Среднее профессиональное образование а. В. Грищенко, В. В. Стрекопытов электрические машины и преобразователи подвижного состава

Параллельно-последовательное соединение диодов. В мощных высоковольтных 
полупроводниковых 
преобразователях 
электроэнергии 
применяется 
параллельно-
последовательное соединение диодов. В этом случае предпочтение отдают лавинным 
диодам, так как технология их изготовления обеспечивает более равномерную структуру р – 
n-перехода и меньший разброс вольтамперных характеристик, чем у простых диодов. 
Например, в одном плече тепловозной выпрямительной установки УВКТ-5 имеется десять 
параллельных ветвей по два последовательно соединенных диода в ветви (рис. 10.21). 
10.7. Системы управления статическими преобразователями. 
Требования к системам управления полупроводниковыми преобразователями. Эти системы 
должны соответствовать следующим требованиям. 
1. Создавать синхронизированную с напряжением питающей сети m-фазную систему 

---

118 / 203 
импульсов управления, каждый из которых способен включить силовой полупроводниковый 
прибор, применяемый в схеме преобразования. 
2. Обеспечивать требуемый сдвиг по фазе импульсов управления относительно напряжения 
питания. 
3. Для надежного открывания силовых полупроводниковых приборов, применяемых в 
преобразователях напряжения и имеющих различные значения сопротивления 
управляющего перехода, вырабатывать такие значения тока и напряжения управления, 
которые обеспечивают их гарантированное включение с учетом максимальной мощности, 
выделяемой на управляющем переходе. 
Так как сопротивление управляющего перехода силовых полупроводниковых приборов 
обычно составляет 20...30 Ом, а выпрямленный ток I
d
= 50...500 А, то напряжение на выходе 
устройства управления должно быть не более 12 В. Это свойство силовых 
полупроводниковых приборов дает возможность применять в системах управления 
маломощные полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, интегральные микросхемы 
и т.п.). 
4. 
Обратное 
напряжение, 
подаваемое 
на 
управляющий 
электрод 
силовых 
полупроводниковых приборов, не должно превышать 1,0 В. Наличие обратного напряжения 
на управляющем электроде может привести к увеличению обратного тока и выходу его из 
строя. 
5. Для четкого открытия силовых полупроводниковых приборов и уменьшения мощности 
потерь во всех режимах работы формируемые импульсы управления должны иметь крутой 
передний фронт. 
6. Для предотвращения неравномерной нагрузки фаз симметрия управляющих импульсов, 
подаваемых на приборы различных фаз, должна поддерживаться с точностью 1...2 эл. град, 
во всем диапазоне фазового управления. 
7. Для возможности регулирования выходного напряжения от нуля до максимального 
значения должен быть обеспечен полный диапазон изменения угла управления α.