Tajriba mashg`ulot
(1-qism)
Rele, kontaktor va puskatellarni konstruksiyalari va ishlash printsipini
o`rganish
Ishdan maqsad: Rele qurilmasining ishlash printsipi bilan tanishib chiqish.
Eksperiment o`tkazish yo`li bilan relening ishlashini tadqiq qilish.
Kerakli asbob va uskunalar: doimiy kuchlanish manbai,
elektromagnit rele,
MOSFET tranzistori, raqamli multimetr, motor, rezistor, o`tkazgichlar, tugma
(knopka).
Qisqacha nazariy ma`lumotlar
Avtomatlashtirish tizimida dastavval himoya qurilmasi qilib, eruvchan
saqlagichlar qo‘llanilgan. Quvvat va kuchlanishni oshishi, avtomatlashtirishning
elektr tizimlari ulanish sxemalarining murakkablashishi eruvchi saqlagichlarni ko‘p
kamchiliklarini namoyon qildi va buning oqibatida yangi himoyalovchi qurilma
yaratildi. Bu himoyalovchi qurilma maxsus avtomat-rele bo‘lib, uni yordamida
amalga oshiriladigan himoya releli himoya deb nomlanadi.
Releli himoya elektr avtomatikasining asosiy turi bo‘lib, usiz hozirgi zamon
elektr tizimlari normal va mustahkam ishlay olmaydi. U avtomatika tizimining
barcha elementlari holatlarini doimo tekshirib, nazorat qilib boradi.
Odatda, releli himoyaning qurilmalari bir necha ma’lum bir sxema bo‘yicha
ulangan relelardan iborat bo‘ladi.
Rele bu avtomatik qurilma bo‘lib, ma’lum bir ta’sir etuvchi kattalikni
qiymatida harakatga keladi yoki ishlaydi.
Rele texnikasida kontaktli (elektromexanik) va kontaktsiz (yarim o‘tkazgichli
yoki ferromagnit elementli) relelar qo‘llaniladi.
1-tur relelar ishlagan paytda kontaktlar ulanadi yoki uziladi.
2-tur relelar ishlagan paytda kiruvchi kattalikning ma’lum qiymatida chiqish
kattaligi (masalan, kuchlanish) sakrab o‘zgaradi.
Har bir himoya qurilmasi va uning sxemasi ikki qismga bo‘linadi:
• ta’sir javob beruvchi (reaksiya ko‘rsatuvchi);
• mantiq (logik).
Eng oddiy elektromagnit relesining sxemasi quyidagi 7.1-rasmda
ko‘rsatilgan.
7.1-rasm. Elektromagnit rele
Cho‘lg‘amdagi 3 kuchlanish ta‘sirida hosil bo‘lgan magnit maydon
xarakatlanuvchi yakorni 1 qo‘zg‘almas o‘zakka 2 tortadi. Yakorning xarakati
natijasida kontaktlar 5 ulanadi. Kuchlanish ajratilsa prujina 4 ta‘sirida kontaktlar
eski holatiga qaytadi. Qoldiq magnit oqimi ta‘sirida yakor tez ajratish maqsadida
uzoqqa nomagnitik materialdan bajarilgan shtift qotiriladi. Cho‘lg‘amdagi tokning
ko‘rinishi bo‘yicha elektromagnit relelar o‘zgarmas hamda o‘zgaruvchan tok sanoat
va yuqori chastotali relelarga ajratiladi. Relelarning to‘g‘ri va puxta ishi ularning
tortish va mexanik tavsifnomalari o‘zaro moslanganlikka bog‘liq.
Bipolyar tranzistorlar 1970-yillarning boshlarida juda samarali MOSFETlar
paydo bo'lgunga qadar ishlatilgan yagona haqiqiy kuch tranzistorlari edi. Bipolyar
tranzistorlar nisbatan sekin o'chirish xususiyatlariga ega va ular ikkilamchi
parchalanishga olib keladigan salbiy harorat koeffitsientini namoyish etadi. Biroq,
MOSFETlar - bu oqim tomonidan boshqariladigan emas, balki kuchlanish bilan
boshqariladigan qurilmalar. Ular termal qochishni to'xtatadigan qarshilik uchun
ijobiy harorat koeffitsientiga ega va natijada ikkilamchi parchalanish bo'lmaydi.
MOSFET, qisqa vaqt ichida "Metall Oksidi Yarimo'tkazgichlar Field Effect
Transistor" - bu murakkab tuzilishi va yuqori kirish empedansi tufayli juda keng
miqyosli integral mikrosxemalarda keng qo'llaniladigan dala effekti tranzistoridir.
Bu analog va raqamli signallarni boshqaradigan to'rtta terminalli yarimo'tkazgichli
qurilma.
MOSFET keng tarqalgan kremniyning oksidlanishi natijasida ishlab
chiqarilgan FETning eng keng tarqalgan izolyatsiyalangan shlyuzidir. MOSFET
odatda kanalning kengligini manba va drenaj o'rtasida joylashgan va silikon
oksidning yupqa qatlami bilan izolyatsiya qilingan darvoza deb ataladigan
elektroddagi kuchlanish bilan elektron ravishda o'zgartiradi. MOSFET ikkita usulda
ishlashi mumkin: cho'kish va kuchaytirish holati.
MOSFETlar elektrostatik zaryadga (ESD) ko'proq sezgir bo'ladilar, chunki
MOSFETda MOS texnologiyasining yuqori kirish empedansi zaryadning
boshqarilishini taqsimlashga imkon bermaydi. Qo'shimcha kremniy oksidi izolyatori
eshikning sig'imini pasaytiradi, bu esa uni juda yuqori kuchlanish burilishlaridan
himoyasiz qiladi, ichki qismlarga zarar etkazadi. MOSFETlar ESDga juda sezgir.
Uchinchi avlod IGBTlari MOSFETning kuchlanish qo'zg'atuvchisi xususiyatlarini
bipolyar tranzistorning past qarshilik qobiliyati bilan birlashtiradi va shu bilan ularni
haddan tashqari yuklanish va kuchlanish darajasiga nisbatan juda bardoshli qiladi.
7. 2-rasm. MOSFET tranzistor
Ushbu laboratoriya ishida elektromagnitli rele yordamida doimiy manbaga
ulanadigan dvigatelni ikki tomonlama harakatga keltirish uchun quyidagi sxemani
quramiz.
