Reja: Yarimo'tkazgich imslar yaratishda texnologik jarayon va operasiyalar

Mavzu: Integral mikrosxemalar va integral mikrosxemlarni tayyorlash texnologiyasi.

Reja:

1. 
   Yarimo'tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operasiyalar
   
2. 
   Bipolyar tranzistorlar asosidagi integral mikrosxemalarni tayyorlash
   
3. 
   M DY — tranzistorlar asosidagi IMSlarni tayyorlash
   

Tayyorlov operatsiyalari. Y arim o'tkazgich IM Slar tayyorlash uchun asosiy m aterial bo'lgan — krem niy m onokristall quym alari olishdan boshlanadi. M onokristall quym alar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud.
Choxralskiy usulida tarkibiga d o n o r yoki ak sep to r k iritm a lar qo'shilgan o ‘ta toza krem niy eritm asi yuziga krem niy m onokristali tushiriladi. E ritm a eritgan m onokristall o ‘z o ‘qi atrofida asta-sekin aylantirilib ko‘tariladi. M onokristall ko‘tarilishi bilan eritm a kristalanadi va krem niy m onokristali hosil bo'ladi. Hosil b o ‘lgan krem niy quym asi n — yoki p — turli elektr o ‘tkazuvchanlikka ega b o 'lad i. Q uym a uzunligi 150 sm, diam etri esa 150 m m va undan katta bo‘lishi m um kin.
Zonali eritish usulida m onokristall ifloslantiruvchi kiritm alardan q o ‘shim cha tozalanadi. B unda kristalning to r zonasi eritilib, eritilgan zona kristalning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. K ir itm a la r n in g e rig a n fa z a d a e r u v c h a n lig i q attiq h o la td a g i eruvchanligiga qaraganda katta b o ‘lsa, o ‘sha kiritm alar suyuq fazaga o ‘tib kristalning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o ‘sha yerda to ‘planadi. K iritm alar to ‘plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so ‘ng kesib tashlanadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristali tuzilishini takrorlovchi yupqa m onokristall ishchi qatlam lar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda m ustahkam likni ta ’m inlash va kristalanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo'lgan kristall panjara sifatida xizm at qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlam da IM Sning aktiv va passiv elem entlari hosil qilinadi. G az fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo'lib, ular m onokristall asos sirtida n— yoki p—turli o ‘tkazuvchanlikka ega b o ‘lgan epitaksial qatlam lar hosil qilish im konini beradi.