Reja: Yarim o‘tkazgichli diodlar to‘g‘risida umumiy ma’lumotlar

MAVZU: DIODLAR VA TRANZISTORLAR
REJA:

1. 
   Yarim o‘tkazgichli diodlar to‘g‘risida umumiy ma’lumotlar
   
2. 
   Yuqori chastotali yarim o‘tkazuvchi diodlar va fotodiodlar
   
3. 
   Tranzistorlar haqida umumiy ma’lumot
   
4. 
   Xulosa
   

1.Yarim o‘tkazgichli diodlar, ularning tuzilishi va ishlash printsipi

Yarim o‘tkazgichli diodlar to‘g‘risida umumiy ma’lumotlar
p-n o‘tish hodisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim o‘tkazgichli asbob yarim o‘tkazgichli diod deb ataladi. Uning shakli ko‘p faktorlarga bog‘liqdir. Masalan, tashqi temperaturaga kontakt sohasining geometrik o‘lchamlariga, tok tashuvchilar miqdoriga teskari kuchlanish kattaligiga va h.k.Amaliy jihatdan bu faktorlarinning teskari tokka bo‘lgan ta‘siri katta ahamiyatga ega. Masalan muhit haroratining ko‘tarilishi yoki teskari kuchlanishi biror
qiymatgacha oshirilishi teskari tokning birdan ko‘payib ketishiga, natijada p-no‘tishning buzilishiga,sabab bo‘ladi. Shulardan issiqlik va elektr buzilishini ko‘raylik
12-rasmda yarim o‘tkazgichli diodning sxemada belgilanishi va to‘lqin volt -amper xarakteristikasi ko‘rsatilgan. Unda 1-chiziq issiqlik bo‘lishi, 2-chiziq esa, elektr buzilishini ko‘rsatadi.
Kontakt sohasining kengligiga qarab yarim o‘tkazgichli diodlar nuqtaviy va yassi diodlarga ajratiladi.

