Sana “ ” 201 yil. Mavzu: 1-mavzu. Fizikaning tadqiqot metodlari

Kovaklar esa p-sohadan itarilib, n-sohaga tortiladi. Natijada berkituvchi qatlam torayadi va undan 
zaryad tashuvchilar o‘ta boshlaydi (9.9-rasm). Yarimo‘tkazgichdan tok o‘tadi. Bunday holatni to‘g‘ri p 
–n o‘tish deyiladi. To‘g‘ri p–n o‘tishda yarimo‘tkazgichning elektr qarshiligi, teskari p–n o‘tishga 
nisbatan bir necha marta kichik bo‘ladi. Yarimo‘tkazgichda p–n o‘tish tufayli tok faqat bir yo‘nalishda 
o‘tadi. Uning bu xususiyatidan yarimo‘tkazgichli asboblarda foydalaniladi.Yarimo‘tkazgichli diod 
Yarimo‘tkazgichlarda p–n o‘tishni hosil qilish uchun p va n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikkita 
yarimo‘tkazgichni mexanik ravishda ulash yetarli bo‘lmaydi. Chunki bu holda ulardagi oraliq katta 
bo‘ladi. p va n o‘tishdagi qalinlik atomlararo masofaga teng bo‘ladigan darajada kichik bo‘lishi kerak. 
Shu sababli donor aralashmaga ega bo‘lgan germaniy monokristali yuzalaridan biriga indiy 
kavsharlanadi. Diffuziya hodisasi tufayli indiy atomlari germaniy monokristali ichiga kiradi. Natijada 
germaniy yuzasida p-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan soha hosil bo‘ladi. 
Germaniy monokristalining indiy atomlari kirmagan sohasi avvalgidek n-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega 
bo‘ladi. Oraliq sohada p–n o‘tish hosil bo‘ladi (9.11 a-rasm).Bitta p–n o‘tishga ega bo‘lgan 
yarimo‘tkazgichli asbobga yarimo‘tkazgichli diod deyiladi. 
Tranzistorni tayyorlash uchun elektron o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan germaniy kristalining ikkita 
tomoniga indiy kavsharlanadi. Germaniy kristalining qalinligi juda kichik bo‘ladi (bir necha 
mikrometr). Mana shu qatlam tranzistor asosi, ya’ni bazasi deb ataladi (9.12 a-rasm). 
Emitter – baza oralig‘iga ulangan B1 batareya kuchlanishi to‘g‘ri p–n o‘tishni hosil qiladi.