótkeriw zonasına sakrata almaydı hám bunday kristallarga dielektriklar dep ataladı. Eger qadaǵan etilgen zona onsha úlken bolmasa (AE~ 1 ev), elektrondı valent zonadan ótkeriw zonasına ıssılıq yamasa qandayda bir basqa tásir menen kóshiriw múmkin. Bunday kristallarga yarım ótkeriwshi-lar dep ataladı. Mısalı, germaniy ushın AE= 0, 72 ev, kremniy ushın AE=1. 11 ev ni quraydı. Sonday etip, ótkeriwshiler ushın qadaǵan etilgen zonanıń keńligi no'lga teń, yarım ótkeriwshiler ushın 2 ev den aspaydı, dielektriklar ushın bolsa 2 ev den úlken boladı
Qattı dene ótkezgishlik túri menen parıqlanıwshı yamasa ótkezgishlik túri bil qıylı boiib, salıstırma qarsılıgı menen parıqlanıwshı tarawları arasındaǵı kontakt nátiyjesinde payda bolatuǵın o'tkinchi qatlam elektr o 'tish dep ataladı. Yarım ótkezgish ásbaplarda elektron - gewek o 'tiw yamasa p - n ótiw dep ataluvchi elektr o’tiwden ken’ paydalaniladi. Qadaǵan etilgen zonaları keńligi teń, yaǵnıy ximiyalıq tárepten bir qıylı yarım ótkezgish materiallar (mısalı, Si yamasa GaAs) tiykarındaǵı elektr ótiwler gomoo'tish, qadaǵan etilgen zonaları ma`nisi bir-birinen parıqlanıwshı yarım ótkezgishler tiykarındaǵı ótiwler bolsa getero o 'tiw dep ataladı. Metallarda qadaǵan etilgen zona bolmaǵanı sebepli geteroo'tishlaming jeke holiga uyqas, metall — yarım ótkezgish dep atalıwshı elektr o 'tishlar da elektronikada keń qo'lIaniladi. Kóp yarım ótkezgish ásbaplar hám integral mikrosxemalaming islew Principi elektr ótiwlaming qásiyetlerine tiykarlanadı. Teń salmaqlılıq jaǵdayda p-n ótiw. Yarım ótkezgish ásbaplardıń kópshiligi bir jınslı bolmaǵan yarım o'tkazgichlar tiykarında jaratıladı. Jeke halda, bir jınslı bolmaǵan yarım ótkezgish monokristallning málim tarawı p - túrli, basqa tarawı n - túrli ótkezgishlikti kórinetuǵın etedi. Yarım ótkezgishtiń p -hám n — tarawları shegarasınan eki tárepte kólemiy zaryad salasında elektron — gewek ótiw yamasa p-n ótiw payda boladı. Onıń islew mexanizmin oydinlashtirish ushın n - tarawdaǵı elektronlar hám p - tarawdaǵı gewekler sanı bir-birine teń hám hár bir tarawda az muǵdarda noasosiy zaryad tasıwshılar ámeldegi dep esaplaymiz. Bólme temperaturasında p — túrli yarım ótkezgishde akseptor kirispeler keri ionları konsentraciyası Na\ gewekler konsentraciyası pp ga, n – túrli yarım ótkezgishde bolsa donor kiritpeler oń ionları konsentraciyası N /, elektronlar konsentraciyası n„ ga teń.p - v& n - tarawlar shegarasında gewekler hám elektronlar konsentraciyası gradienti ámeldegi bolǵanlıǵı sebepli elektronlaming p - tarawǵa, geweklaming n - tarawǵa diffuziyasi baslanadı.



2. 1-súwret. Termodinamik teń salmaqlılıq jaǵdayı daǵı p-n ótiw.