p-n utish hosil kiluvchi soxalarning birida asosiy tok tashuvchi zarrachalarning
kontsentratsiyasi ko‘p bulib, u emitter deb ataladi.
Ikkinchisi esa baza deb ataladi. Harakteristikaning tugri p-n o‘tishiga tugri kelgan qismidan diodning differentsial qarshiligi hisoblanadi.
Volt – amper xarakteristikasidan ko’rinib turibdiki yarim o‘tkazgichli diod ham
nochiziqli elementlar qatoriga kiradi Diodlardan signallarni to’g’irlash, detektorlash, modulyatsiyalash ishlarida foydalaniladi.
To’g’rilagich diodlar past chastotali (  <50 kGts ) o‘zgaruvchan toklarni
to’g’irlashda ishlatiladi. Tayyorlanish texnalogiyasiga ko’ra diodlar yassi diodlarda pn o’tishning yuzini belgilovchi o’lchamlar uning qalinligiga nisbatan katta bo‘ladi.
To’g’rilagich diodlar sifatida asosan yassi diodlar ishlatiladi To’g’ri yo’nalishda o’tuvchi to’g’irlangan tok kuchi.1600 A gacha, teskari yo’nalishda 1000V gacha kuchlanishga mo’ljallangan
diodlar ishlab chiqariladi.Bunday katta tokni o’tkazuvchi diodlar ish jarayonida
qiziydi. Shu sababli diodlarga issiqlikni sochuvchi radiatorlar kiydirilib montaj
qilinadi. Kremniyli to’g’irlagich diodlarning ishchi temperaturasi 125C gacha
bo’lishi mumkin. Yuqori chastotali diodlar signallarni detektorlash, o‘zgartirish, modulyatsiyalash kabi ishlarda kullaniladi. Bu ishlarni bajarishda diodning xususiy sig‘imi pikofaradaning o’ndan bir ulushlarida bo’lishi muxim ahamiyatga ega. Bunday diodlarda sig‘im kichik bo’lishi talab qilinganligi tufayli asosan nuktaviy diodlar ishlatiladi. Bunday diodlarning sig‘imi pikofaradaning o’ndan bir ulushlarida bo’lishi mumkin. Xozirgi kunda ishchi chastotasi 1000 MGts gacha bo’lgan yuqori chastotali diodlar mavjud. Yuqori chastotali diodlar kichik teskari kuchlanishda va kichik to’g’ri toklar rejimida ishlaydi. Masalan germaniyli nuktaviy diodning ishchi teskari kuchlanishi 350V gacha to’g’ri yo’nalishdagi tok kuchi 100mA (Utug = 1,28) gacha bo’lishi mumkin. Impuls rejimida ishlaydigan diodlar radio sxemalarda kalit vazifasini bajaradi. Bu rejimda asosan nuktaviy va kichik yassi diodlar ishlatiladi. Diod ikki xil holatda bo‘ladi: «ochiq» yoki «yopiq». Ochiq holda diod qarshiligi kam yopiq holda katta bo‘ladi. Impuls sxemalarida diodning bir holatdan ikkinchi