С. Зайнобидинов, X. Акромов яримутказгичлар

еп» е р
булган чукур сатх параметрларини 
D L T S
билан аник^аш 
учун /^ 1 тенгсизлик бажарилиши керак экан. Бу 
р +-п
утишли GaAs диодида яхши намоён булган.
Диод концентрацияси 
N CD= S -
1015 см 3 булган 
п-
гип- 
даги арсенид галлийдан ясалган. Диодда кучланишни О
- * И
кбайта улашдан 
c h f h m
релаксацияси кузатилмаган.
Inp-*U
к,айта улашдан сунг эса иккита чукур сатхни 
тулдириш релаксацияси га боглик, икки хил температура 
оралишда сигим релаксацияси (сигимнинг камайиши) ку- 
затилган. Демак, бундан куринадики, икки сатх учун 
еп« е
тенгсизлик бажарилади. АС,, нинг температурага богла- 
ниши ?, ва 
t2
ларнинг бешта к,ийматида олинган хар бир 
богланишидан 
(5.77) билан аникданиб,гпшх= /( 7 ’тах)
богланишдан сатхдарнинг энергетик холати 
Е,
= £ +0,44 
ЭВ, 
Е2= Е У+
0,77 ЭВ билан аникланишини курсатади. 
DZTS
нинг куп чизмаларида 
NJ N
саёз нисбат билан аникданади- 
ган сезгирлиги 10“4 тартибда булади. Корреляция усулла-
295

---

рини куллаш билан унинг сезгирлцг 
N / N
~1()-7 гача 
етказиш мумкинлиги курсатилган 
саез
D L T S
усули билан ЧС лар tv fd l. 
олиш имконига эга булгани у ч у н 1 Да КуП маълУмотлаР 
нинг купдан куп ч и з м а л а р и ^ р а т ^ Т ™ йилларда улаР 
рияларда кулланиб келинмоеда. 
ЛИб’ ИЛМИИ лабоРат°-
5.5-§. Металл-диэлектрик — Яп» -
- 
***мутказгич структура
параметрларини улчашнц^г C- V
усули