Сигааплфни кучаттириш

Текшириш учун саволлар

1.Аналогли сигналлар қандай сигналлар?

2. Рақамли сигналлар қандай сигналлар?
3.Мантиқий операциялар қандай амалга оширилади?
4. Транзисторли мантиқий рақамли микросхемалар қандай ишлайди?
5. Инвертор нима вазифани бажаради?
6. ЭСЛ рақамли микросхемаларни ишлаш принципи қандай?
7. Триггер нима вазифани бажаради?
8. RS- триггер нималардан ташкил топади?
9. Аналогли сигнални рақамли сигналларга айлантирувчи қурилмалар нималардан ташкил топган?
10.Хотира қурилмалари қаерларда ишлатилади?

Илова

1. Якка кучайтириш каскадларини ҳисоблаш
1.1 p-n-p типдаги транзистор УЭ схемасида уланган (1.1- расм)
Агар: а) база-эмиттер кучланиши U_бэ=-0,4 В ва коллектор-эмиттер кучланиши U_кэ=-0,3В
б) U_бэ=-0,4 В ва U_кэ=-10 В
в) U_бэ=-0,4 В ва U_кэ=-10 В
бўлса, транзистор қандай режимда ишлайди?
Ечиш:
а). Эмиттер ўтишда тўғри кучланиш (-0,4 В) ва коллектор ўтишда ҳам тўғри кучланиш (0,1В) бўлгани учун транзистор тўйиниш режимида ишлайди.
б) эмиттер ўтишда тўғри кучланиш (-0,4 В) коллектор ўтишда тескари кучланиш (-9,6 В) бўлганлиги учун транзистор актив режимда ишлайди.
в) Иккала ўтишда ҳам тескари кучланиш, яъни эмиттерда –0,4 В,
коллекторда - 10,4 В бўлгани учун транзистор С режимда ишлайди.

1.1-расм.

1.2. p-n-p типли транзистор УЭ схемада уланган. База-эмиттер кучланиши U_БЭ= - 0,8 В, коллектор-эмиттер кучланиш U_КЭ= - 10 В.База-колектор кучланишни топинг.

Е ч и ш :
U_ЭБ+U_БК+U_КЭ=0 бундан,

U_КБ=-10+0,8=-9,2 В

1.3. n-p-n типли транзистор УБ схемада уланган. База-эмиттер кучланиши U_БЭ= - 0,5 В, база-коллектор кучланиши U_КБ= 12 В. Коллектор-эмиттер кучланишини топинг.

Е ч и ш :
U_ЭБ+U_БК+U_КЭ=0 бундан,

U_КЭ=12+0,58=12,5 В.

1.4. р-n-р Транзистор УБ схемада уланган. Эмиттернинг дифференциал қаршилигини формула билан топиш мумкинлигини кўрсатинг, бунда I_Э=2 мА бўлса, Т=300 К да ҳисобланг.

Е ч и ш : Эмиттер ўтишда тўғри кучланиш берилгани учун эмиттер токини қуйидагича топиш мумкин:

Бу ерда I_ЭБо - тескари ток.
У ҳолда,

U_КБ=const
Лекин, I_Э>>I_ЭБо ; ва
I_Э=2 мА да Т=300 К

1.5. УБ схемада уланган транзисторнинг алмаштириш схемасидан фойдаланиб, h параметрлари ва хусусий параметрлари орасидаги боғлиқликни аниқланг.

Е ч и ш :
U₂=0 ва U₂=0

Параметрлари ўзгарувчан ток учун чиқишда қисқа туташув режимда аниқланади. Шунинг учун бу параметрларни топишда 1.2-расмни 1.3-расмга ўзгартирамиз. Бу схемага Кирхгоф тенгламасини қўллаб, киришдаги кучланишни топамиз:

Ўзгарувчан ток учун чиқишдаги қисқа туташув транзисторларнинг кириш қаршилиги

r_к>>r_б эканлигини хисобга олиб, юқоридаги тенгламани соддалаштириш мумкин:
Z 1.3-расмдаги схемадан кўринадики:

бундан,
яъни, бундан

Сурат ва махражини r_k га бўлиб, қуйидагини хосил қиламиз:


h_12б ва h_22б параметрлари ўзгарувчан ток учун кириш қаршилиги занжирнинг салт ишлаш режимида аниқланади. Бунда бевосита ток генератори ўчик бўлади. Бу ҳолда

1.6. Транзисторларнинг z ва y параметрлари орасидаги боғлиқликни аниқланг.

Е ч и ш :


z- параметрлар ва у –параметрлар системалари учун тенгламалар юқоридаги кўринишда бўлади. Биринчи системани тенгламаси I₁ ва I₂ га нисбатан ечиб, қуйдагини хосил қиламиз:

Бу ерда

Иккинчи система тенгламадаги U₁ ва U₂ олдига биринчи системадаги мос коэффициентларни қўйиб, қуйидаги тенгликларни ҳосил қиламиз.