holatga qanchalik tez o‘tishi ahamiyatlidir.Yarim o‘tkazgichli kuchlanish stabilizatori . (stabilitron, stabistor) . Bu yarim o‘tkazgichli diod zanjirga teskari p-n o’tish hosil bo‘ladigan qilib ulanadi. Ish rejimi diod xarakteristikasini teskari yo’nalishda yorib(teshib) utuvchi tok utadigan kismiga tugri keladi.Yorib o’tish deyilganda, diodga teskari p-n o’tishga tug’ri keladigan kuchlanish qo’yilib, uning ma’lum qiymatida teskari tokning keskin ortib ketishi tushuniladi. Diodda ko’chkili, tunnel va issiqlik ta’sirida yorib o’tishlar kuzatilishi mumkin.
Yarim o‘tkazgichda aralashma miqdori juda kichik bo‘lganda, katta teskari
kuchlanish ta’sirida bo’lgan elektronlar va kovaklar neytral yarim o‘tkazgich
atomining yana bitta kovalent bog’langan elektronini urib chiqarishi mumkin.
Natijada zaryad tashuvchi zarrachalarning yangi jufti hosil bo‘ladi. Yetarli
miqdordagi teskari kuchlanishda bunday urib chiqarish ko’chkisimon ko’rinishda namoyon bo‘ladi. Qarshiligi kichik yarim o‘tkazgichlarda tunnel orqali tok o’tish ko’chkisimon o’tish kuzatiladigan kuchlanishdan kichikroq kuchlanishlarda ro’y beradi. Qarshiligi katta bo’lgan yarim o‘tkazgichlarda esa, aksincha.Issikliq ta’sirida yorib o’tishda p-n o’tish soxasi qizib, unda asosiy bo‘lmagan tok tashuvchilarning ko‘payishi va natijada teskari yo’nalishdagi tokning ortib ketishi kuzatiladi.
Ko’chkisimon va tunnel orqali yorib o’tishlar diodni ishdan chiqarmaydi. Shu
sababli bu o’tishda elektron qurilmalarda qo’llaniladi. Issiqlik ta’sirida yorib o’tish esa, p-n o’tishni buzadi. Yarim o‘tkazgichli diodlarning ishlash harorat oralig‘iHar bir tipik guruhni ta’riflaydigan o‘ziga xos parametrlaridan tashqari ularning maxsus belgilanishiga bog‘liq bo‘lmagan barcha YO’Dlar uchun umumiy parametrlari mavjud. Ularga quyidagilar kiradi: ishlash harorat oralig‘i, ruxsat beriladigan teskari kuchlanish, ruxsat beriladigan to‘g‘rilangan tok, ruxsat beriladigan sochish quvvati.Harorat oshgan sari o‘tkazuvchini o‘zining elektr-o‘tkazuvchanligi oshib boradi, to‘yinish toki va n-p o‘tishning buzilish ehtimoli oshadi.Yarim o‘tkazgichning taqiqlangan zonasi qanchalik keng bo‘lsa, o‘tishni yo‘l

qo‘yiladigan maksimal harorati shunchalik katta bo‘ladi. Masalan, germaniy diodlari

