Современные методы исследования Тестлер Кристалл бетиндеги атомлардың бетлик тығызлығы шамасы қандай? А

А – электронларда шашыраў
Б – атом ядроларының кулон майданында шашыраў
В – кристалл решеткасы бөлекшелериниң жыллылық тербелсилеринде шашыраў.

18. 
    Шаққан (тезлиги жоқары) ионлардың кери шашыраў спектриниң қа йсы характеристикасы беттиң элементлик қурамын анықлаў ушын қолланылады?
    

А – спектрдиң сәйкес шақабына сәйкес келетуғын ионлардың максималь кинетикалық энергиясы.
Б – спектрдиң сәйкес шақабына сәйкес келетуғын ионлардың минималь кинетикалық энергиясы.
В – спектр сызығының интенсивлиги
Г – спектр сызығының ярым ени

19. 
    Шаққан (тезлиги жоқары) ионлардың кери шашыраў спектриниң қайсы характеристикасы подложка бетиндеги пленканың қалыңлығын анықлаў ушын қолланылады?
    

А – спектрдиң сәйкес шақабына сәйкес келетуғын ионлардың максималь кинетикалық энергиясы.
Б – спектрдиң сәйкес шақабына сәйкес келетуғын ионлардың минималь кинетикалық энергиясы.
В – спектр сызығының интенсивлиги
Г – спектр сызығының ярым ени

20. 
    Шаққан (тезлиги жоқары) ионлардың кери шашыраў кесими () пенен шашыратыўшы атом ядросы заряды (Z) қалай байланысқан?
    

А – ~Z
Б – ~1/Z
В – ~Z²
Г – ~1/Z²

21. 
    Шаққан (тезлиги жоқары) ионлардың еки компоненталы қуйма А_хВ_у пленкасынан кери шашыраў спектринде еки интенсивликлери I_A ҳәм I_В болған сызықлар бар. З А элементтиң заряды Z_A, ал оның пленкадағы концентрациясы N_A, В элементтиң заряды - Z_В, оның пленкадағы концентрациясы - N_В. Интенсивликлердиң қатнасы қандай болады?
    

А – I_A/I_B=N_AZ_А/(N_ВZ_В)
Б – I_A/I_B=(N_A/N_В)(Z_B/Z_A)