«telekommunikaciya texnologiyalarí HÁm kásiplik tálim» fakulteti «Informaciyaliq qáwipsizligi»

Zonali eritiw usilinda monokristall pataslaniwshi kiritpelerden qosimsha tazalanadi. Bunda kristaldin’ tar zonasi eritilip , eritilgen zona kristaldin’ bir ushinan ekinshi ushina asten jiljitip bariladi. Kiritpelerdin’ erigen fazada eriwshen’ligi qatti jag’daydag’i eriwshen’ligine qarag’anda u’lken bolsa , sol kiritpeler suyuq fazag’a o’tip kristaldin’ ekinshi ushina jiljip bariladi ha’m sol jerde toplanadi .

Epitaksiya. Epitaksiya procesi tiykar sırtında onıń kristalı dúzilisin tákirarlaytuǵın juqa monokristall jumısshı qatlamlar payda etiw ushın isletiledi. Tiykar bunda bekkemlikti ta 'miyinlew hám kristallanip atirg’an qatlam tákirarlawı zárúr bolǵan kristall tor retinde xizmet etedi. Keyingi texnologiyalıq processlerde epitaksial qatlam da IMSnin’ aktiv hám passiv elementleri payda etiledi. Gaz fazalı hám suyıq fazalı epitaksiya usılları keń tarqalǵan bolıp, olar monokristall tiykar sırtında n— yamasa turli o'tkiziwshen’-likke iye bolg’an epitaksial qatlamlar payda etiw imkanin beredi.

Termik oksidlew. Termik oksidlew — kremniy sırtında oksid (SiO,) qatlam (p payda etiw maqsetindede jasalma jol menen oksidlewden ibarat process. Ol joqarı (1000 -^1200) °C temperaturalarda keshedi. IMSlar tayarlawda SiO, qatlam bir neshe arnawli funksiyalardı atqaradı : sirtin qorg’awshi qatlam ; niqap wazıypasın atqarıp, odaǵı sańlaqtan zárúr kiritpeler kiritiledi; M D Y — tranzistorlarda zatvor astındaǵı juqa dielektrik qatlam retinde isleydi. Legirlew. Yarim ótkeriwshi kólemine kiritpelerdi kirgiziw procesi legirlew dep ataladı. IMSlar tayarlawda legirlaew sxemanin’ aktiv hám passiv elementlerin payda etiw ushın, zárúr o 'tkiziwshen’likti ta’miyinlewi kerek. Legirlewdin’ tiykarg’i usillari joqari temperaturalarda kiritpeler atomlarin diffuziyalaw hám joqarı energiyalı ionlar menen ezetug’in az waqıt qılıwdan ibarat .