uchun atrof muhitni ruxsat etilgan harorati (-60...+70)C chegaradada, kremniy
diodlari uchun esa (-60...+125)С chegarasidadir. Harorat pasaygan sari to‘g‘ri va teskari qarshiligi oshib boradi, shuningdek kristallning mo‘rtligi oshish tufayli mexanik shikastlanish ehtimoli paydo bo‘ladi.
Ruxsat etiladigan teskari kuchlanish Utes.p. odatda ruxsat etiladigan teskari kuchlanishdir.Buning tushuntirilishi shundaki n-p o‘tish maydonining kuchlanganligi,
demak, buzulish kuchlanishi ham o‘tish eniga bog‘liq, u o‘z navbatida aralashmalarning konsentratsiyasiga bog‘liq, ya’ni yarim o‘tkazgichni solishtirma qarshiligiga. n-p o‘tish qanchalik keng bo‘lsa, yarim o‘tkazgichni solishtirma qarshiligi shunchalik katta bo‘ladi va dastlabki materialni solishtirma qarshiligi qanchalik katta bo‘lsa U
ham katta bo‘ladi.Agar katta to‘g‘rilangan kuchlanishni olish kerak bo‘lsa, bunda ruxsat etilganga
qaraganda kattaroq teskari kuchlanish diodga berilgan bo‘ladi, buning uchun diodlarni ketma-ket ulanishi qo‘llaniladi. Diodlarni teskari qarshilik miqdorlari bir xilbo‘lmaganligi uchun, bunda ketma-ket ulanganda teskari kuchlanishlari diodlar orasida notekis taqsimlanadi va kattaroq teskari qarshilikka bo‘lgan diod buzilishi mumkin. Bunday bo‘lmasligi uchun har bir ketma-ket ulangan diodni shunday miqdordagi qarshilik bilan shuntlantiriladiki, diodlardagi taqismlangan kuchlanish shu qarshiliklar bilan aniqlangan bo‘lishi kerak.
Tok o‘tganda o‘tish harorati oshishi sababli, bunda ruxsat etilgan tok miqdori
ruxsat etilgan o‘tish harorati bilan cheklanadi. To‘g‘ril angan tokni ruxsat etilgan miqdoridan kattarog‘ini olish uchun, birnechta diodlarni paralel ulash mumkin.
Diodlar har xil to‘g‘ri qarshilikka ega bo‘lganlari uchun bunda toklar bir tekisda
taqsimlanadilar va shunda bo‘lishi mumkin -ki, eng kam qarshilikka ega bo‘lgan diod orqali yuradigan tok, ruxsat etilgan miqdoridan oshib ketishi mumkin. Shunday bo‘lmasligi uchun diodlarni har biri bilan ketma-ket qarshilik ulanadi.
Eng yuqori ruxsat etiladigan sochish quvvati Rr.e diodning konstruksiyasiga ham,
atrof muhitni haroratiga ham bog‘liq, ya’ni sovutish sharoitiga bog‘liq.
Shemalardagi ishchi rejimlarini tanlanganda IU  Rr.e bo‘lishi kerak.
Bu yerda I – diod orqali o‘tadigan tok, U –diodgа ulangan kuchlanish.
To‘g‘rilovchi diodlar (kuchli diodlar, ventillar) to‘g‘rilolvchi YO’Dlar past chastotali (50 kGts gacha) o‘zgaruvchan tokni bir yo‘nalishdagi tokka (o‘zgaruvchi tokni to‘g‘rilash) o‘zgartirish uchun qo‘llaniladi. Odatda kichik va o‘rta quvvatli to‘g‘rilovchi YO’Dni ishchi chastotalari 20 kGts dan, katta quvvatli diodlarni esa – 50 Gts dan oshmaydi. n-p o‘tishni to‘g‘rilash maqsadlari uchun ishlatish imkoniyatlari tokni bir
tomonlama o‘tkazish uning xususiyatlari bilan shartlangan (to‘yinish toki juda kam). To‘g‘irlovchi diodlarning tavsif va parametrlarga quyidagi talablar qo‘yiladi:
a) juda kichik bo‘lgan teskari tok;
b) katta bo‘lgan teskari kuchlanish;
v) katta bo‘lgan to‘g‘ri tok;
g) to‘g‘ri tok oqqanda kuchlanishni ham kamayishi.
Bu talablarni ta’minlash uchun to‘g‘irlovchi diodlar yarim o‘tkazuvchi
materiallarning taqiqlangan zonani katta kengliklaridan tayyorlanadi, bu esa teskari
tokni kamaytiradi va katta solishtirma qarshiliklardan, bu esa ruxsat etilgan teksari
kuchlanishni oshiradi. To‘g‘ri yo‘nalishda katta toklarni va kuchlanishni kam
tushushini olish uchun n-p o‘tish maydonini oshirish va baza qalinligini oshirish
kerak.
To‘g‘rilovchi diodlar katta solishtirma qarshilikka ega bo‘lgan germaniy (Ge) va
kremniy (Si) dan tayyorlanadi, bunda Si – eng istiqbolli materialdir. Si taqiqlangan
sohasi katta bo‘lgani uchun, kremniy diodlari ancha marotaba kam teskari toklarga
ega, ammo to‘g‘ri kuchlanishni kamayishi kattaroq, ya’ni teng quvvatda yuklanishga
beradigan kremniy diodlarni energiya yo‘qotishi ko‘proq bo‘ladi. Kremniy diodlar
katta teskari kuchlanishlarga va to‘g‘ri yo‘nalishda katta tok zichligiga ega.

