С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

Сс
кийматини бера- 
ди. Кейин диодни тескари 
V
кучланиш уланган долда
(5.51)
280

---

чукур сатхнинг бошлангич холатдаги тулдирилганлиги узок, 
сакданадиган Г, температурагача совутамиз. Бу жараёнда 
сатхнинг тулдирилганлик даражаси деярли узгармайди. 
Шунинг учун сигпмнинг температурага кучсиз боглани- 
ши кузатилади (5.5а-расм, богланиш). Бу богланиш чу­
кур сатхнинг стационар тулдирилганлиги 
пгс
ва стацио­
нар тулдирилганликка мос келган стационар барьер си- 
f h m h
С ни англатади. Энди тескари 
V
кучланиш куйилган 
\олда диодни 
дан бошлаб киздирамиз. Бу жараёндаги 
с и р и м н и н г
тем пера гурага богланиши \ам l -борланиш каби 
булади. Сунг диодни, яна кайтадлн тескари кучланиш 
куйилмаган 
V—
0 холда, Г, температурагача совутамиз, 
сунгра тескари кучланиш улаймиз. Бу температурада са­
тхнинг бошлангич тулдирилганлиги 
ва унга мос си-
5 5-раем. Бир зарядли чукур маркази булган р-п утишда сиким (а), тескари
токнинг (б) температурага богланиши. 
1,4 
— термик рагбатлантирилмаган;
2,3 — термик рагбатлантирилган чукур сат\ разряди булган \ол учун.
Тилла билан легирланган р+-п утишли кремний диоди сигимининг
температурага богланиши (Ь).
Nc- l,5 • 1014 см 3, N =  1 , 6 - 1013 см \ 5=2,2 см2, (У-20В, й= 1 К/с
1 — термик рагбатлантириш булмаганда чукур сатх, разряди;
2 -- акцептор сатх,и рагбагл антири л га нда чукур са г\ разряди;
3 — гермик рагбатлантирилганда донор сат\ини электрон билан тулиши
[ DE =E C- E ,=0,5ё0,04 эВ, D E = E D- E y=0:16e0,01
эВ, еп« е р
281

---

гамнинг бошлангич к,иймати С6 узок, сакданади. С6нинг 
киймати С га нисбатан кичик. Энди диодга тескари