Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

Интегральные МДП-транзисторные диоды формиру-
ются также на базе р-п-переходов транзисторов с индуциро-

---

47 
ванным каналом в подложках разного типа электропроводно-
сти (рис. 2.16). 
Рис. 2.16. Интегральные МДП-транзисторные диоды на базе 
исток-подложка, сток-подложка 
Во многих ИС предпочтение отдается диодам с барьером 
Шоттки, имеющим меньше размеры и большее быстродейст-
вие, чем интегральные диоды на основе p-n-переходов. Диоды 
Шоттки представляют собой контакт металла с кремнием, 
легированным донорной примесью (менее 10
17
см
-3
). На рис. 
2.17 приведены конструктивные решения планарных диодов 
Шоттки: 
 
а) 
 
 
 
 
 б) 
 
 
в) 
Рис. 2.17. Конструктивные решения планарных диодов
Шоттки: 1 - металл, образующий барьер Шоттки; 2 - металл,
образующий омический контакт 

---

48 
- конструкция с охранным кольцом из р
+
-области крем-
ния позволяет исключить сильные электрические поля на кра-
ях (а); 
- диод Шоттки с расширенным электродом позволяет из-
бежать пробоя (б); 
- конструкция с выпрямляющими и омическими контак-
тами (в). 
Высота барьера зависит от используемого металла. Так 
как для межэлементных соединений обычно используется 
алюминий, то его целесообразно применять для формирования 
диодов Шоттки, как это делается в интегральных транзисторах 
с диодом Шоттки. Указанные диоды имеют высоту потенци-
ального барьера примерно 0,7 В, но воспроизводимость их па-
раметров низкая. Сечение диода Шоттки, показанное на рис. 
2.18, представляет следующие элементы: 1 - металл, образую-
щий с n - полупроводником барьер Шоттки; 2 - металл, обес-
печивающий омический контакт с n
+
- областью. Контакты 1 и 
2 являются выводами диода Шоттки. Для качественных дио-
дов Шоттки вместо алюминия используют сплав платины и 
никеля Ni
x
Pt
1-x
, образующий с кремнием силицидный слой. 
Меняя значения х, можно получить высоту барьеров от 0,64 эВ 
при х
=
0
(или 100 % Ni) до 0,84 эВ при х = 100 % (или 100 % 
Pt). Диоды с гораздо меньшей высотой барьера (от 0,53 до 
0,59 В) получают при использовании сплава тантала и вольф-
рама.
Рис. 2.18. Диоды с барьером Шоттки: 1 - металл, образующий 
барьер Шоттки; 2 - металл, образующий омический контакт