Respublihasi

7.k. Tranzixtorli avtotebratgichli CHO‘HG

7.5-rasmda tranzistorli avtotebratgichli chiziqli o‘zgaruvchi kuchlanish generatori sxemasi keltirilgan.

2xema RG-zanjirli shakllantirgich, VD2 chegaralovchi diod, VT1 tranzistorda yig‘ilgan tranzistorli kalitlardan iborat.

Generatorning ishchi yo‘lini shakllantirish vaqtida VD2 diod yopiq va sxema RG-zanjirdan uzilgan. G kondensatordagi kuchlanish (U_C ) eksponensial qonuniyat bo‘yicha o‘zgaradi:

k
7.5-rasm. Tranzistorli avtotebratgichli CHO‘KG.
109

U  ¹

t

i(t)dt.

G _{G }

0

Eksponentaning boshlang‘ich qismida U_C kuchlanish chiziqli qonuniyat bo‘yicha o‘zgaradi. Nochiziqlilik koeffisiyenti  10 %

bo‘lishini ta'minlash uchun kuchlanish qo‘llanilish koeffitsiyenti quyidagicha tanlanadi:

  ^Um

E_n

 0,5.

Bunda G kondensatordagi maksimal kuchlanish quyidagini tashkil etadi:

^UGmax

 0,5  E_k .

Kalit uchun o‘zgarmas tok rejimini shunday tanlanadiki,

kollektordagi kuchlanish

^UGmax

dan diodni yopuvchi (U_{d to‘g‘})

kuchlanish qiymatiga kichik bo‘lishi lozim. Kondensator za-

ryadlangani sari va U_C kuchlanish ga U_k nisbatan manfiylashgani sari, VD2 diod ochiladi va shu diod hamda tranzistorli kalit orqali

tojsimon razryadi boshlanadi. Bunda VD2 ochiq diodning kichik qarshiligiga R_k parallel qarshilik ulangan, shuning uchun yuklama chizig‘iga katta burchak tangensi ta'minlanadi (7.6-rasmga qarang). Yuklama chizig‘i I ning VD2 ochilishigacha bo‘lgan holati, ochilgandan so‘ng o‘zgarib II holatga erishadi. Kollektordagi kuchlanish moduli U_k1 dan U_k2 gacha ortadi, natijada I_b baza

_Ik II

E_k R_k

^Uk1

^Ib4
^Ib3 ^Ib2 ^Ib1 ^Ib0

^Uk2 ^Ek U_ke

I₁

0₁


U
^Ud1

d1
0₂

^{Uk1 Uk2 U}d

U_ke
7.6-rasm.

110

tokini hamda tunnelli diodidan oqadigan tokni ham oshishiga olib keladi. Tunnelli diodning ishchi tasnifi nuqtasi 0₁ holatni egallagan edi (VD2 ochilguncha), endi U_k2 kuchlanishning ortishi hisobiga

0₂ holatga o‘tadi. Bu esa tunnelli diodidagi U_d1 kuchlanishning 4—

6 marta ortishiga olib keladi (U_d2 gacha), natijada VT1 tranzistorning ishonarli to‘yinishini ta'minlaydi (7.6-rasmga qarang). Kondensator

G dagi razryad VT1 to‘yingan tranzistor orqali va zanjirdagi tok

+U_C dan VT1 (E—K), VD2—U_C orqali bo‘ladi. U_C kuchlanish tezlik bilan U_ke kuchlanishga kamayadi. Natijada, VD2 yopiladi va sxema RG-zanjirdan uziladi. Bundan so‘ng to‘g‘ri yo‘l shakllanishi

qaytadan boshlanadi. 7.7-rasmda ko‘rib o‘tilgan sxemaning chiqish kuchlanishi ossillogrammalari keltirilgan.
U

t

^Uke to‘y

U_k E_n
7.7 -rasm. Tranzistorli avtotebratgichli ChO‘KG chiqish kuchlanishi ossillogrammasi.
CHO‘KG to‘g‘ri va teskari yo‘llarining kengligini quyidagi formulalar orqali hisoblanadi:

t  RG  ln ^{Ek UG0} ;

t  (R

to‘g‘

• 
  R
  

^Ek ^UGm

)G  ln ^{Ek UG0} .

tes ke to‘g‘ to‘g‘VT1

^Ek ^UGm

Bunday generator sxemalari keng chastota diapazonida ishlaydi, chunki chastotaga, asosan, RG-zanjir parametri ta'sir ko‘rsatadi.


^ƒmax

Nisbat

^ƒmin

minglarga bo‘linadi.

111

Kondensatorni tok stabillovchi element orqali zaryadlash tamoyilini qo‘llovchi CHO‘KG sxemasini ko‘rib chiqamiz:

Bunday sxemalar kuchlanish koeffisiyenti   0,8 da yuqori chiziqlik sifati   0,01 ni ta'minlaydi. Ushbu sxemada bir o‘tuvchanli maydon tranzistori qo‘llaniladi (7.8-rasmga qarang), u kalit rejimida ishlaydi.

7.8-rasm. Tok stabillovchi elementda va bir o‘tuvchanli maydon tranzistorida tuzilgan CHO‘KG.

Kondensatorni zaryadlash uchun tok stabillovchi elementdan foydalanib, quyidagini hosil qilamiz:

U  ¹

t

i(t )dt ,

^{i =I=const bo‘lganida} U

 ^I  t  k  t.

^G _G ^ C G

0

G
VT2 tranzistor tok manbasi rejimida ishlaydi va G kondensator zaryadini I_k o‘zgarmas tok bilan ta'minlaydi. Tranzistorning o‘zgarmas I_b= const tok rejimida ishlashini U_ke ning keng oraliqda

o‘zgarmas I_k ta'minlaydi (7.9-rasmga qarang). I_b stabillanish

parametrik stabilizator yordamida U_be kuchlanish stabilizatsiyasi hisobiga ta'minlanadi, VD stabilitron va R₂ baland qarshilikda yig‘ilgan.

2xema tok manbayiga ulanganidan so‘ng, E_k kuchlanishdan G kondensator +E_k R_e, EK VT2, C—E_k gacha zaryadlanadi. G kondensator zaryadlanishi I_k stabil tok orqali amalga oshiriladi. Kuchlanish U_C= 0,8·E_k bo‘lganida, VT1 bir o‘tishli maydon tranzistorning ulanish kuchlanishi bilan aniqlanadi va u ulanadi

112

I_k

I_k=const

^Uke

7.9-rasm. VT2 tranzistorning o‘zgarmas tok rejimida ishlashi

(to‘yinish rejimiga o‘tadi) va G kondensatorning tezda raz- ryadlanishini o‘zi orqali ta'minlaydi. Kondensator G ni razryadlashda kuchlanish va tok unda kamayadi va qandaydir vaqt birligida zatvordagi kuchlanish VT1 tranzistorni yopishga yetarli bo‘ladi. VT1 tranzistorning yopiq holatida kondensator G ning yangi sikli shakllanishi boshlanadi.

3.