Reja: Bipolyar tranzistorlarning paydo bo`lishi

Parametr
IGBT oilalari
	Standart	Tez	UltraFast	Çözgü
Uke, V	1,3	1.5	1.8	2.1
Energiyani almashtirish, mJ / A ? mm ^2	0,54	0.16	0,055	0,03
Statik yo'qotishlar, V	0.625	0,75	0.95	1.1

Standart oilasining tranzistorlari kalitda past kuchlanish pasayishi va past statik yo'qotishlarni talab qiladigan davrlarda foymaydonnish uchun optimallashtirilgan.

UltraFast va Warp oilalarining tranzistorlari past dinamik yo'qotishlarni talab qiladigan chastotali davrlarda foymaydonnish uchun optimallashtirilgan. Kam kommutatsiya energiyasi 150 kHz gacha bo'lgan Warp tranzistorlarini va 60 kHz gacha bo'lgan UltraFast tranzistorlarini qabul qilinadigan dinamik yo'qotish darajasidan foymaydonnishga imkon beradi.

Tez oilaning tranzistorlari - ko'rib chiqilayotgan oilalar o'rtasida qandaydir murosaga kelish. Past kuchlanishli pasayish va qabul qilinadigan yo'qotishlarga ega bo'lgan holda, tez tranzistorlar juda yuqori o'tish tezligi talab qilinmaydigan davrlarda, standartdan foymaydonnish katta dinamik yo'qotishlarga olib keladigan va Warp-dan foymaydonnish yuqori statik yo'qotishlarga olib keladigan davrlarda ishlatilishi mumkin. Kommutatsiya tezligi bipolyar tranzistorlar bilan taqqoslanadi.

Ilova yozuvida International Rectifier yangi avlod IGBT-larda trigger tuzilmasi to'liq bostirilganligini ko'rsatadi. Bundan tashqari, deyarli to'rtburchaklar xavfsiz ish maydoni ta'minlangan.

Kompaniya tomonidan ishlab chiqarilgan IGBT tranzistorlarining alfanumerik belgilanishi shakl. sakkiz.

8. IR IGBTlarini belgilash

Jadval 2-da maishiy va ofis uskunalarida keng qo'llaniladigan, maksimal kuchlanishi 600 V bo'lgan o'rta IGBT tranzistorlari parametrlari ko'rsatilgan [3].

Jadval 2. IR IGBTlar