Tasdiqlayman’’ Oltiariq sanoat texnikumi direktori ­­­­­­­­ ­­­­­­­­­­­­­ U. Jomiyev

Yarim o’tkazgichli diod nima?

Tunel diodlari nima?

Maqsad va vazifaning belgilanishi:
(2.2-ilova)
Mashg’ulotning nomi, rejasi, maqsad va kutilayotgan natijalar bilan tanishtiradi va yozib olishlarini aytadi.



yANGI Mavzu: O’tish va uning xususiyatlari
Reja:

1. 
   P-N o’tishning xosil bo’lishi
   
2. 
   Elektron kovak o’tish
   

3.P-n o’tishning tog’ri vateskari ulanishlari .





O’quvchilar faoliyatini faollashtirish:
(2.3-ilova)
Tezkor so’rov usuli orqali bilimlarni faollashtiradi.



Tezkor so’rov uchun savollar

4. 
   Yarim o’tkazgichli diod deb nimaga aytiladi?
   
5. 
   Diodlar nima maqsadlarda qo’llaniladi?
   
6. 
   Diodlarning yana qanday turlari bor?
   

Yangi o’quv materiali bayoni:
(2.4-ilova)
Nazariy darsning asosi bayon qilinadi.
Yarim o‘tkazgichli asboblarning ko‘pchiligi bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgich bir sohasi p–turdagi, ikkinchisi esa n-turdagi monokristaldan tashkil topadi.
Bunday bir jinsli bo‘lmagan yarim o‘tkazgichning p va n – sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo‘ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o‘tish yoki p-n o‘tish deb ataladi. Ko‘p sonli yarim o‘tkazgichli asboblar va integral mikrosxemalarning ishlash printsipi p-n o‘tish xossalariga asoslangan.
P-n o‘tish hosil bo‘lish mexanizmini ko‘rib chiqamiz. Soddalik uchun, n– sohadagi elektronlar va p– sohadagi kovaklar sonini teng olamiz. Bundan tashqari, har bir sohada uncha katta bo‘lmagan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar miqdori mavjud. Xona temperaturasida p–turdagi yarim o‘tkazgichda akseptor manfiy ionlarining kontsentratsiyasi N_a kovaklar kontsentratsiyasi p_r ga, n–turdagi yarim o‘tkazgichda donor musbat ionlarining kontsentratsiyasi N_d elektronlar kontsentratsiyasi n_n ga teng bo‘ladi. Demak, p- va n–sohalar o‘rtasida elektronlar va kovaklar kontsentratsiyasida sezilarli farq mavjudligi tufayli, bu sohalar birlashtirilganda elektronlarning p –sohaga, kovaklarning esa n-sohaga diffuziyasi boshlanadi.
Diffuziya natijasida n– soha chegarasida elektronlar kontsentratsiyasi musbat donor ionlari kontsentratsiyasidan kam bo‘ladi va bu soha musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning o‘zida p-soha chegarasidagi kovaklar kontsentratsiyasi kamayib boradi va u aktseptor kiritmasi bilan kompensatsiyalangan ion zaryadlari hisobiga manfiy zaryadlana boshlaydi (8a–rasm). Musbat va manfiy ishorali aylanalar mos ravishda donor va akseptor ionlarini tasvirlaydi.
Hosil bo‘lgan ikki hajmiy zaryad qatlami p-n o‘tish deb ataladi. Bu qatlam
harakatchan zaryad tashuvchilar bilan kambag‘allashtirilgan. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p- va n–soha qarshiliklariga nisbatan juda katta. Ba’zi adabiyotlarda bu qatlam kambag‘allashgan yoki i – soha deb ataladi.
Hajmiy zaryadlar turli ishoralarga ega bo‘ladilar va p-n o‘tishda kuchlanganligi

^E ga teng bo‘lgan elektr maydon hosil qiladilar. Asosiy zaryad tashuvchilar uchun
bu maydon tormozlovchi bo‘lib ta’sir ko‘rsatadi va ularni p-n o‘tish bo‘ylab erkin harakat qilishlariga qarshilik ko‘rsatadi. 8 b-rasmda o‘tish yuzasiga perpendikulyar bo‘lgan, X o‘qi bo‘ylab potentsial o‘zgarishi ko‘rsatilgan. Bu vaqtda nol potentsial sifatida chegaraviy soha potentsiali qabul qilingan.

Yarim o‘tkazgichni bir tomonini akseptorli aralashma bilan ikkinchi tomonini esa – donorli aralashma bilan legirlashganda, maxsus xususiyatlariga ega bo‘lgan yupqa o‘tish qatlami paydo bo‘ladi. Bu qatlamda, diffuziya tufayli zaryad tashuvchilari konsentarsiya katta bo‘lgan joydan konsentratsiyasi kam bo‘lgan joyga xarakatlanadi.
Shunday qilib, p-tipdagi qatlamdan n-qatlamga teshiklar diffuziya orqali o‘tadi n-tipidagi qatlamdan p-tipidagi qatlamga elektronlar diffuziya orqali o‘tadi. Bunda ular qo‘shni xududlardagi teskari belgili asosiy zaryad tashuvchilar bilan birlashadi – rekombisiylashadi. Bunday xolatda o‘tish qatlamining chegarasida harakatlanuvchi asosiy zaryad tashuvchilardan kamayib ketgan va n-p - o‘tish katta qarshilikka ega bo‘lgan soha paydo bo‘ladi. Chegara qatlamining ikkala tomonida qolgan turg‘un ionlar, o‘lchamlari bo‘yicha bir xil, ammo belgisi bo‘yicha har xil hajmiy zar- yadlarni yaratadi: N-qatlamida - manfiy, p-qatlamida esa – musbat. Bu qo‘sh elektr qatlami elektr maydonini yaratib, keyinchalik zaryad tashuvchilarni o‘tishi to‘siladi va muvozanat holati paydo bo‘ladi (2-rasm).

2-rasm


N-o‘tkazuvchvanlik xududiga tok manbaini manfiy qutibi, p-o‘tkazuvchanlik xududiga esa – tok manbaini musbati ulanganda, maydon hosil bo‘ladi, uning ta’sirida elektronlar ichkariga otiladi (3-rasm), bu yerda – a-teskari kuchlanish va b-to‘g‘ri kuchlanish qo‘yilgan holat deyiladi