Diffuziya nátiyjesinde shegara qasındaǵı n - tarawda elektronlar konsentraciyası qo'zg'almas oń donor ionları konsentraciyasınan azayadı jáne bul qatlam oń zaryadlana baslaydı. Bir waqtıniń ózinde shegara qatar p - tarawda gewekler konsentraciyası da qo'zg'almas keri akseptor ionları konsentraciyasınan azayadı jáne bul qatlam keri zaryad ala baslaydı (2. 1 a-su'wret). Nátiyjede, shegaradan eki tárepte qos elektr qatlam ónim boiadi. Suwretde oń hám keri belgiler menen belgilengen sheńbersheler uyqas túrde donor hám akseptor kiritpeler ionların suwretleydi. Payda bolǵan qos elektr qatlamı p-n ótiw dep ataladı. Bul qatlamda jıldam zaryad tasıwshılar bolmaydı. Sol sebepli onıń salıstırma qarsılıgı p - hám n - sohalamikiga salıstırǵanda júdá joqarı boladı. Ádebiyatlarda bul qatlam jarlılasqan yamasa i-tarawdıń dep ataladı. p - hám n - tarawlar shegarasınan eki tárepte jaylasqan kólemi zaryad oń hám keri belgine iye bo'Igani sebepli p-n ótiw salasında kúshlanganligi Yamasa bolǵan ishki elektr maydan payda etedi. Bul maydan qos elektr zaryad tarawına kirgen tiykarǵı zaiyad tasıwshılar ushın tormozlaytuǵın tásir etip, ulaming p-n ótiw arqalı qońsılas tarawǵa ótiwine qarsılıq kórsetedi. Potensialdıń p-n ótiw maydanına perpendikular bolǵan X baǵıtda ózgeriwi 2. 1 b-suwretde kórsetilgen. Bul jerde p - hám n - tarawlar shegarası daǵı potensial nol potensialǵa teń dep qabıl etilgen funksiyası hám de zaryad tasıwshılaming zonalar boyınsha bólistiriliwi menen birgelikte 2. 1 d-suwretde kórsetilgen. p-n ótiwde voltlarda kórsetilgen kontakt potensiallar ayırmashılıǵı
UK=φn-φp ga teń bolǵan potensial tosıq yamasa kontakt potensiallar ayırmashılıǵı payda bolıwı 2. 1 b-suwretden kórinip turıptı. Uk ma`nisi yarım ótkezgish qadaǵan etilgen zona keńligi hám kiritpeler konsentraciyasına baylanıslı bolıp, tómendegi ańlatpa menen esaplanadı.

Ádetde germaniyli p-n ótiwler ushın kontakt potensiallar ayırmashılıǵı UK≈0. 35 v ni, kremniylilar ushın bolsa - 0, 7 v ni quraydı. p-n ótiwdi payda etiwshi Nd hám Na kiritpeler konsentraciyası texnoiogik shegarada zona sıyaqlı ózgerse keskin p-n ótiw júzege keledi. Onıń keńligi l0 tekǵana kiritpeler konsentraciyasına, bálki ótiwdegi konsentraciyanıń ózgeris nizamlıqına baylanıslı bolıp, tómendegi ańlatpa boyınsha tabıladı.

Mikrometming onlarsha úlesinen bir neshe mikrometrge shekem bolǵan bahalardı quraydı. Sonday eken, tar p-n ótiw payda etiw ushın yarım ótkezgishge joqarı konsentraciyalı kiritpeler kirgiziw,keń p-n ótiw payda etiw ushın bolsa kiritpeler konsentraciyası kishi bolıwı kerek.

Bul jerde, q - elektron zaryadı, ε0 - elektr turaqlısı, ε - yarım ótkezgishtiń salıstırmalı elektr turaqlısı.
IMS quramına kirgen komponentler odan ǵárezsiz ajıratıp alınıwı hám ǵárezsiz buyım retinde isletiliwi múmkin emes. Olar integral elementler dep ataladı. Olardan ayrıqsha alaroq olarǵa konstruktiv maslastırılǵan detal hám apparatlar diskret komponentler dep ataladı. Olar tiykarında dúzilgen bloklar bolsa diskret sxemalar dep ataladı. Joqarı puxtalik hám sapa, ihchamlik, kiyim-kensheklik, arzanlıq integral mikrosxemalarini halq hojaligini barlıq tarawlarında keń qollanilishga sebep bolmoqda. Zamanagóy mikroelektrotexnika tiykarın yarımotkazgichli integral mikrosxemnalar qurap atır. Zamanagóy yarımotkazgichli IMS kristtallarini shıyemlari 1, 5 x1, 5 ten 6 x6 mm ge shekem. Kristall maydanı qansha úlken bolsa oǵan sonsha kop elementli integral mikrosxemani jaylastırıw múmkin baladı. Integral mikrosxemalarida tranzistorlardı malum jalǵanıwlar tiykarında rezistor hám kondensator payda etiw múmkin. Yarımotkazgichli IMS larni qásiyeti sonnan ibarat olardı elementleri arasında induktivlik galtagi jaq, sebebi sol payıtqa deyin qattı denelerde elektromagnit induksiyasiga ekvivalent bolǵan fizikalıq qubılıs alıw múmkinshiligi bolmagan.
Dáslepki KIMS lar MDP (metall dielektrik poluprovodnik lar) struktura tiykarında qurılǵan. Házirgi kúnde KIMS element bazasına bipolyar strukturalar da kiredi.
Elektron hám yarımotkazgichli apparatlardı proektlestiriwdi ulıwma jaǵdayları.
