Diffuziya járdeminde legirlew pútkil kristall maydanı bo ylap yamasa nıqapdaǵı sańlaqlar arqalı ma’lim tarawlarda (lokal) a’melge asıriladı. Ion legirlew jetkilikli energiyaǵa shekem tezletilgen kiritpe ionların nıqap daǵı sańlaqlar arqalı kristalǵa kirgiziw menen amelge asıriladı. Ion legirlew universallıǵı hám ańsat ámelge asırılıwı menen xarakterlenedi. Ionlar tokın o'zgertirip legirlewshi kiritpeler konsentraciyasın, energiyasın o 'zgertirip bolsa — legirlew tereńligin basqarıw mumkinligin ashıw. Buzıw. Yarım o 'tkizgish, onıń sırtındaǵı oksidler hám basqa birikpelerdi ximiyalıq zatlarda da olardin’ qospaları járdeminde eritip tazalaw procesine buzıw dep ataladı. Buzıw yarım ótkeriwshi sırtın tazalaw, oksid qatlam da “ayna”lar ashıw hám túrli kóriniske iye bolg’an “ shuqirliqlar ” ónim qılıw ushın qollanıladı.Yarım ótkeriwshi sırtın tazalaw hám “ayna”lar payda etiw ushın izotrop buzıwdan paydalanıladı, bunda yarım ótkeriwshi barlıq kristalografiyaliq jónelisler boylap birdey tezlikte eritiledi. Geyde yarım ótkeriwshi túrli kristalografik jónelisler boylap túrli tezlikte eritiw hám nátiyjede túrli kóriniske iye bolǵan “tereńshe ”ler payda etiw zárúr boladı.
Anizotrop jemiriliw menen , misali, mikrosxemalar tayarlawda da (elementlerdi bir-birinen dielektrik penen izolatsiyalashda) dielektrik qatlam o 'stiriwshi “teren’sheler ” payda etiledi. Fotolitografiya. Yarim ótkeriwshi plastinadagi metall yamasa dielektrik perdeler sırtında ma'lim formadaǵı lokal tarawlardı payda etiw procesi fotolitografiya dep ataladı. Fotolitografiya processinde ultrafioletoviy nur ta 'sirinde o 'z qásiyetlerin o 'zgertiriwshi, fotorezist dep atalıwshı, arnawlı zatlar isletiledi. Fotorezist oksidlengen kremniy plastinasi sırtına jag’iladi hám kvars shıyshe nıqap arqalı jaritiladi. Niqaplar tiniq hám ashıq emes tarawlarǵa iye bolg’ani ushin fotaprezistnın ma 'lim jag’daylarda jariqliq (ultrafioletoviy nur) ta 'sir etip, onıń ózgesheligi o'zgartiriladi. Bunday nıqaplar fotoshablonlar dep ataladı. Fotorezist túrine baylanıslı halda onıń eriwsheńligi artpaqtası (pozitiv fotorezist) yamasa kem aymaqtası (negativ fotorezist) mumkinshiligin ashıw. Pozitiv fotorezist qatlam jaqtılıq nurı ta 'sirida o 'tedi hám eritiwshi ta 'sirinde eriytuǵın, negative fotorezist bolsa — kerisinshe Sonday etip, fotorezist qatlamnan fotoshablondagi formanı tákirarlaytuǵın qorg’awshi nıqap payda etiledi. Fotorezist qatlamda payda etiledi sol arqalı oksidlengen yarım ótkeriwshiniń qorg’almag’an tarawlarına ximyaliq islew beriledi (jemiriledi).
IMS tayarlawda fotolitografiya processinnen bir neshe marte (5-^7 Ma’rte) paydalanıladı (negiz qatlamlar, emitterler, omik kontaktlar payda etiwde hám t.b. ). Bunda hár gezek o 'ziga tán “súwret 'Mifotoshablonlar isletiledi. Altida ERIye iye IMS payda etiwde fotolitografiya procesiniń izbe izligi ko’rsetilgen. Perdeler payda etiw. Perdeler IS elementlerin elektr jag’inan jalǵaw da da rezistorlar, kondensatorlar hám gibrid IS larda elementler arasındaǵı izolatsiyani a’melge asırıw ushın qollaniladi.
Perdeler vakuumda termik puwlaniw , materialin ionlar menen buzg’anda az waqıt etip ushırıw yamasa gaz fazadan, suwlı eritpeden ximiyalıq o 'tkiziw usılları menen payda etiledi. Har bir usıldıń abzallıǵı hám kemshiligi bar. Misal jol menende metallaw — kristall yamasa tiykar sırtında metal perdeler (sxemada elementlerdin’ o 'z ara jalǵanıwı, kontakt maydanshalar , passiv hám aktiv elementler elektrodları ) payda etiw procesin kórip shig’amız. Metallaw ushın altın, nikel, gu’mis , aluminiy hám Cr-A ol, Ti-A ol hám basqalar isletiledi. Kremniy tiykarındaǵı IMSlarda metallawdi amelge asırıw ushın tiykarınan alyuminiydan paydalanıladı.Baxasi qimbat bolmag’an halda, Ko’rse medicina o 'tilgen metallar siyaqli ol p — kremniy menen kontakt payda etedi, kishi salıstırma qarsılıqqa iye hám úlken jag’dayg’a shidaydi . Alyuminiy vakuum da termik puwlanıw usılı menen sırtqa o 'tkiziledi kontakt ónim qılıw ushın odaǵı donorlar konsentraciyası 1020 sm~3 átirapında bolıwı kerek. Bunnan joqarı konsentraciyaǵa iye bolg’an tarawdıń n+ dep belgilenedi. Metallaw procesi yarım ótkeriwshi plastina kólemine sxema elementleri payda etetug’in son’ a’melge asiriladi .
Birinshi náwbette plastina sırtında Sio2 qatlam payda etiledi. Sonnan keyin kremniy menen kontaktlar payda etiwshi kerek bolg’an orınlarda, fotolitografiya usılı menen , Sio2 perde qatlaminda “ d a r c h a” lar ashiladi Keyin vakuumda termik puwlanıw usılı menen plastina sırtında qalıńlıǵı 1m km atirapinda bolg’an alyuminiy qatlam ónim qilinadi .Kontakt maydanshalari hám elektr jag’inan birlestiriwshi o 'tkizgishlerdin’ zárúrli forması fotolitografiya usılı menen payda etiledi. Alyuminiy qatlamnin’ isletilmeytug’in tarawları jemiriliw usılı menen alıp taslanadı, keyininen alyuminiy menen kremniy arasında kontakt payda etiw ushın plastinaga termik islew beriledi . Ha’zirgi waqitta metalda elektr o’tkiziwshen’ligi alyuminiyg’a salistirg’anda u’lken bolg’an iyis qollanilmaqta.
Do'stlaringiz bilan baham: |