2. Yuqori chastotali yarim o‘tkazuvchi diodlar

To‘g‘rilovchi diodlarga o‘xshab, yuqori chastotali YO’D larda ham n-p o‘tishning
nosimmetrik o‘tkazuvchanligi ishlatiladi. Ular to‘g‘rilovchi diodlarga qaraganda
ancha yuqori chastotalarda ishlaydi (yuzlab MGs gacha), universal va impulslilarga
bo‘linadi. Universal yuqori chastotali diodlar tokning bir yo‘nalishdagi yuqori
chastotali tebranishlarni olish uchun modulyatsiyalashgan yuqori chastotali
tebranishlarni amplitudasi bo‘yicha – chastotali modulyatsiya tebranishlarni
(detektorlash) chastotasini o‘zgartirish uchun qo‘llaniladi. Impulsli diodlar impulsli
shemalarda almashib ulagich elementi sifatida ishlatiladi.
YO’D yuqori chastotada ishlaganda diodning inersiyaligiga sababchi bo‘lib, o‘tish
sig‘imi katta ro’l o‘ynaydi. Agar diod to‘g‘rilovchi sxemaga ulansa, bunda sig‘imni
ta’siri to‘g‘rilash jarayonini yomonlashuviga olib keladi.
Bundan tashqari, n-p o‘tishga keltirilgan tashqi kuchlanishni bir qismi diodning
baza qarshiligida qolishi tufayli, to‘g‘rilash samaradorligi pasayadi. Shundan kelib
chiqadiki, yuqori chastotada ishlaydigan YO’Dni n-p o‘tishlari kichik sig‘imli va
bazaning kichik qarshiligiga ega bo‘lishi kerak.
Sig‘imni kamaytirish uchun o‘tish maydonini kamaytirishadi, bazanig qarshiligini kamaytirish uchun bazaning qalinligini kamaytirishadi. Yuqori chastotali diodni inersion hususiyatlarini kamaytirish talabi va shu sababli o‘tish maydonini kamaytirish, bir xil asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning xayot vaqti va baza qalinligi o‘ta muhim bo‘lishi mumkin, shundanki, agar diod impuls shemada qayta
ulagich sifatida ishlasa. Qayta ulagich ikki xolatga ega: ochiq va yopiq. Ideal holatda qayta ulagich ochiq bo‘lganida qarshiligi nolga teng, qarshiligi cheksiz katta bo‘lishi – yopiq bo‘lganida va bir onda bir holatdan ikkinchi holatga o‘tishi lozim. Amalda yuqori chastotali diodni yopiq holatidan ochiq holatiga va teskarisi qayta ulashlarda
turg‘un (statsionar) holat bir muncha vaqtdan keyin o‘rnatiladi, uni qayta ula sh vaqti deb ataladi va diodning inersion xususiyatlarini ta’riflaydi. Tez qayta ulaganda
inersion xususiyatlari bo‘lishi qayta ulanadigan impulslar shaklini buzulishiga olib keladi. Impulsli diodlarni tayyorlashda dastlabki yarim o‘tkazgichga rekombinatsiyani
(Au, Cu, Ni) unumli markazi bo‘lgan elementlar kiritiladi, bu esa og‘irligi bir xil bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni hayot vaqtini kamaytiradi. P-xududini (bazasini) qalinligi Np teshiklarni chopish diffuzion uzunligi miqdoriga qaraganda kam miqdorigacha kamayadi. Bu bir vaqtda og‘irligi bir xil bo‘lmagan tashuvchilar hayot vaqtini va baza qarshiligini kamaytiradi. Yuqori chastotali diodlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtaviy konstruksiya ko‘rinishida yoki juda kichik maydonli o‘tish yupqa konstruksiyada bajariladi.
Fotodiodlar.
Ayrim moddalarga yorug’lik tushganda, energiya modda atomlari tomonidan
yutilib, elektron – kovak juftini hosil kiladi. Bu moddadan yasalgan material uchlariga kuchlanish berilsa, elektronlar bir tomonga, kovaklar ikkinchi tomonga xarakat kiladi. Yoruglik intencivligi ortishi bilan tok kuchi ham ortib boradi.
Fotoelektrik kurilmalar yoruglik ta’sirida kuchlanish hosil kiladi. Odatda ular po’tishga ega bo’lib, hosil bo’lgan kuchlanishning musbat qutbi n-soxada bo‘ladi. Bu kuchlanish tashqi zanjirga ulansa tok hosil qilishmumkin. Tok yo‘nalishi o’tish yo‘nalishiga qarama-qarshi bo‘ladi.Fotodiodlar–yorug’lik ta’sirida elektr tokini o’tkazuvchi qurilma sifatida ishlatilishi mumkin.
Yoruglik diodlar–bu bir yoki bir necha p-n o’tishga ega bo’lgan diod bo’lib,
undan tok o’tganda o‘zidan yorug’lik chiqaradi.(17-rasm). Bu diodda tok tashuvchi zarrachalar elektronlar va kovaklardan iborat bo’lsada, elektronlarning miqdori kovaklarga nisbatan ko‘proq bo‘ladi. Elektronlar n soxadan p- soxaga o’tish davomida, bir energetik satxdan ikkinchisiga o’tadi. Elektronlar p- soxada kovaklar bilan rekombinatsiyalanib o’zlarining ortiqcha energiyalarini yo’qotadi. Bu energiya nur sifatida chiqadi. Tok ortishi bilan yorug’lik intensevligi ham ortadi. Chiqayotgan nur kengroq fazoga taqsimlanishi uchun diodning nur chiqayotgan soxasiga ixcham linza ham o’rnatiladi. Diod materialiga qarab undan ixcham nurning rangi ham bo’ladi.

3.Tranzistorlar haqida umumiy ma’lumot.