Togri elektron hám yarımotkazgichli apparatlardı strukturalıq hám prinspial elektr sxemaları olardı islew prinsplarini analiz etiwge orgatadi. Biraq bul elektr sxemalar elektrik hám yarımotkazgichli apparatlardı konstruksiyasın belgiley almaydı, bálki olardı dúziw ushın tiykar bala aladı holos. Bunday apparatlardı proektlestiriwdi tiykarǵı prinsplari haqqında túsinikler olardı óndiristegine emes. Bálki olardan paydalanıw ushın da kerek baladı. Elektron hám yarımotkazgichli apparatlardı elementleri aktiv hám passiv bolinadi.
Aktiv elementlerge tómendegiler kiredi: yarımotkazgichli hám elektrovakuum ásbaplar.
Passiv elementlerge bolsa : rezistorlar, kondensatorlar, transformatorlar, induktivlik galtaklari, rele, jalǵawshılar, indikatorlar, sım hám kabellar.
Apparat elementleri optimal jaǵdayda jaylastırılıwı hám bekkemleniwi kerek, bir brilari menen prinspial sxema tiykarında jalǵanıwı kerek. Zamanagóy elektron hám yarımotkazgichli apparatlardı kopchilik bólegi baspa platalarǵa jaylastırılǵan. Bunday platalar dielektrik tiykar esaplanıp tesikleri ámeldegi hám sızılmalar korsatilgan. 0, 3-1, 5 mm diametrde payda etińan tesikler aspa elementler (integral sxemalar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar ) ni jaylastırıw, baspa platanı bekkemlew hám de teris jaǵında jaylastırılǵan elementlerdi jalǵaw ushın isletiledi. Tesik diywalları metallashtiriladi. Aspa elementlerdi ushlari tesiklerde aylanadı, sebebi olarǵa basım sımlar kelgen. Sonday etip baspa uzel (túyin) payda etinadi.
Baspa platalardı maydanın kemeytiw ushın kopqatlamli platalar (KQP) qollanıladı, olar almshinuvchi dielektrik qatlamlardan dúzilgen baladı. KQP qatlamlarda baspa sımlardı bólistiriliwi baspa platalardı shıyemlarini keskin kemeytiwge alıp keledi, bul zat kop shıǵıwlarǵa iye bolǵan mikrosxemalardan paydalanıladı.
Elektron hám yarımotkazgichli apparatlar (EYAK) ni proektlestiriw hám isletiwde agregatlashtirishni qollash úlken payda beredi. Agregatlashtirish-ozaro almastıriletuǵın uzel hám bloklardan dúzilgen apparatlardı konpanovkalash usılı bolıp tabıladı. Agregatlashgan komplekslerdi dúziwde oǵan kirgen barlıq uzel hám bloklardı talshıq elektrik hám konstruktiv almasınıwı kozda tutıladı. Tiykarǵı tipoviy bloklar hám subbloklar unifikasiyalashtirilgan, bul jaǵday jańa apparaturalarni islep shıǵıw hám óndiriske nátiyjeni ámelde qollanıw etiw waqtın keskin qısqartiradi. Agregatli komplekslerge standart shıyemlarga iye bolǵan konstruktiv elementler yigmasi kiredi.
Agregatli kompleksler nomentklaturasi sonday dúzilediki, salıstırǵanda az bloklar yigindisini malum sanıında túrli quramalılıqqa wazıypaǵa iye bolǵan apparat hám sistemalar korish múmkin bolsin. Agregat kompleksine mısal etip emirilmaydigannazorat apparatı kompleksin alıw múmkin. Onı quramına mashina, belgilengen cjastota generatorı, analog-diskret ozgartirgich hám bir kanallı ozi jazar rezistorlar subbloklari hám de bazi bir basqa bloklar kiredi.
Elektron hám yarımotkazgichli apparatlardı konstruktiv atqarılıwı júdá hilma hil hám olardı vajifalari isletiliw tarawı menen anıqlanadı. Maslan stasionar sharayatlarda islew ushın arnalǵan elektron apparaturani samoliot bartiga yamasa kosmik kemede isletiledihan apparaturadan ayırmashılıǵı úlken.
Integral mikrosxema (IMS) elektr tárepten óz-ara baylanısqan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar hám basqalar ) kompleksi bolıp, birden-bir texnologiyalıq siklda atqarıladı, yaǵnıy bir vatqning ózinde birden-bir konstruksiya (tiykar) de málim informaciyanı qayta islew funksiyasın atqaradı.
IMSlarning tiykarǵı ózgesheligi sonda, ol quramalı funksiyalardı orınlaw menen birge kúsheytgish, trigger, esaplaǵısh, yad apparatı hám basqa funksiyalardı da atqaradı. Tap sol funksiyalardı orınlaw ushın diskret elementlerde uyqas keliwshi sxemanı jıynaw talap etińardi.