1948 y. D.Bardin va V.Bratteyn nuqtali n-p o‘tishlar bilan ishlab turib, ikki n-p o‘tishli qurilma quvvati bo‘yicha elektr tebranishlarni kuchaytirish qobiliyatiga egaligini guvohi bo‘lishdi. Bu qurilmani ular tranzistor deb atashdi (“Transfer” -o‘zgartiruvchi va “resistor” - qarshilik – ingliz so‘zlaridan olingan). Bugungi kunda
bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va uch yoki undan ko‘p uchlari bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob tranzistor deb nomlanadi(18-rasm).
Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq, garchi nuqtali tranzistorlar oldin paydo bo‘lishiga qaramasdan, ularning nostabil ishlashi shunga olib kelindiki, bugungi kunda faqat yassi tranzistorlar ishlab chiqariladi. Yassi tranzistor yarim o‘tkazuvchining monokristalli bo‘lib, unda ikki hudud bir tipdagi o‘tkazuvchanlikka ega, qarama-qarshi tipdagi o‘zgaruvchanlikkaega bo‘lgan hudud bilan bo‘lingan. Bu asboblarni asosiy vazifasi elektr tebranishlarni
kuchaytirish yoki generatsiyalashdan iborat. Oddiy p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka
ega bo‘lgan bipolyar tranzistorlar quyidagi rasmlarda o‘z aksini topgan (19-20-rasm).
Tranzistorlar maksimal ishchi chastotaga qarab quyidagilarga bo‘linadi.
 Past chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =3-30 mGs :
 Yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f
=30-300 mGs : O’ta yuqori chastotaga ishlaydigan tranzistorlar ularni chastota chegarasi f =300 mGs :Bulardan tashqari qanday quvvatda ishlay olishiga qarab kichik quvvatli tranzistorlar R=0,3 Wt gacha; o‘rtacha quvvatli tranzistorlar R=0,3-3,0 Wt gacha; va katta quvvatli tranzistorlar R=3,0 Wt dan yuqori quvvatlarga bo‘linadilar.
Yarim o‘tkazgichli triod elektron asboblarining bir turi bo‘lib, tranzistor deb ataladi. Tuzulishi va ishlash usuliga qarab tranzistorlar bipolyar va unipolyar tranzistorlarga ajratiladi.
Bipolyar tranzistorlarning ishlashi p-n o‘tish hodisasiga, unipolyar
tranzistorning ishlashi esa, bir turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan yarim o‘tkazgichning o‘tkazuvchanligini elektr maydoni yordamida boshqarishiga asoslangan.
Bipolyar tranzistor yarim o‘tkazgich monokristalda ikkita p-n o‘tish sohasini hosil qilish asosida yasaladi. Uni o‘tkazuvchanligi almashib keladigan 3 ta sohaga ajratish mumkin. Agar monokristallning hajmi bilan chegaralangan bo‘lsa, hosil bo‘lgan yassi tranzistor p-n-p turdagi tranzistor deyiladi. Aksincha, kovak o‘tkazuvchanlik soha orasida bo‘lsa n-p-n turdagi tranzistor hosil bo‘ladi. Bu tranzistorlarning sxemada belgilanishi va potensial to‘sig‘ining ko‘rinishi 21-rasmda ko‘rsatilgan.

Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yo’qlama qo`yilmagan holda o`rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o`zaro bog`liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma`lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo`lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish

xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin.UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo`lib UKB = const bo`lgandagi E= f (UEB) bog`liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE= const bo`lgandagi IB=f(UBE)bog`liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalarining umumiy xarakteri odatda to`g`ri yo`nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko`rinishiga ko`ra kirish xarakteristiklari eksponentsial xarakterga ega Rasmlardan ko`rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o`zgarishi kirish xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma`nosi shundaki, kollektor o`tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda
baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo`ladi. Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar
rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi asosiy
bo`lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga emitter tokining ortishi.

4.Xulosa

Bugingi kunda ilmiy-texnikaning zamonaviy yo’qlanishi elektronikaning rivojlanishi bilan chanbarchas bog`liqdir. Elektronika gaz, qattiq jism vakuum va boshqa muxitdagi elementar zaryadlangan zarrachalarga elektromagnit maydon ta`sir natijasida xosil bo’lgan elektr o’tkazuvchanlikni o’rganish va undan foydalanish masalalari bilan shugullanadigan fan sohasidir. Elektronika yutuqlari natijasi sifatida elektrovakuum va yarim o’tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida namoyon bo’ladi. Zamonaviy elektornikani o’rganish uchun avvalam bor radioelektronika asboblarining tuzilishi, ishlash printsipi va fizikaviy asoslarini bilib olish kerak. Integral mikrosxemalar radio elektron apparaturalarda elementlararo
ulanishlarni ta`minlash bilan birgalikda, ularning kichik o`lchamlarini, energiya ta`minotini, massa va material hajmini ta`minlaydilar. Ko`p sonli chiqishlar va qobiqlarning yo`qligi radio elektron apparaturalarning hajmi va massasini kichraytiradi. Moddaning yarim o‘tkazgichlik xossasiga asoslangan elementlarda fizik jarayonlar mikronlar tartibidagi sohalarda yuz berib, zamonaviy mikrochiplarda
kremniy kristalining kichik bo‘lagida bir-biriga ulangan millionlab diodlar, tranzistorlar, qarshiliklar, kondensatorlar joylashgan.
Yarim o‘tkazgichli diod (YO’D) ikki elektrodli qurilma bo‘lib, uning ishlashi n-p o‘tishni elektrik xususiyatlarga, yoki metal yarim o‘tkazuvchi kontaktini ishlatilishiga asoslangan. Bu xususiyatlarga quyidagilar kiradi: bir tomonlama o‘tkauvchanlik, volt-amper tavsifini nochiziqligi, volt-amperli tavsifini manfiy qarshilikka ega bo‘lagi mavjudligi, elektrli buzilishda teskar tokni keskin oshib ketishi, n-p o‘tishni sig‘imi mavjudligi n-p o‘tishni qaysi xususiyatlari ishlatilishiga bog‘liq xolda yarim o‘tkazuvchi diodlar to‘g‘irlash, detektrlash, o‘zgartirish, elektr tebranishlarni generatsiyalash shuningdek o‘zgarmas tok zanjirlarida kuchlanishni stabillash va o‘zgsharuvchan reaktiv elementlari sifatida qo‘llash mumkin.
Ilgari zamonda vakuumli lampalarga elektron asos solgan bo‘lsa, endilikda yarim o‘tkazgichli qurilmalar, elektronikaning beqiyos rivojlanishiga ustqurma bo‘lib xizmat qilmoqda. Elektr o‘tkazuvchanlik jihatidan yarim o‘tkazgichlar metallar va dielektriklar oralig‘ida sodir bo‘ladi. Bugungi kunda bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va uch yoki undan ko‘p uchlari bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob tranzistor deb nomlanadi.
Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq, garchi nuqtali tranzistorlar oldin paydo bo‘lishiga qaramasdan, ularning nostabil ishlashi shunga olib kelidiki, bugungi kunda faqat yassi tranzistorlar ishlab chiqariladi. Yarim o‘tkazgichli tranzistorlarning muhim xossalari turli tashqi omillar:
T-temperatura; F-yorug‘lik oqimi;
R-bosim kuchi; E-elektr maydon kuchlanganligi; va boshqa tashqi ta’sirlarida elektr o‘tkazuvchanlikni tez o‘zgarishidir. Yarim
o‘tkazgichlar tarkibida bir oz aralashma qo‘shilganda, ularning elektr o‘tkazuvchanligi bir necha ming marta o‘zgarishiga olib keladi. Xulosa qilib shuni ta’kidlash mumkinki yarim o‘tkazgichlarda elektronlar kontsentratsiyasi kam ekanligi (metallarga solishtirganda ancha kam) va tashqi omillarga bog‘liqligi sababdir. Tashqi elektr maydon ta’sirida erkin elektronlar harakatlanib, elektron o‘tkazuvchanlikni hosil qiladi (N-o‘tkazuvchanlik). Tashqi elektr maydon ta’sirida teshiklar maydon yo‘nalishiga siljiydi. Ana shu teshiklar siljishi kattalik jihatidan elektronlar zaryadiga teng bo‘lgan musbat zaryadlar tokiga ekvivalent. Bu jarayon teshikli o‘tkazuvchanlik deb ataladi (R-o‘tkazuvchanlik). Shunday qilib yarim o‘tkazgichlarning o‘tkazuvchanligi elektron o‘tkazuvchanlik va teshikli o‘tkazuvchanlik yig‘indisidan iborat ekan.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi shu muammolarga bagishlanadi. Xozirgi vaqtda elektronika asboblarning turli xildagi turlarining soni shunchalik ko’pki, ularning xar birini qarab chiqishning imkoni yo’q.